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公開番号2022137839
公報種別公開特許公報(A)
公開日2022-09-22
出願番号2021037524
出願日2021-03-09
発明の名称半導体発光装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/042 20060101AFI20220914BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】出力立ち上がり特性を向上させること。
【解決手段】半導体発光装置10は、ループ状に直列に接続された半導体発光素子22、スイッチング素子24、および第1キャパシタ26と、半導体発光素子22に並列に接続された第2キャパシタ32とを含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
ループ状に直列に接続された半導体発光素子、スイッチング素子、および第1キャパシタと、
前記半導体発光素子に並列に接続された第2キャパシタと、
を備える半導体発光装置。
続きを表示(約 860 文字)【請求項2】
前記第1キャパシタは、前記半導体発光素子と前記スイッチング素子との直列回路に並列に接続されている、請求項1に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記半導体発光素子に並列に逆接続された保護ダイオードを備える請求項1または2に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
前記スイッチング素子は、前記半導体発光素子と前記第1キャパシタとの直列回路に並列に接続されており、
前記半導体発光素子に並列に逆接続された保護ダイオードを備える請求項1に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記第2キャパシタの容量値が前記第1キャパシタの容量値の1/100以下に設定されている、請求項1~4のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記第1キャパシタの容量値が10nF以上10μF以下に設定されており、
前記第2キャパシタの容量値が50pF以上10nF以下に設定されている、請求項1~5のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記第2キャパシタに並列に接続された抵抗をさらに備える請求項1~6のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項8】
前記抵抗の抵抗値が200Ω以上10kΩ以下に設定されている、請求項7に記載の半導体発光装置。
【請求項9】
前記半導体発光素子および前記第2キャパシタによって形成される電流ループ内の寄生インダクタンスの値が、前記半導体発光素子、前記スイッチング素子、および前記第1キャパシタによって形成される電流ループ内の寄生インダクタンスの値の2倍以下に設定されている、請求項1~8のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項10】
前記半導体発光素子が垂直共振器型面発光レーザである、請求項1~9のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体発光装置に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)【背景技術】
【0002】
半導体発光装置は、半導体発光素子を光源として備えている。半導体発光素子の代表的な例は、垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)などのレーザダイオード、および発光ダイオード(LED)などである。特許文献1は、LEDを基板上に搭載した半導体発光装置を記載している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2013-41866号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体発光装置は、半導体発光素子を駆動する例えばスイッチング素子およびキャパシタなどを含む。このため、半導体発光素子を含む回路の配線経路上には寄生インダクタンスが存在する。寄生インダクタンスは、半導体発光素子の出力特性、特に出力立ち上がり特性に影響を及ぼし得る。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様による半導体発光装置は、ループ状に直列に接続された半導体発光素子、スイッチング素子、および第1キャパシタと、前記半導体発光素子に並列に接続された第2キャパシタとを備える。
【発明の効果】
【0006】
本開示の半導体発光装置によれば、出力立ち上がり特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
図1は、第1実施形態にかかる例示的な半導体発光装置の概略回路図である。
図2は、図1の半導体発光装置の第1動作モードを説明する概略回路図である。
図3は、図1の半導体発光装置の第1動作モードと第2動作モードを説明する概略回路図である。
図4は、図1の半導体発光装置の第3動作モードを説明する概略回路図である。
図5は、図1の半導体発光装置における半導体発光装置の出力波形を比較例とともに概略的に示すグラフである。
図6は、第2実施形態にかかる例示的な半導体発光装置の概略回路図である。
図7は、第2キャパシタの容量値に応じた半導体発光装置の出力波形を示すグラフである。
図8は、第3電流ループ内の寄生インダクタンスの値と半導体発光装置の出力立ち上がり特性との関係を示すグラフである。
図9は、第3実施形態にかかる例示的な半導体発光装置の概略斜視図である。
図10は、図9の半導体発光装置の平面図である。
図11は、図9の半導体発光装置の側面図である。
図12は、ケースを取り除いた状態の図9の半導体発光装置の平面図である。
図13は、図12の半導体発光装置の基板の底面側の透視図である。
図14は、図10の14-14線断面図である。
図15は、図10の15-15線断面図である。
図16は、図10の16-16線断面図である。
図17は、変更例の半導体発光装置の概略回路図である。
図18は、他の変更例の半導体発光装置の概略回路図である。
図19は、さらに他の変更例の半導体発光装置の概略回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置の実施形態を説明する。
なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチングが省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0009】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【0010】
[第1実施形態]
図1~図5を参照して第1実施形態にかかる半導体発光装置10について説明する。
図1は、第1実施形態にかかる例示的な半導体発光装置10を示す概略回路図である。
(【0011】以降は省略されています)

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