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公開番号2022070484
公報種別公開特許公報(A)
公開日2022-05-13
出願番号2020179575
出願日2020-10-27
発明の名称発光装置
出願人日亜化学工業株式会社
代理人
主分類H01L 33/46 20100101AFI20220506BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】順方向電圧の上昇を抑えつつ、光取り出し効率を向上できる発光装置を提供する。
【解決手段】第1導電型半導体層11と、発光層12と、第2導電型半導体層13と、を備える半導体積層体10であって、第2導電型半導体層、発光層、および、第1導電型半導体層に連続し、底面の少なくとも一部が第1導電型半導体層である第1凹部10aを有する半導体積層体と、平面視において、第1凹部における底面の中央部を含む領域に設けられた第1絶縁膜41と、第1凹部に設けられ、第1凹部の底面において第1絶縁膜から露出する第1導電型半導体層と接する第1コンタクト部23aと、第1絶縁膜を露出させる開口部23bと、を有する第1電極23と、第2導電型半導体層上に設けられ、第2導電型半導体層に接する第2電極と、第1電極の開口部に設けられ、発光層から出射される光の波長に対する反射率が第1電極よりも高い光反射部材5と、を備えた発光装置。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項1】
第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層に設けられた発光層と、前記発光層に設けられた第2導電型半導体層と、を備える半導体積層体であって、前記第2導電型半導体層、前記発光層、および、前記第1導電型半導体層に連続し底面の少なくとも一部が前記第1導電型半導体層である第1凹部を複数有する前記半導体積層体と、
平面視において、前記第1凹部における前記底面の中央部を含む領域に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1凹部に設けられ、前記第1凹部の前記底面において前記第1絶縁膜から露出する前記第1導電型半導体層と接する第1コンタクト部と、前記第1絶縁膜を露出させる開口部と、を有する第1電極と、
前記第2導電型半導体層上に設けられ、前記第2導電型半導体層に接する第2電極と、
前記第1電極の前記開口部に設けられ、前記発光層から出射される光の波長に対する反射率が前記第1電極よりも高い光反射部材と、を備えた発光装置。
第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層に設けられた発光層と、前記発光層に設けられた第2導電型半導体層と、を備える半導体積層体であって、前記第2導電型半導体層、前記発光層、および、前記第1導電型半導体層に連続し底面の少なくとも一部が前記第1導電型半導体層である第1凹部を有する前記半導体積層体と、
平面視において、前記第1凹部における前記底面の中央部を含む領域に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1凹部に設けられ、前記第1凹部の前記底面において前記第1絶縁膜から露出する前記第1導電型半導体層と接する第1コンタクト部と、前記第1絶縁膜を露出させる開口部と、を有する第1電極と、
前記第2導電型半導体層上に設けられ、前記第2導電型半導体層に接する第2電極と、
前記第1電極の前記開口部に設けられ、前記発光層から出射される光の波長に対する反射率が前記第1電極よりも高い光反射部材と、を備えた発光装置。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層に設けられた発光層と、前記発光層に設けられた第2導電型半導体層と、を備える半導体積層体であって、前記第2導電型半導体層、前記発光層、および、前記第1導電型半導体層に連続し底面の少なくとも一部が前記第1導電型半導体層である第1凹部を複数有する前記半導体積層体と、
平面視において、前記第1凹部における前記底面の中央部を含む領域に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1凹部に設けられ、前記第1凹部の前記底面において前記第1絶縁膜から露出する前記第1導電型半導体層と接する第1コンタクト部と、前記第1絶縁膜を露出させる開口部と、を有する第1電極と、
前記第2導電型半導体層上に設けられ、前記第2導電型半導体層に接する第2電極と、
前記第1電極の前記開口部に設けられ、白色顔料を含有した樹脂である光反射部材と、を備えた発光装置。
【請求項3】
前記第1電極が、前記第1絶縁膜の一部を被覆する請求項1または2に記載の発光装置。
【請求項4】
平面視において、前記第1絶縁膜と前記第1電極は重ならない請求項1または2に記載の発光装置。
【請求項5】
前記光反射部材は、前記第1電極と前記第1絶縁膜との間に設けられ前記第1凹部の底面に接する請求項4に記載の発光装置。
【請求項6】
平面視において、前記第1凹部の形状および前記第1絶縁膜の形状は、円形状であり、
前記第1コンタクト部は、平面視において前記第1絶縁膜の周囲を囲んで配置されている請求項1~5のいずれか1つに記載の発光装置。
【請求項7】
