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公開番号2021190505
公報種別公開特許公報(A)
公開日20211213
出願番号2020092401
出願日20200527
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人
主分類H01L 23/12 20060101AFI20211115BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】 支持基板の反りを抑制可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置A1は、z方向において離間する主面211および裏面212を有する絶縁基板21と、主面211に配置され、かつ、互いに離間した主面金属層22A,22Bと、主面金属層22A,22Bに支持された半導体素子10A,10Bと、を備え、主面金属層22A,22Bは、絶縁基板21よりも厚い。
【選択図】 図11
特許請求の範囲【請求項1】
第1方向において離間する主面および裏面を有する絶縁基板と、
前記主面に配置され、かつ、互いに離間した主面金属層と、
前記主面金属層に支持された半導体素子と、を備え、
前記主面金属層は、前記絶縁基板よりも厚い、半導体装置。
続きを表示(約 560 文字)【請求項2】
前記主面金属層と前記半導体素子との間に介在する導電部材をさらに備える、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記導電部材は、グラファイトからなる導電層を含む、請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記導電部材は、前記導電層を挟む一対の金属層をさらに含む、請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記裏面に配置された裏面金属層をさらに備え、
前記主面金属層は、前記裏面金属層よりも厚い、請求項2ないし4のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項6】
前記主面金属層は、単体の金属層からなる、請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記主面金属層は、第1層および当該第1層に対して前記絶縁基板とは反対側に配置された第2層とを含む、請求項5に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第2層は、前記第1層よりも厚い、請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第2層は、前記絶縁基板よりも厚い、請求項8に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第2層は、前記裏面金属層よりも厚い、請求項9に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 890 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、従来の半導体装置(パワーモジュール)が開示されている。特許文献1に記載の半導体装置は、半導体素子と、支持基板と、放熱部材とを備えている。支持基板は、半導体素子を支持する。支持基板は、絶縁基板と、絶縁基板の両面に積層された銅製の導体層とを含む。一方の導体層には、半導体素子が接合され、他方の導体層には放熱部材が接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2015−220382号公報
特開2010−153639号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上述の半導体装置では、製造時や使用時の熱変化に起因して、支持基板に反りが生じることが懸念される。
【0005】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、支持基板の反りを抑制可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示によって提供される半導体装置は、第1方向において離間する主面および裏面を有する絶縁基板と、前記主面に配置され、かつ、互いに離間した主面金属層と、前記主面金属層に支持された半導体素子と、を備え、前記主面金属層は、前記絶縁基板よりも厚い。
【0007】
本開示の好ましい実施の形態においては、前記主面金属層と前記半導体素子との間に介在する導電部材をさらに備える。
【0008】
本開示の好ましい実施の形態においては、前記導電部材は、グラファイトからなる導電層を含む。
【0009】
本開示の好ましい実施の形態においては、前記導電部材は、前記導電層を挟む一対の金属層をさらに含む。
【0010】
本開示の好ましい実施の形態においては、前記裏面に配置された裏面金属層をさらに備え、前記主面金属層は、前記裏面金属層よりも厚い。
(【0011】以降は省略されています)

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