TOP特許意匠商標
特許ウォッチ DM通知 Twitter
公開番号2022112336
公報種別公開特許公報(A)
公開日2022-08-02
出願番号2021008136
出願日2021-01-21
発明の名称発光装置のリッド
出願人株式会社大真空
代理人
主分類H01L 33/48 20100101AFI20220726BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】接合材となる金属ろう材の接合性能を低下させず、発光装置の透光性を有するリッド本体を用いる場合、リッド剥離や気密不良を生じさせない好適な下地膜を有するリッドを得る。
【解決手段】発光装置Aは基板1と断面形状が逆凹形状のリッド2および発光素子となるLED素子3により構成され、基板とリッドが金属ろう材で接合される。リッド2には下地層が設けられ、下地層の第2群層にはNi合金膜、Ni拡散抑制膜およびAu膜を含む積層構造を有している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
LEDをパッケージ内に金属ろう材により封止してなる発光装置のリッドであって、
透光性を有するリッド本体と、前記リッド本体の封止面に形成される下地膜とを含み、
前記下地膜は、前記リッド本体の上に直接形成される第1群層と、前記第1群層の上に形成される第2群層とを含んでおり、
前記第1群層は、膜厚20~700nmのTi膜を含む構造を有し、
前記第2群層は、前記第1群層に近い側から順に積層されたNi合金膜、Ni拡散抑制膜およびAu膜を含む積層構造を有していることを特徴とする発光装置のリッド。
続きを表示(約 140 文字)【請求項2】
前記Au膜の上面に金属ろう材が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置のリッド。
【請求項3】
前記第2群層のNi拡散抑制膜の上部に前記Au膜と金属ろう材の合金膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置のリッド。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、LED(Light Emitting Diode)を備えた発光装置に使用されるリッドに関する。
続きを表示(約 1,300 文字)【背景技術】
【0002】
LEDを用いる発光装置においては、LEDをパッケージの内部に封止して信頼性を高めた構造が一般的に知られている。具体的な構造例としては、LEDをパッケージ基台(例えばセラミックパッケージ)のキャビティ内に格納し、パッケージ基台のキャビティ開口をリッドによって封止する構造が挙げられる。
【0003】
このような構造では、リッドはLEDの照射光に対して透過性を有する必要がある。LEDが深紫外線を照射する深紫外用LEDである場合、従来、リッドには石英ガラスの使用が好適とされていた。また、リッドに水晶を使用するものに関して本出願人から提案されていた。(特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
PCT/JP2020/026073
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記特許文献においては、発光装置のリッドに水晶などを用いる場合に、リッドの剥離や気密不良を生じさせない、好適な下地膜を有するリッドを得ることができた。しかしながら、Ni合金膜におけるNiが発光装置の使用環境によっては上層のAu膜に拡散し、Au膜表面にNi酸化物を形成することがあった。
【0006】
このような場合、パッケージとリッドを接合する金属ろう材、例えばAu-Sn合金の濡れ性が低下し、リッドの封止性能を低下させることがあった。
【0007】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、接合材となる金属ろう材の接合性能を低下させず、かつ発光装置の透光性を有するリッド本体を用いる場合に、リッド剥離や気密不良を生じさせない好適な下地膜を有するリッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記の課題を解決するために、本発明の第1の態様である発光装置のリッドは、LEDをパッケージ内に金属ろう材により封止してなる発光装置に用いられるリッドであって、透光性を有するリッド本体と、前記リッド本体の封止面に形成される下地膜とを含み、前記下地膜は、前記リッド本体の上に直接形成される第1群層と、前記第1群層の上に形成される第2群層とを含んでおり、前記第1群層は、膜厚20~700nmのTi膜を含む構造を有し、前記第2群層は、前記第1群層に近い側から順に積層されたNi合金膜、Ni拡散抑制膜およびAu膜を含む積層構造を有していることを特徴としている。
【0009】
上記の構成によれば、Ni合金膜と最上層のAu膜の間にNi拡散抑制膜が介在しているため、Niが最上層のAu膜に拡散することが抑制され、最上層であるAu膜表面にNi酸化物を形成されることがなくなる。結果として、接合材となる金属ろう材の接合性能を低下させず、発光装置の透光性を有するリッド本体を用いる場合に、リッド剥離や気密不良を生じさせない好適な下地膜を有するリッドを得ることができる。
【0010】
また、上記リッドにおいて、前記第1群層に含まれる前記Ti膜は、膜厚200~300nmのTi膜である構成とすることができる。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

個人
電磁石
1日前
個人
押圧検知器
1日前
個人
正極及び蓄電池
4日前
個人
放射状アレーアンテナ
1日前
日星電気株式会社
アンテナ
4日前
住友理工株式会社
熱スイッチ
15日前
三菱電機株式会社
遮断器
8日前
エイブリック株式会社
半導体装置
15日前
富士通株式会社
電力合成器
1日前
個人
Wi-Fiルーターアンテナ
4日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
4日前
株式会社GSユアサ
蓄電素子
1日前
株式会社GSユアサ
蓄電素子
1日前
オムロン株式会社
電磁継電器
15日前
オムロン株式会社
電磁継電器
4日前
株式会社GSユアサ
蓄電素子
8日前
オムロン株式会社
キー入力装置
15日前
日立金属株式会社
端子接続構造
今日
日本電子株式会社
荷電粒子ビーム装置
今日
三菱マテリアル株式会社
避雷器
8日前
三菱マテリアル株式会社
避雷器
8日前
株式会社村田製作所
コイル部品
15日前
株式会社フジクラ
ワイヤハーネス
15日前
住友電気工業株式会社
半導体装置
4日前
電気興業株式会社
アレーアンテナ
4日前
日立金属株式会社
高周波用給電線
8日前
オムロン株式会社
電磁継電器
15日前
トヨタ紡織株式会社
接合構造
15日前
オムロン株式会社
電磁継電器
15日前
オムロン株式会社
電磁継電器
15日前
オムロン株式会社
電磁継電器
15日前
石福金属興業株式会社
白金ペースト
8日前
日立金属株式会社
信号伝送ケーブル
4日前
三菱電機株式会社
マイクロ波終端器
15日前
オムロン株式会社
電磁継電器
1日前
因幡電機産業株式会社
情報通信装置
9日前
続きを見る