TOP特許意匠商標
特許ウォッチ DM通知 Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2022138983
公報種別公開特許公報(A)
公開日2022-09-26
出願番号2021039176
出願日2021-03-11
発明の名称半導体装置
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人
主分類H01L 25/00 20060101AFI20220915BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】小型化および低コスト化すること。
【解決手段】半導体装置は、ベース基板の上面に搭載され、出力パッドを有する半導体チップと、前記ベース基板の上面に搭載され、一端が前記ベース基板に電気的に接続された第1容量性部品と、前記ベース基板上に設けられ、前記半導体チップおよび前記第1容量性部品を囲む誘電体の枠体と、前記枠体上に設けられた出力端子と、前記枠体の上面に設けられた配線パターンと、前記出力パッドと前記出力端子とを電気的に接続する第1ボンディングワイヤと、前記第1容量性部品の他端と前記配線パターン内の第1領域とを電気的に接続する第2ボンディングワイヤと、前記出力パッドと前記配線パターン内の前記第1領域と異なる第2領域とを電気的に接続する第3ボンディングワイヤと、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項1】
ベース基板の上面に搭載され、出力パッドを有する半導体チップと、
前記ベース基板の上面に搭載され、一端が前記ベース基板に電気的に接続された第1容量性部品と、
前記ベース基板上に設けられ、前記半導体チップおよび前記第1容量性部品を囲む誘電体の枠体と、
前記枠体上に設けられた出力端子と、
前記枠体の上面に設けられた配線パターンと、
前記出力パッドと前記出力端子とを電気的に接続する第1ボンディングワイヤと、
前記第1容量性部品の他端と前記配線パターン内の第1領域とを電気的に接続する第2ボンディングワイヤと、
前記出力パッドと前記配線パターン内の前記第1領域と異なる第2領域とを電気的に接続する第3ボンディングワイヤと、
を備える半導体装置。
続きを表示(約 1,300 文字)【請求項2】
前記半導体チップを挟み前記出力端子と対向する前記枠体上に設けられ、前記半導体チップの入力パッドと電気的に接続された入力端子を備え、
前記第2ボンディングワイヤの延伸する方向と、前記入力端子、前記半導体チップおよび前記出力端子の配列する方向と、の角度は30°以上である請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記半導体チップは、高周波信号を増幅し前記出力パッドに出力し、
前記半導体チップが増幅する高周波信号の周波数における、前記第2ボンディングワイヤ、前記第3ボンディングワイヤおよび前記配線パターンの合計のインピーダンスの絶対値は、前記半導体チップが増幅する高周波信号の帯域幅に相当する周波数における、前記第1容量性部品のインピーダンスの絶対値より大きい請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
ベース基板の上面に搭載され、出力パッドを有する半導体チップと、
前記ベース基板の上面に搭載され、一端が前記ベース基板に電気的に接続された第1容量性部品と、
前記ベース基板上に設けられ、前記半導体チップおよび前記第1容量性部品を囲む誘電体の枠体と、
前記枠体上に設けられた出力端子と、
前記枠体の上面に設けられ、前記枠体上において前記出力端子と電気的に接続された配線パターンと、
前記出力パッドと前記出力端子とを電気的に接続する第1ボンディングワイヤと、
前記第1容量性部品の他端と前記配線パターンの領域とを電気的に接続する第2ボンディングワイヤと、
を備える半導体装置。
【請求項5】
前記半導体チップは、高周波信号を増幅し前記出力パッドに出力し、
前記半導体チップが増幅する高周波信号の周波数における、前記第2ボンディングワイヤおよび前記配線パターンの合計のインピーダンスの絶対値は、前記半導体チップが増幅する高周波信号の帯域幅に相当する周波数における、前記第1容量性部品のインピーダンスの絶対値より大きい請求項4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記枠体上に設けられ、前記半導体チップの入力パッドと電気的に接続された入力端子を備える請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記配線パターンと電気的に接続され、外付け容量性部品と接続するための外部端子を備える請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第1ボンディングワイヤは、前記ベース基板上に搭載された他の容量性部品に接続されず、前記出力パッドと前記出力端子とを接続する請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記ベース基板の上面に搭載され、一端が前記ベース基板に電気的に接続された第2容量性部品を備え、
前記第1ボンディングワイヤは、前記出力パッドと前記第2容量性部品の他端とを電気的に接続する第4ボンディングワイヤと、前記第2容量性部品の他端と前記出力端子とを電気的に接続する第5ボンディングワイヤと、を含む請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 2,400 文字)【背景技術】
【0002】
マイクロ波の高出力増幅器として、FET(Field Effect Transistor)等のトランジスタが設けられた半導体チップをパッケージに実装された増幅器が知られている。パッケージ内に実装された容量性部品とボンディングワイヤを用い増幅器の出力整合回路やビデオバイパス回路等の受動回路を形成することが知られている(例えば特許文献1~4、非特許文献1および2)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2014-96497号公報
特表2006-501678号公報
欧州特許出願公開第3273596号明細書
特開2018-101975号公報
【非特許文献】
【0004】
