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公開番号2022070377
公報種別公開特許公報(A)
公開日2022-05-13
出願番号2020179403
出願日2020-10-27
発明の名称半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H02M 7/48 20070101AFI20220506BHJP(電力の発電,変換,配電)
要約【課題】半導体装置において不要な発振が発生しにくくなる技術を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に設けられ、かつ互いに並列接続された複数の第1スイッチング素子を有する第1スイッチング回路とを備える。複数の第1スイッチング素子のそれぞれは、第1制御電極、第1正電極及び第1負電極を有する。複数の第1スイッチグ素子の第1正電極は、基板上の同一の第1導電パターンに接合されることによって互いに電気的に接続されている。第1スイッチング回路は、第1負電極同士が配線部材で直接接続された隣同士の第1スイッチング素子から成る第1素子対と、第1負電極同士が配線部材で直接接続されていない隣同士の第1スイッチング素子から成る第2素子対とを含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
基板と、
前記基板上に設けられ、かつ互いに並列接続された複数の第1スイッチング素子を有する第1スイッチング回路と
を備え、
前記複数の第1スイッチング素子のそれぞれは、第1制御電極、第1正電極及び第1負電極を有し、
前記複数の第1スイッチング素子の前記第1正電極は、前記基板上の同一の第1導電パターンに接合されることによって互いに電気的に接続され、
前記第1スイッチング回路は、
前記第1負電極同士が配線部材で直接接続された隣同士の第1スイッチング素子から成る第1素子対と、
前記第1負電極同士が配線部材で直接接続されていない隣同士の第1スイッチング素子から成る第2素子対と
を含む、半導体装置。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
請求項1に記載の半導体装置であって、
前記第1素子対の一方の第1スイッチング素子と、前記第2素子対の一方の第1スイッチング素子とは同じ素子である、半導体装置。
【請求項3】
請求項2に記載の半導体装置であって、
前記第1スイッチング回路は、前記第1負電極同士が配線部材で直接接続された隣同士の第1スイッチング素子から成る第3素子対をさらに含み、
前記第3素子対の一方の第1スイッチング素子と、前記第2素子対の他方の第1スイッチング素子とは同じ素子である、半導体装置。
【請求項4】
請求項2に記載の半導体装置であって、
前記第1スイッチング回路は、前記第1負電極同士が配線部材で直接接続された隣同士の第1スイッチング素子から成る第3素子対をさらに含み、
前記第3素子対の一方の第1スイッチング素子と、前記第1素子対の他方の第1スイッチング素子とは同じ素子である、半導体装置。
【請求項5】
請求項2に記載の半導体装置であって、
前記第1スイッチング回路は、前記第1負電極同士が配線部材で直接接続されていない隣同士の第1スイッチング素子から成る第3素子対をさらに含み、
前記第3素子対の一方の第1スイッチング素子と、前記第1素子対の他方の第1スイッチング素子とは同じ素子である、半導体装置。
【請求項6】
請求項2に記載の半導体装置であって、
前記第1スイッチング回路は、前記第1負電極同士が配線部材で直接接続されていない隣同士の第1スイッチング素子から成る第3素子対をさらに含み、
前記第3素子対の一方の第1スイッチング素子と、前記第2素子対の他方の第1スイッチング素子とは同じ素子である、半導体装置。
【請求項7】
請求項1から請求項6のいずれか一つに記載の半導体装置であって、
前記基板上に設けられ、かつ互いに並列接続された複数の第2スイッチング素子を有する第2スイッチング回路をさらに備え、
前記第2スイッチング回路は前記第1スイッチング回路と直列接続されており、
前記複数の第2スイッチング素子のそれぞれは、第2制御電極、第2正電極及び第2負電極を有し、
前記複数の第2スイッチング素子の前記第2正電極は、前記基板上の同一の第2導電パターンに接合されることによって互いに電気的に接続され、
前記第2スイッチング回路は、
前記第2負電極同士が配線部材で直接接続された隣同士の第2スイッチング素子から成る第4素子対と、
前記第2負電極同士が配線部材で直接接続されていない隣同士の第2スイッチング素子から成る第5素子対と
を含む、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,700 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、半導体装置に関する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
国際公開第2020/054806号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体装置については、不要な発振を抑制することが望まれている。
【0005】
そこで、本開示は上述の点に鑑みて成されたものであり、半導体装置において不要な発振が発生しにくくなる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
半導体装置の一態様は、基板と、基板上に設けられ、かつ互いに並列接続された複数の第1スイッチング素子を有する第1スイッチング回路とを備える。複数の第1スイッチング素子のそれぞれは、第1制御電極、第1正電極及び第1負電極を有する。複数の第1スイッチグ素子の第1正電極は、基板上の同一の第1導電パターンに接合されることによって互いに電気的に接続されている。第1スイッチング回路は、第1負電極同士が配線部材で直接接続された隣同士の第1スイッチング素子から成る第1素子対と、第1負電極同士が配線部材で直接接続されていない隣同士の第1スイッチング素子から成る第2素子対とを含む。
【発明の効果】
【0007】
半導体装置において不要な発振が発生しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
半導体装置の構造の一例を示す概略平面図である。
半導体装置の回路構成の一例を示す概略図である。
半導体装置の構造の一例を示す概略平面図である。
半導体装置の構造の一例を示す概略平面図である。
半導体装置の構造の一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
図1は半導体装置100の構造の一例を示す概略平面図である。図2は半導体装置100の回路構成の一例を示す概略図である。半導体装置100は、例えば、負荷200(図2参照)に対して高電位及び低電位を与えることが可能なパワーモジュールである。具体的には、半導体装置100は、例えば、負荷200に対して高電位及び低電位を交互に与えるインバータ装置(インバータ回路ともいう)である。半導体装置100はインバータ装置以外であってもよい。以下では、半導体装置100の回路構成例について説明し、その後、半導体装置100の構造例について説明する。半導体装置100の構造例の説明では、図1に示されるXY直交座標系が用いられる。XY直交座標系のY方向を示す矢印の先側を+Y側と呼び、その反対側を-Y側と呼ぶことがある。また、XY直交座標系のX方向を示す矢印の先側を+X側と呼び、その反対側を-X側と呼ぶことがある。
【0010】
<回路構成例>
図2に示されるように、半導体装置100は、複数のスイッチング素子10と、当該複数のスイッチング素子10にそれぞれ逆並列接続された複数の還流ダイオード20(単にダイオード20ともいう)とを備える。さらに、半導体装置100は、一対の上アーム制御端子T8及びT9と、一対の下アーム制御端子T2及びT3と、高電位が印加される高電位端子T7と、低電位が印加される低電位端子T5及びT6と、負荷200に電気的に接続された出力端子T4とを備える。半導体装置100は、高電位端子T7に印加される高電位を出力端子T4に出力することが可能である。これにより、高電位端子T7に印加される高電位が負荷200に供給される。また、半導体装置100は、低電位端子T5及びT6に印加される低電位を出力端子T4に出力することが可能である。これにより、低電位端子T5及びT6に印加される低電位が負荷200に供給される。高電位端子T7は高電位側電源端子ともいわれ、低電位端子T5及びT6は低電位側電源端子ともいわれる。
(【0011】以降は省略されています)

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