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公開番号2023042658
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-03-28
出願番号2021149899
出願日2021-09-15
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人扶桑国際特許事務所
主分類H01L 23/28 20060101AFI20230320BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】封止部材の染み出しを防止する。
【解決手段】誘導突起部43の突出端部が封止部材36に接している。封止部材36が誘導突起部43から這い上がることで、側壁部41a,41cを這い上がる封止部材36の量が抑制される。封止部材36の這い上がりの量が抑制されることで、封止部材36が側壁部41a,41cを這い上がる時間が長くなる。このため、封止部材36が端子孔42aに到達するまでの時間も長くなる。また、封止部材36の這い上がり量が抑制されることで、封止部材36が端子孔42aに到達しても、端子孔42aから染み出る量も抑制される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体モジュールと、
前記半導体モジュールがおもて面に配置される基板と、
前記基板の前記おもて面に、前記半導体モジュールを含む収納領域を前記基板と取り囲んで配置される側壁部と、前記側壁部上に配置され、前記収納領域を覆い、端子孔が開口され、前記収納領域に向かって突出する誘導突起部が内面に形成されている蓋部と、を含むケースと、
前記収納領域に充填されて、前記半導体モジュールを封止する封止部材と、
を備え、
前記誘導突起部の突出端部が前記封止部材に接している、
半導体装置。
続きを表示（約 820 文字）【請求項２】
前記誘導突起部の前記突出端部は、前記封止部材の封止面よりも、１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下、下方に位置する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記誘導突起部は、平面視で前記側壁部から離間して前記蓋部に形成されている、
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体モジュールは、内側端部が前記半導体モジュールに直接接合され、外側端部が前記端子孔から外側に延伸する外部接続端子、
を含む請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記蓋部の前記内面に、平面視で、前記端子孔と前記誘導突起部との間に、前記封止部材に接することなく前記収納領域に向かって突出する循環突起部がさらに形成されている、
請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記循環突起部の突出端部は、前記封止部材の封止面よりも、１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下、下方に位置する、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記誘導突起部及び前記循環突起部は、柱状を成している、
請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記誘導突起部及び前記循環突起部は、さらに、側部に凹部または凸部の少なくともいずれかが形成されている、
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記誘導突起部及び前記循環突起部は、クランク状を成している、
請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記誘導突起部及び前記循環突起部は、板状であって、さらに、平面視で、平板状または弓形状を成し、それぞれの主面が前記端子孔を向いて形成されている、
請求項５または６に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、パワーデバイスを含み、電力変換装置として用いられる。パワーデバイスは、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。半導体装置は、パワーデバイスを含む半導体チップと絶縁回路基板とを含む。このような絶縁回路基板がケースに収納されてケース内に封止部材が充填される（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開昭６１－１４８８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、封止部材は、半導体装置内で接する構成部品（例えば、ケースの内壁）を伝って半導体装置の上方に這い上がることがある。ケースの蓋部に、例えば、リードフレームが挿通する開口があれば、この開口から封止部材が染み出てしまうおそれがある。半導体装置から染み出した封止部材は周囲を汚してしまう。また、半導体装置の取り扱い時に取り扱い者が汚れてしまう。このため、半導体装置の取り扱い性が低下してしまうことが懸念される。
【０００５】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、封止部材の染み出しを防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、半導体モジュールと、前記半導体モジュールがおもて面に配置される基板と、前記基板の前記おもて面に、前記半導体モジュールを含む収納領域を前記基板と取り囲んで配置される側壁部と、前記側壁部上に配置され、前記収納領域を覆い、端子孔が開口され、前記収納領域に向かって突出する誘導突起部が内面に形成されている蓋部と、を含むケースと、前記収納領域に充填されて、前記半導体モジュールを封止する封止部材と、を備え、前記誘導突起部の突出端部が前記封止部材に接している、半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
開示の技術によれば、封止部材の染み出しを防止して、半導体装置の取り扱い性の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１の実施の形態の半導体装置の側断面図である。
第１の実施の形態の半導体装置の平面図である。
参考例の半導体装置における封止部材の這い上がりを説明する図である。
第１の実施の形態の半導体装置における封止部材の這い上がりを説明する図である。
第１の実施の形態の変形例１－１の半導体装置の平面図である。
第１の実施の形態の変形例１－２の半導体装置の平面図である。
第１の実施の形態の変形例１－３の半導体装置の平面図である。
第１の実施の形態の変形例１－４の半導体装置の平面図である。
第１の実施の形態の変形例１－５の半導体装置の平面図である。
第１の実施の形態の変形例１－６の半導体装置の平面図である。
第１の実施の形態の変形例１－７の半導体装置の平面図である。
第１の実施の形態の変形例１－８の半導体装置の平面図である。
第１の実施の形態の変形例１－９の半導体装置の平面図である。
第１の実施の形態の変形例１－１０の半導体装置の平面図である。
第２の実施の形態の半導体装置の側断面図である。
第２の実施の形態の変形例２－１の半導体装置の側断面図である。
第２の実施の形態の変形例２－２の半導体装置の側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、実施の形態について説明する。なお、以下の説明において、「おもて面」及び「上面」とは、図の半導体装置において、上側（＋Ｚ方向）を向いたＸ－Ｙ面を表す。同様に、「上」とは、図の半導体装置において、上側（＋Ｚ方向）の方向を表す。「裏面」及び「下面」とは、図の半導体装置において、下側（－Ｚ方向）を向いたＸ－Ｙ面を表す。同様に、「下」とは、図の半導体装置において、下側（－Ｚ方向）の方向を表す。必要に応じて他の図面でも同様の方向性を意味する。「おもて面」、「上面」、「上」、「裏面」、「下面」、「下」、「側面」は、相対的な位置関係を特定する便宜的な表現に過ぎず、本発明の技術的思想を限定するものではない。例えば、「上」及び「下」は、必ずしも地面に対する鉛直方向を意味しない。つまり、「上」及び「下」の方向は、重力方向に限定されない。また、以下の説明において「主成分」とは、８０ｖｏｌ％以上含む場合を表す。
【００１０】
［第１の実施の形態］
第１の実施の形態の半導体装置について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、第１の実施の形態の半導体装置の側断面図であり、図２は、第１の実施の形態の半導体装置の平面図である。なお、図１は、図２の一点鎖線Ｘ１－Ｘ１における断面図である。図２では、蓋部４２の内面に形成されている誘導突起部４３及び循環突起部４４の形成位置を破線で示している。
（【００１１】以降は省略されています）

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