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公開番号2022074290
公報種別公開特許公報(A)
公開日2022-05-18
出願番号2020184220
出願日2020-11-04
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/48 20060101AFI20220511BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】実装される配線基板上の配線を単純化できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A1は、スイッチング素子であり、かつ、素子主面6aに配置された第1電極61および第2電極62を各々が有する半導体素子601,602と、半導体素子601が搭載される第1リード1と、半導体素子602が搭載される第2リード2と、半導体素子601,602を覆う封止樹脂8と、リード1,2に対して、y方向に離間して配置され、封止樹脂8から露出し、半導体素子601,602の各第1電極61に導通する第3リード31と、y方向において、リード1,2に対して、第3リード31とは反対側に離間して配置され、封止樹脂8から露出し、半導体素子601の第2電極62に導通する第5リード41と、第5リード41と同じ側に離間して配置され、封止樹脂8から露出し、半導体素子602の第2電極62に導通する第6リード42とを備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項1】
スイッチング素子であり、かつ、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された第1電極および第2電極と、を各々が有する第1半導体素子および第2半導体素子と、
前記第1半導体素子が搭載され、かつ、前記第1半導体素子に導通する第1リードと、
前記第2半導体素子が搭載され、かつ、前記第2半導体素子に導通する第2リードと、
前記第1半導体素子および前記第2半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記第1リードおよび前記第2リードに対して、前記厚さ方向に直交する第1方向に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第1半導体素子の第1電極に導通する第1端子と、
前記第1方向において、前記第1リードおよび前記第2リードに対して、前記第1端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第2半導体素子の第1電極に導通する第2端子と、
前記第1方向において、前記第1リードおよび前記第2リードに対して、前記第1端子とは反対側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第1半導体素子の第2電極に導通する第3端子と、
前記第1方向において、前記第1リードおよび前記第2リードに対して、前記第3端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第2半導体素子の第2電極に導通する第4端子と、
を備えている、半導体装置。
続きを表示(約 1,200 文字)【請求項2】
前記封止樹脂は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第1端子および前記第2端子が露出する第1樹脂側面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第3端子および前記第4端子が露出する第2樹脂側面とを備えている、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第1リードは、前記第1樹脂側面から露出し、
前記第2リードは、前記第2樹脂側面から露出している、
請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第1リードは、前記第1半導体素子が搭載される第1ダイパッド部を備え、
前記第2リードは、前記第2半導体素子が搭載される第2ダイパッド部を備え、
前記第1ダイパッド部および前記第2ダイパッド部は、前記樹脂裏面から露出している、
請求項2または3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1リードは、前記第1ダイパッド部につながる第1リード端子部をさらに備え、
前記第2リードは、前記第2ダイパッド部につながる第2リード端子部をさらに備え、
前記第1リード端子部および前記第2リード端子部は、前記樹脂裏面から露出している、
請求項4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第1リード端子部は、前記第1樹脂側面から露出する第1端子部端面を備え、
前記第2リード端子部は、前記第2樹脂側面から露出する第2端子部端面を備え、
前記第1端子部端面は、前記第1樹脂側面と面一であり、
前記第2端子部端面は、前記第2樹脂側面と面一である、
請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第1半導体素子の前記第1電極および前記第2半導体素子の前記第1電極に導通する第3リードをさらに備え、
前記第3リードが、前記第1端子および前記第2端子を兼ねている、
請求項2ないし6のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第3リードは、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第3リード主面および第3リード裏面と、前記第3リード主面および前記第3リード裏面につながり、かつ、前記第1樹脂側面から露出する第3リード端面と、を備えている、
請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第3リード端面は、前記第1樹脂側面によって隔てられた2個の部位からなる、
請求項8に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第3リード裏面の形状は、U字形状である、
請求項8または9に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体素子を搭載した半導体装置に関する。
続きを表示(約 2,500 文字)【背景技術】
【0002】
電気自動車やハイブリッド自動車などに使用されているインバータ装置は、たとえばMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)やIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などのスイッチング素子と、これを駆動するためのゲートドライバ回路とを備えている。ゲートドライバ回路は、駆動素子と、駆動素子が出力する駆動信号を増幅して、スイッチング素子に出力するバッファ回路とを備えている。バッファ回路には、NPN型のバイポーラトランジスタとPNP型のバイポーラトランジスタとを備え、両者のベース電極同士を接続し、また、両者のエミッタ電極同士を接続して用いるものがある。ゲートドライバ回路の小型化のために、バッファ回路に含まれる各部品の小型化が期待されている。NPN型のバイポーラトランジスタである半導体素子とPNP型のバイポーラトランジスタである半導体素子とをリードフレームに搭載して封止樹脂で覆った半導体装置を用いることで、ゲートドライバ回路の小型化に寄与できる。
【0003】
特許文献1には、2個のバイポーラトランジスタを備える半導体装置が開示されている。当該半導体装置は、第1トランジスタ素子および第2トランジスタ素子と、リードフレームと封止樹脂とを備えている。当該半導体装置は、第1トランジスタ素子のベース電極に導通するリード、第1トランジスタ素子のコレクタ電極に導通するリード、および、第2トランジスタ素子のコレクタ電極に導通するリードが、封止樹脂の一方の側面から露出している。また、当該半導体装置は、第1トランジスタ素子のエミッタ電極に導通するリード、第2トランジスタ素子のベース電極に導通するリード、および、第2トランジスタ素子のエミッタ電極に導通するリードが、封止樹脂の反対側の側面から露出している。この場合、半導体装置を配線基板に実装して、配線基板上の配線で、両者のベース電極同士を接続し、また、両者のエミッタ電極同士を接続する場合、複雑な配線が必要になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2002-64106号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、実装される配線基板上の配線を単純化できる半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示によって提供される半導体装置は、スイッチング素子であり、かつ、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された第1電極および第2電極と、を各々が有する第1半導体素子および第2半導体素子と、前記第1半導体素子が搭載され、かつ、前記第1半導体素子に導通する第1リードと、前記第2半導体素子が搭載され、かつ、前記第2半導体素子に導通する第2リードと、前記第1半導体素子および前記第2半導体素子を覆う封止樹脂と、前記第1リードおよび前記第2リードに対して、前記厚さ方向に直交する第1方向に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第1半導体素子の第1電極に導通する第1端子と、前記第1方向において、前記第1リードおよび前記第2リードに対して、前記第1端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第2半導体素子の第1電極に導通する第2端子と、前記第1方向において、前記第1リードおよび前記第2リードに対して、前記第1端子とは反対側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第1半導体素子の第2電極に導通する第3端子と、前記第1方向において、前記第1リードおよび前記第2リードに対して、前記第3端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第2半導体素子の第2電極に導通する第4端子と、を備えている。
【発明の効果】
【0007】
本開示によると、半導体装置が実装される配線基板上の配線を単純化できる。
【0008】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0009】
本開示の第1実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。
図1の半導体装置を示す斜視図であって、底面側を上側にした状態の図である。
図1の半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過して示している。
図1の半導体装置を示す底面図である。
図3のV-V線に沿う断面図である。
図3のVI-VI線に沿う断面図である。
図1の半導体装置を示す回路図である。
図1の半導体装置の配線基板への実装状態を示す図である。
本開示の第2実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。
本開示の第3実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。
図10の半導体装置を示す底面図である。
本開示の第4実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。
本開示の第5実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。
本開示の第6実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。
本開示の第7実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。
本開示の第8実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。
本開示の第9実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。
本開示の第10実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。
図18の半導体装置の配線基板への実装状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
(【0011】以降は省略されています)

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