Hussain Ladhani et.al. “Analysis of the Baseband Termination of High Power RF Transistors” 2019 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium
Ning Zhu et.al. “Compact High-Efficiency High-Power Wideband GaN Amplifier Supporting 395 MHz Instantaneous Bandwidth” 2019 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
半導体チップの出力パッドとグランドとの間にインダクタとキャパシタを直列に接続する場合、ベース基板上に容量性部品を搭載し、容量性部品と半導体チップの出力とをボンディングワイヤを用い接続する。しかしながら、インダクタンスを大きくしようとすると、ボンディングワイヤが長くなりパッケージが大型化してしまう。特許文献1の例えば図13のように、インダクタの一部を配線部品を用いて形成することが考えられる。しかしながら、マイクロストリップライン等の配線部品を内部に搭載するとパッケージが大型化する。また製造コストが増加する。
【0006】
本開示は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型化および低コスト化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の一実施形態は、ベース基板の上面に搭載され、出力パッドを有する半導体チップと、前記ベース基板の上面に搭載され、一端が前記ベース基板に電気的に接続された第1容量性部品と、前記ベース基板上に設けられ、前記半導体チップおよび前記第1容量性部品を囲む誘電体の枠体と、前記枠体上に設けられた出力端子と、前記枠体の上面に設けられた配線パターンと、前記出力パッドと前記出力端子とを電気的に接続する第1ボンディングワイヤと、前記第1容量性部品の他端と前記配線パターン内の第1領域とを電気的に接続する第2ボンディングワイヤと、前記出力パッドと前記配線パターン内の前記第1領域と異なる第2領域とを電気的に接続する第3ボンディングワイヤと、を備える半導体装置である。
【0008】
本開示の一実施形態は、ベース基板の上面に搭載され、出力パッドを有する半導体チップと、前記ベース基板の上面に搭載され、一端が前記ベース基板に電気的に接続された第1容量性部品と、前記ベース基板上に設けられ、前記半導体チップおよび前記第1容量性部品を囲む誘電体の枠体と、前記枠体上に設けられた出力端子と、前記枠体の上面に設けられ、前記枠体上において前記出力端子と電気的に接続された配線パターンと、前記出力パッドと前記出力端子とを電気的に接続する第1ボンディングワイヤと、前記第1容量性部品の他端と前記配線パターンの領域とを電気的に接続する第2ボンディングワイヤと、を備える半導体装置である。
【発明の効果】
【0009】
本開示によれば、小型化および低コスト化することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
図1は、実施例1に係る半導体装置を有する増幅器の回路図である。
図2は、実施例1に係る半導体装置の回路図である。
図3は、実施例1に係る半導体装置の平面図である。
図4は、図3のA-A断面図である。
図5は、図3のB-B断面図である。
図6は、図3のC-C断面図である。
図7は、比較例1に係る半導体装置の平面図である。
図8は、比較例2に係る半導体装置の平面図である。
図9は、実施例1の変形例1に係る半導体装置の回路図である。
図10は、実施例1の変形例1に係る半導体装置の平面図である。
図11は、実施例1の変形例2に係る半導体装置の平面図である。
図12は、実施例1の変形例3に係る半導体装置の平面図である。
図13は、実施例1の変形例4に係る半導体装置の平面図である。
図14は、実施例1の変形例5におけるVBW回路を示す回路図である。
図15は、実施例1の変形例6におけるVBW回路を示す回路図である。
図16は、実施例1の変形例6に係る半導体装置の平面図である。
図17は、実施例1の変形例7におけるVBW回路を示す回路図である。
図18は、実施例1の変形例8におけるVBW回路を示す回路図である。
図19は、実施例1の変形例8に係る半導体装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

個人
亜鉛金属電池
9日前
個人
塩化亜鉛電池
9日前
日立金属株式会社
ケーブル
22日前
株式会社NSC
スイッチ装置
1日前
ショット日本株式会社
保護素子
1日前
株式会社東光高岳
開閉器
15日前
日星電気株式会社
多芯ケーブル
15日前
日新イオン機器株式会社
イオン源
22日前
富士電機株式会社
半導体装置
22日前
三菱電機株式会社
回路遮断器
15日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
16日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
17日前
株式会社クオルテック
キャパシタ電池
16日前
株式会社FLOSFIA
電子部品装置
16日前
株式会社村田製作所
コイル部品
22日前
株式会社ダイヘン
変圧器
2日前
住友電装株式会社
端子台
17日前
日機装株式会社
半導体発光素子
25日前
日新イオン機器株式会社
ウエハ支持装置
25日前
竹内工業株式会社
ノイズ吸収装置
17日前
日新イオン機器株式会社
ウエハ支持装置
16日前
三菱電機株式会社
電力用開閉装置
9日前
日新イオン機器株式会社
ウエハ搬送装置
17日前
住友電装株式会社
コネクタ
18日前
株式会社ファンタジスタ
カバー部材
4日前
株式会社ダイヘン
ボビン治具
18日前
澁谷工業株式会社
ボンディング装置
2日前
AGC株式会社
アンテナ装置
17日前
日本航空電子工業株式会社
電子機器
16日前
トヨタ自動車株式会社
電池システム
1日前
河村電器産業株式会社
電路遮断装置
22日前
日本高圧電気株式会社
開閉器
25日前
三菱電機株式会社
半導体装置
18日前
日東電工株式会社
スイッチ装置
24日前
TDK株式会社
バラントランス
16日前
株式会社半導体エネルギー研究所
正極活物質
9日前
続きを見る