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公開番号2022090280
公報種別公開特許公報(A)
公開日2022-06-17
出願番号2020202573
出願日2020-12-07
発明の名称半導体装置
出願人サンケン電気株式会社
代理人
主分類H01L 23/50 20060101AFI20220610BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の内部でショート不良が発生しない構造を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、金属板2と、金属板の上面に薄接合層4を介して搭載される電子部品5と、金属板と電子部品の搭載部を覆う封止樹脂6と、で構成されている。金属板は、その上面に電子部品の外周縁が内周と外周との間に位置する枠状の溝部3が形成される。薄接合層は、電子部品より面積が小さく、溝部の内側に備えられる。溝部には封止樹脂のみが充填されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
金属板と、金属板の上面に薄接合層を介して搭載される電子部品と、金属板と電子部品の搭載部を覆う封止樹脂と、で構成される半導体装置において、金属板は、その上面に電子部品の外周縁が内周と外周との間に位置する枠状の溝部が形成され、薄接合材は電子部品より面積が小さく溝部の内側に備えられ、溝部には封止樹脂のみが充填されていることを特徴とする半導体装置。
続きを表示(約 260 文字)【請求項2】
金属板は、リードフレーム、セラミック絶縁基板、樹脂絶縁基板のいずれかの金属回路パターンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
電子部品は、半導体素子、スペーサ、および、その組み合わせであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
溝部は、金属板の表面での開口幅が深さよりも大きく、薄接合層の厚みの1 / 2 以上の深さを有し、ハーフエッチングで形成されたことを特徴とする請求項1ないし請求項3に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関し、特に金属板に半導体素子を搭載し樹脂成形する半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,200 文字)【背景技術】
【0002】
一般的な半導体装置は、金属板(基板、フレーム、ベース等)に半導体素子を接着材(はんだ、銀ペースト、樹脂ペースト等)で接合し、モールド樹脂でパッケージ外形を形成している。
【0003】
近年は、半導体装置の高放熱化・薄厚型の要求があり、素子が搭載されるベースとなる部材は放熱性のよい金属板や基板が使われ、内蔵部品でも小型化・薄型化の必要性がある。この高放熱型半導体装置では、モールド樹脂の吸湿・膨張等による樹脂剥離を防止することが知られている。
【0004】
例えば、特許文献1には、金属部材、ターミナル、素子が半田で接合され、これらを覆う樹脂で構成された半導体装置において、プライマ層と剥離抑制手段を用いた技術が開示されている。これにより、金属部材と樹脂部の剥離を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2015-126119号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、従来技術は、チップ全面を接着材(はんだ)で接合するにはよいが、素子接合面の外周に保護膜が存在する場合、また、外周部でのはんだ濡れ不足が発生する場合に、金属板と素子間に狭い隙間が発生する。
【0007】
例えば、半導体装置では、金属板と素子間に狭い隙間があり、この距離が短いために樹脂が入り込まずに未充填になる場合が考えられる。この時、チップエッジと金属板(パターン)が狭い(例えば55ミクロン)ので、空間で放電しショート不良が発生する懸念がある。また、異物(例えば、ナノAgカス)が詰まりやすく絶縁ショートの可能性が高い構造といえる。
【0008】
従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、半導体装置の内部でショート不良が発生しない構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上述の課題を解決するために、本発明は、以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体装置は、金属板と、金属板の上面に薄接合層を介して搭載される電子部品と、金属板と電子部品の搭載部を覆う封止樹脂とで構成されている。金属板は、その上面に電子部品の外周縁が内周と外周との間に位置する枠状の溝部が形成され、薄接合材は電子部品より面積が小さく溝部の内側に備えられ、溝部には封止樹脂のみが充填されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、溝部を設け、モールド樹脂が入り込むことにより、金属板とモールド樹脂とを強固に接合でき、金属板と電子部品との絶縁距離を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)

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