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公開番号2023015669
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-02-01
出願番号2021119587
出願日2021-07-20
発明の名称半導体装置
出願人サンケン電気株式会社
代理人
主分類H01L 21/338 20060101AFI20230125BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】電界集中を抑制しつつチップサイズを小型にした半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ソース電極の主部11aを挟むように互いに隣り合う制御電極(ゲート電極)の主部13aを接続する第1の接続部13bの外側において、主部11a上・ドレイン電極の主部12a上並びに主部13aを覆う絶縁膜下で主部12a同志を接続する接続部を有さず、絶縁膜上に設けられた接続配線を介して隣り合う主部12a同士を電気的に接続する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、第1の方向に延伸する第１の主電極と、
前記半導体基板上に設けられ、第１の方向と異なる第２の方向に延伸し、隣り合う第１の主電極の互いの一方の端を接続する第１の主電極の接続部と、
前記半導体基板上に設けられ、前記第１の主電極から離間して第1の方向に延伸する第２の主電極と、
前記半導体基板上に設けられ、前記第1の主電極と前記第２の主電極との間に形成された制御電極と、
前記半導体基板上に設けられ、第１の主電極の他方の端よりも外側であって、隣り合う制御電極の互いの一方の端を接続する制御電極の第１の接続部と、
半導体基板上に設けられ、前記第１の主電極の接続部と前記第２の主電極との間において、隣り合う制御電極の互いの他端を接続する制御電極の第２の接続部と、
前記第１の主電極上、前記第２の主電極上、並びに前記制御電極上に設けられた絶縁膜と、
前記第１の接続部の外側に隣り合う第２の主電極同志を接続する接続部を前記絶縁膜下に有さず、前記絶縁膜上に設けられた接続配線を介して隣り合う前記第２の主電極を電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
続きを表示（約 79 文字）【請求項２】
前記第2の主電極の第１の方向の長さは、前記第１の主電極の第１の方向の長さよりも短いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、半導体基板上に複数の主電極と複数の主電極間に制御電極を有する半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
ソース電極とドレイン電極が半導体基板上に互いに入り組んだ櫛型構造が、トランジスタの電極構造に採用されている。このトランジスタの電極構造では、櫛型形状のソース電極と、櫛型形状のドレイン電極と、それらの間を流れる電流を制御する制御電極とが配置されている。このような交差指状に配置された電極構造を有する横型半導体装置の耐圧を向上するために、種々の構造が提案されている。例えば、櫛型電極の直線部分の電極間の距離よりも先端部分の電極間の距離を広くすることで、電極の先端部分での電界集中を緩和する構造が提示されている(例えば、特許文献1参照。)。
また櫛型形状のソース電極と、ソース電極と交差指状に配置された櫛型形状のドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極２０との間に配置されたゲート電極とを備え、ソース電極の先端部分に沿って延伸するゲート電極の湾曲部分の曲率半径が、ソース電極の他の先端部分においてよりも、ソース電極の最外部の先端部分において大きい構造が提示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－９８２２２号公報
特開２０１７－１４７２６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ゲート電極の曲率半径を大きくすることで、半導体装置が大きくなってしまう。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電界集中を抑制しつつチップサイズを小型にした半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、１または複数の実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられ、第1の方向に延伸する第１の主電極と、半導体基板上に設けられ、第１の方向と異なる第２の方向に延伸し、隣り合う第１の主電極の互いの一方の端を接続する第１の主電極の接続部と、半導体基板上に設けられ、前記第１の主電極から離間して第1の方向に延伸する第２の主電極と、半導体基板上に設けられ、前記第1の主電極と第２の主電極との間に形成された制御電極と、半導体基板上に設けられ、第１の主電極の他方の端よりも外側であって隣り合う制御電極の互いの一方の端を接続する制御電極の第１の接続部と、半導体基板上に設けられ、第１の主電極の接続部と第２の主電極との間において隣り合う制御電極の互いの他端を接続する制御電極の第２の接続部と、第１の主電極上、第２の主電極上、並びに制御電極上に設けられた絶縁膜と、第１の接続部の外側に隣り合う第２の主電極同志を接続する接続部を絶縁膜下に有さず、絶縁膜上に設けられた接続配線を介して隣り合う第２の主電極を電気的に接続することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
上記構成によれば、電界集中を抑制しつつチップサイズを小型にした半導体装置を提供することできる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、１または複数の実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図２は、１または複数の実施形態に係る半導体装置の平面図の変形例である。
図３は、１または複数の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図面を参照しながら、１または複数の実施形態について詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付す場合がある。図面の記載は模式的なものであり、厚みと寸法の関係、各層の厚みの比率等は一例であり、発明の技術思想を限定するものではない。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる場合がある。以下の実施形態では、第１導電型がｎ型、第２導電型がｐ型の場合について例示的に説明するが、導電型を逆の関係に選択して、第１導電型がｐ型、第２導電型がｎ型の場合としてもよい場合がある。以下の説明で、部材の位置関係を説明する際に、「上部」、「下部」、「右側」、「左側」等は参照する図面の向きに基づいて必要に応じて使用されるが、発明の技術思想を限定するものではない。また、「上部」、「下部」、「右側」、「左側」等の説明は部材が接していなくて用いられる場合がある。
【００１０】
図１は半導体装置１の平面図である。半導体装置１は半導体基板１０上に、第１の主電極として例えばソース電極１１，第２の主電極として例えばドレイン電極１２が形成されている。更に、ソース電極１１とドレイン電極１２との間を流れる電流を制御する制御電極１３が半導体基板１０上に形成されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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