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公開番号2023042440
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-03-27
出願番号2021149736
出願日2021-09-14
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H01L 21/336 20060101AFI20230317BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体ウエハの外周端縁を被覆する粘着テープをめっき成長工程後に剥離した場合の、粘着剤が半導体ウエハ上に残るいわゆる糊残りを防止する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウエハおもて面に第1電極層を形成する段階と、ウエハおもて面の外周領域に第3周期以上の元素の重イオンを注入する段階と、重イオンが注入された外周領域に酸化膜を形成する段階と、第1電極層上に第2電極層をめっきで形成する工程と、を備える。重イオンのドーズ量は1E15cm^-2以上であり、重イオンのウエハへの注入飛程深さは0.02μm以上でり、重イオンはAs、P又はArイオンである。
【選択図】図4B
特許請求の範囲【請求項１】
ウエハのおもて面に第１電極層を形成する段階と、
前記ウエハのおもて面の外周領域に第３周期以上の元素の重イオンを注入する段階と、
前記重イオンが注入された前記外周領域に酸化膜を形成する段階と、
前記第１電極層上に第２電極層をめっきで形成する工程と
を備える半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 820 文字）【請求項２】
前記重イオンのドーズ量は１Ｅ１５ｃｍ
－２
以上である
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記重イオンの前記ウエハへの注入飛程深さは０．０２μｍ以上である
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記重イオンはＡｓ、ＰまたはＡｒイオンである
請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記酸化膜の厚さは、８ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である
請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記酸化膜を形成する段階は、前記ウエハのおもて面にプラズマを照射する段階を有する
請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記酸化膜を形成する段階の前に、前記第１電極層上にレジストを形成する段階をさらに備え、
前記レジストは、前記プラズマの照射により除去される
請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記レジストの除去により露出した前記第１電極層の上面は、前記プラズマの照射によりデスカム処理される
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記レジストの厚さは２μｍ以上である
請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記レジストを形成する段階の前に、前記第１電極層上にパッシベーション膜を形成する段階をさらに備え、
前記レジストは、前記ウエハのおもて面において前記パッシベーション膜よりも内側に形成される
請求項７から９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 850 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体ウエハの外周端縁を被覆することによって電気絶縁を行うことにより、無電解ニッケルめっきに必要な絶縁部分を作製することが記載されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］特開２０１１－２１９５０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このように、半導体ウエハの外周端縁を被覆する粘着テープをめっき成長工程後に剥離すると、粘着剤が半導体ウエハ上に残る（いわゆる「糊残り」）という問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、ウエハのおもて面に第１電極層を形成する段階と、ウエハのおもて面の外周領域に第３周期以上の元素の重イオンを注入する段階と、重イオンが注入された外周領域に酸化膜を形成する段階と、第１電極層上に第２電極層をめっきで形成する工程とを備える半導体装置の製造方法を提供する。
【０００５】
イオンのドーズ量は１Ｅ１５ｃｍ
－２
以上であってよい。
【０００６】
重イオンのウエハへの注入飛程深さは０．０２μｍ以上であってよい。
【０００７】
重イオンはＡｓ、ＰまたはＡｒイオンであってよい。
【０００８】
酸化膜の厚さは、８ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であってよい。
【０００９】
酸化膜を形成する段階は、ウエハのおもて面にプラズマを照射する段階を有してよい。ここで、ウエハのおもて面にプラズマを照射するとは、ウエハのおもて面をプラズマにさらすことを含む。
【００１０】
製造方法は、酸化膜を形成する段階の前に、第１電極層上にレジストを形成する段階をさらに備え、レジストは、プラズマの照射により除去されてよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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