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公開番号2022139801
公報種別公開特許公報(A)
公開日2022-09-26
出願番号2021040340
出願日2021-03-12
発明の名称画像形成装置
出願人キヤノン株式会社
代理人特許業務法人中川国際特許事務所
主分類B41J 2/47 20060101AFI20220915BHJP(印刷;線画機;タイプライター;スタンプ)
要約【課題】光走査装置ごとの光量の補正精度の誤差を抑える。
【解決手段】半導体レーザから出射されたレーザビームを被走査体に対して長手方向にわたって偏向走査する光走査装置と、半導体レーザに供給する電流を加減するための光量補正部と、光量補正部による加減量を決める補正値を記憶した記憶部と、半導体レーザに供給する電流を光量補正部により加減することで、半導体レーザから出射されたレーザビームが被走査体において所定の光量となるよう光走査装置の発光制御を行う制御部と、を備え、光走査装置ごとに被走査体の長手方向の複数の位置にレーザビームを照射して光量を測定し、最小光量で測定した光量の最小値と最小光量から光量差を減じた光量で測定した光量の最大値の2点から、光走査装置ごとの電流と発光量の比例関係を示す補正線を生成し、補正線を用いて算出した補正値を、前記補正部が記憶した補正値とし、制御部は、光量補正部による加減量を、補正値により決定する。
【選択図】 図3
特許請求の範囲【請求項1】
レーザビームを出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから出射されたレーザビームを被走査体に対して長手方向にわたって偏向走査する回転多面鏡と、を有する光走査装置と、
前記半導体レーザから出射されたレーザビームが前記被走査体において所定の光量となるよう前記半導体レーザに供給する電流を加減するための光量補正部と、
前記光量補正部による加減量を決める補正値を記憶した記憶部と、
前記半導体レーザに供給する電流を前記光量補正部により加減することで、前記半導体レーザから出射されたレーザビームが前記被走査体において所定の光量となるよう前記光走査装置の発光制御を行う制御部と、
を備え、
光走査装置ごとに被走査体の長手方向の複数の位置に対して、最小光量に設定した前記光走査装置からのレーザビームを照射して光量を測定し、前記最小光量で測定した光量の最小値と最大値の光量差を前記最小光量から減じた光量に設定した前記光走査装置からのレーザビームを照射して光量を測定し、前記最小光量に設定して測定した光量の最小値と前記最小光量から前記光量差を減じた光量に設定して測定した光量の最大値の2点から、光走査装置ごとの電流と発光量の比例関係を示す補正線を生成し、前記補正線を用いて算出した補正値を、前記記憶部が記憶した補正値とし、
前記制御部は、前記光量補正部による加減量を、前記補正値により決定する、
ことを特徴とする画像形成装置。
続きを表示(約 210 文字)【請求項2】
前記補正線を用いてn次近似式(n≧2)から補正値を算出し、前記算出した補正値を前記記憶部が記憶した補正値とし、
前記光量補正部から出力する電流の加減量は、前記補正値により決定する、ことを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
【請求項3】
前記補正値を格納するための格納部を設け、前記補正値を前記格納部に格納した、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の画像形成装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体レーザからのレーザビームを回転多面鏡により被走査体に偏向走査する光走査装置を備えた画像形成装置に関するものである。
続きを表示(約 1,700 文字)【背景技術】
【0002】
従来、プリンタや複写機等の電子写真方式の画像形成装置に用いられる光走査装置は、半導体レーザから出射されたレーザビームを、回転多面鏡により偏向走査させ、被走査体である感光ドラムに照射している。感光ドラムに照射したレーザビームは、回転多面鏡の回転による感光ドラムの軸方向への主走査と、感光ドラムの回転による副走査に伴って、感光ドラムに静電潜像を形成している。
【0003】
このような光走査装置においては、半導体レーザから出射されるレーザビームの光量を一定に制御するために、APC(自動光量制御)方式が多く用いられている。この方式によって、半導体レーザを駆動する供給電流が安定的に制御され、画像ムラの発生を抑止することができる。
【0004】
しかしながら、近年では、画質の更なる向上が要求されており、光走査装置における半導体レーザの光量の厳密な制御が、以前にも増して求められている。例えば、規定光量とその規定光量の固定比率の光量(固定値)で求めた電流と発光量の比例関係を用いて、濃度(照明)ムラのある画像からムラを除く処理(シェーディング補正)を行っている。
【0005】
特許文献1では、規定光量とその規定光量の近傍の光量(固定値、規定光量の85%光量)で求めた電流と発光量の比例関係が、従来方式の規定光量とその規定光量から離れた光量(固定値、規定光量の1/2光量)で求めた比例関係よりも、実際のデバイスの非線形な電流-発光量特性により近似したものとなる。従って、特許文献1に記載の形態では、この電流でシェーディング補正を行うことにより、従来方式よりも、正確なシェーディング補正を行うことが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特開2011-034002号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、光走査装置のシェーディング補正量は、光走査装置ごとにバラツキを持つ。そのため、上記従来の技術のように、規定光量とその規定光量の固定比率の光量(固定値)で求めた電流と発光量の比例関係を用いて、光量の補正を行う構成では、光走査装置ごとに光量の補正精度に大きな誤差が生じてしまうおそれがある。図20(b)において、点c1が前記規定光量を指し、点c2が前記規定光量の85%光量(固定値)であり、前記規定光量の固定比率の光量を指す。
【0008】
図20(a)は、光走査装置から出射される光量の像高間バラツキを示すグラフ図である。ここで像高とは、光走査装置から出射されるレーザビームが走査される被走査体の主走査方向の位置のことである。図20(a)中の●印で示す光走査装置_No.1では最大補正光量Pmax_1が14.3%であるのに対し、○印で示す光走査装置_No.2では最大補正光量Pmax_2は6.5%である。これらの要因は、光走査装置を構成するVCSEL(半導体レーザ)やミラー等の光学部品のバラツキによるものである。
【0009】
図20(b)は特許文献1に記載の装置によるシェーディング補正の動作を説明するグラフ図である。図20(b)に示す実線部は半導体レーザの電流-発光量特性である。図20(b)に示す破線部は規定光量及びその電流値と補正光量(固定値、規定光量の85%光量)及びその電流値を結ぶ直線で、シェーディング補正値を求める補正線を示している。図20(b)に示すPmax_1は図20(a)に示す光走査装置_No.1の最大補正光量Pmax_1である。図20(b)に示すPmax_2は図20(a)に示す光走査装置_No.2の最大補正光量Pmax_2である。
【0010】
図20(a)に示す光走査装置_No.1では、所望の光量が点a1で示す最大補正光量である場合、図20(b)に破線で示す補正線に則って補正電流2で半導体レーザを駆動する。これにより、所望の光量Pmax_1(点a1)に近似した光量(点a2)となる。このため、補正精度は担保される。
(【0011】以降は省略されています)

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