前記第1絶縁膜の断面視形状は上底と前記上底よりも長い下底とを有する台形であり、前記下底は前記第1凹部の前記底面との界面に位置する請求項1~6のいずれか1つに記載の発光装置。
【請求項8】
前記第1凹部は平面視で円環形状であり、平面視で前記円環形状の内側に前記半導体積層体の一部が突出している突出部を有し、
前記第1絶縁膜が前記突出部を覆う請求項1~6のいずれか1つに記載の発光装置。
【請求項9】
前記光反射部材の少なくとも一部が、前記第1絶縁膜に接する請求項1~8のいずれか1つに記載の発光装置。
【請求項10】
前記第2電極の上に設けられた第2絶縁膜をさらに備え、
前記第1電極は、前記第2絶縁膜上に延在し、
前記第2絶縁膜の上方で前記第1電極と接続された配線部をさらに備える請求項1~9のいずれか1つに記載の発光装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、ボンディングパッドが実装基板上にはんだ付けされる発光素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特表2017-535052号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1には、光取り出し効率について改善の余地がある。本発明は、順方向電圧の上昇を抑えつつ、光取り出し効率を向上できる発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一態様によれば、第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層に設けられた発光層と、前記発光層に設けられた第2導電型半導体層と、を備える半導体積層体であって、前記第2導電型半導体層、前記発光層、および、前記第1導電型半導体層に連続し底面の少なくとも一部が前記第1導電型半導体層である第1凹部を有する前記半導体積層体と、平面視において、前記第1凹部における前記底面の中央部を含む領域に設けられた第1絶縁膜と、前記第1凹部に設けられ、前記第1凹部の前記底面において前記第1絶縁膜から露出する前記第1導電型半導体層と接する第1コンタクト部と、前記第1絶縁膜を露出させる開口部と、を有する第1電極と、前記第2導電型半導体層上に設けられ、前記第2導電型半導体層に接する第2電極と、前記第1電極の前記開口部に設けられ、前記発光層から出射される光の波長に対する反射率が前記第1電極よりも高い光反射部材と、を備えた発光装置が提供される。
本発明の別の一態様によれば、第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層に設けられた発光層と、前記発光層に設けられた第2導電型半導体層と、を備える半導体積層体であって、前記第2導電型半導体層、前記発光層、および、前記第1導電型半導体層に連続し底面の少なくとも一部が前記第1導電型半導体層である第1凹部を有する前記半導体積層体と、平面視において、前記第1凹部における前記底面の中央部を含む領域に設けられた第1絶縁膜と、前記第1凹部に設けられ、前記第1凹部の前記底面において前記第1絶縁膜から露出する前記第1導電型半導体層と接する第1コンタクト部と、前記第1絶縁膜を露出させる開口部と、を有する第1電極と、前記第2導電型半導体層上に設けられ、前記第2導電型半導体層に接する第2電極と、前記第1電極の前記開口部に設けられ、白色顔料を含有した樹脂である光反射部材と、を備えた発光装置が提供される。
【発明の効果】
【0006】
本発明によれば、順方向電圧の上昇を抑えつつ、光取り出し効率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
本発明の実施形態の発光装置の模式平面図である。
図1におけるII-II断面図である。
本発明の実施形態の発光装置における半導体積層体の模式平面図である。
本発明の実施形態の発光装置の一部分の模式拡大断面図である。
本発明の実施形態の発光装置の変形例の一部分の模式拡大断面図である。
本発明の実施形態の発光装置の変形例の一部分の模式拡大断面図である。
図1におけるVII-VII断面の一部分の模式拡大断面図である。
本発明の実施形態の発光装置の一部分の模式平面図である。
第1絶縁膜の他のパターンを示す模式平面図である。
本発明の他の実施形態の発光装置における半導体積層体の模式平面図である。
本発明の他の実施形態の発光装置の変形例の一部分の模式拡大断面図である。
本発明の他の実施形態の発光装置の変形例の一部分の模式拡大断面図である。
本発明の他の実施形態の発光装置の変形例の一部分の模式拡大断面図である。
本発明の他の実施形態の発光装置の変形例の一部分の模式拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
【0009】
図1は、本発明の実施形態の発光装置1の模式平面図である。
図2は、図1におけるII-II断面図である。
【0010】
発光装置1は、基板100と、基板100上に設けられた半導体積層体10とを有する。半導体積層体10は、基板100上に設けられた第1導電型半導体層11と、第1導電型半導体層11上に設けられた発光層12と、発光層12上に設けられた第2導電型半導体層13とを有する。第1導電型半導体層11は、例えば、n型である。第2導電型半導体層13は、例えば、p型である。
(【0011】以降は省略されています)

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