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公開番号2021174871
公報種別公開特許公報(A)
公開日20211101
出願番号2020077477
出願日20200424
発明の名称端子構造、配線基板及び端子構造の製造方法
出願人新光電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/12 20060101AFI20211004BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】接続端子の脱離を抑制できる端子構造を提供する。
【解決手段】配線基板10の端子構造は、配線層31と、配線層31を被覆するソルダーレジスト層40と、ソルダーレジスト層40を厚さ方向に貫通して配線層31の上面の一部を露出する開口部41と、開口部41から露出する配線層31上に形成された接続端子50とを有する。開口部41の底部には、ソルダーレジスト層40の上面40Aから下方に延びる内壁面42から開口部41の外方に向かって窪む窪み部43と、窪み部43の下方に形成されるとともに窪み部43から内壁面42よりも開口部41の内方に突出した突出部46とが連続して形成されている。接続端子50は、窪み部43を充填するように形成されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
配線層と、
前記配線層を被覆する保護絶縁層と、
前記保護絶縁層を厚さ方向に貫通して前記配線層の上面の一部を露出する開口部と、
前記開口部から露出する前記配線層上に形成された接続端子と、を有し、
前記開口部の底部には、前記保護絶縁層の上面から下方に延びる内壁面から前記開口部の外方に向かって窪む窪み部と、前記窪み部の下方に形成されるとともに前記窪み部から前記内壁面よりも前記開口部の内方に突出した突出部とが連続して形成されており、
前記接続端子は、前記窪み部を充填するように形成されている端子構造。
続きを表示(約 1,200 文字)【請求項2】
前記窪み部における前記開口部の開口幅は、前記開口部の上側の開口端における開口幅と同じ、又は前記開口端における開口幅よりも大きくなるように形成されている請求項1に記載の端子構造。
【請求項3】
前記窪み部は、前記内壁面の下端部から前記窪み部の底部である奥端部まで前記開口部の外方に向かって延びる内面を有し、
前記突出部は、前記奥端部から、前記内壁面の下端部よりも前記開口部の内方に突出した突出先端部まで延びる傾斜面を有し、
前記内壁面と前記内面とがなす内側の角度は、前記内面と前記傾斜面とがなす内側の角度よりも大きく形成されている請求項1又は請求項2に記載の端子構造。
【請求項4】
前記内面と前記傾斜面とがなす内側の角度は、前記傾斜面と前記突出部の下面とがなす内側の角度よりも大きく形成されている請求項3に記載の端子構造。
【請求項5】
前記内壁面は、前記保護絶縁層の上面から前記窪み部に向かうに連れて、前記開口部の平面中心に近づくように傾斜して形成されている請求項3又は請求項4に記載の端子構造。
【請求項6】
前記配線層の上面には、前記開口部と連通する凹部が形成されており、
前記凹部は、前記突出部の下面を露出するように形成されており、
前記接続端子は、前記凹部を充填するように形成されている請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の端子構造。
【請求項7】
前記接続端子は、前記開口部を充填するビア配線と、前記保護絶縁層の上面から上方に突出して形成された柱状端子とを有する請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の端子構造。
【請求項8】
請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の端子構造を有する配線基板。
【請求項9】
配線層を被覆する保護絶縁層を形成する工程と、
フォトリソグラフィ法により、前記保護絶縁層に、前記配線層の上面の一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部から露出する配線層上に接続端子を形成する工程と、を有し、
前記開口部の底部には、前記保護絶縁層の上面から下方に延びる内壁面から前記開口部の外方に向かって窪む窪み部と、前記窪み部の下方に形成されるとともに前記窪み部から前記内壁面よりも前記開口部の内方に突出した突出部とが連続して形成され、
前記接続端子は、前記窪み部を充填するように形成される端子構造の製造方法。
【請求項10】
前記配線層の上面に、前記開口部と連通する凹部を形成する工程を更に有し、
前記凹部は、前記突出部の下面を露出するように形成され、
前記接続端子は、前記凹部を充填するように形成される請求項9に記載の端子構造の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、端子構造、配線基板及び端子構造の製造方法に関するものである。
続きを表示(約 1,900 文字)【背景技術】
【0002】
半導体素子等の電子部品を実装するための配線基板は、様々な形状・構造のものが提案されている。近年は、半導体素子の高集積化及び高機能化に伴い、半導体素子が実装される配線基板においても配線の微細化の要求が高まっている。そこで、配線パターンの形成されたベース基板上に絶縁層を形成し、その絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールに露出する配線パターン上に柱状の接続端子を形成した配線基板が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2012−54519号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところが、接続端子(例えば、銅層)と絶縁層(例えば、樹脂)との間で熱膨張係数が異なるため、絶縁層が加熱処理されると、絶縁層の熱収縮による変形によって接続端子の側面と絶縁層との間に隙間が発生するおそれがある。接続端子の側面と絶縁層との間に隙間が発生すると、接続端子が絶縁層から脱離しやすくなるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一観点によれば、配線層と、前記配線層を被覆する保護絶縁層と、前記保護絶縁層を厚さ方向に貫通して前記配線層の上面の一部を露出する開口部と、前記開口部から露出する前記配線層上に形成された接続端子と、を有し、前記開口部の底部には、前記保護絶縁層の上面から下方に延びる内壁面から前記開口部の外方に向かって窪む窪み部と、前記窪み部の下方に形成されるとともに前記窪み部から前記内壁面よりも前記開口部の内方に突出した突出部とが連続して形成されており、前記接続端子は、前記窪み部を充填するように形成されている。
【発明の効果】
【0006】
本発明の一観点によれば、接続端子の脱離を抑制できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
(a)は、一実施形態の配線基板を示す概略断面図、(b)は、図1(a)に示した配線基板の一部を拡大した拡大断面図である。
(a)は、一実施形態の半導体装置を示す概略断面図、(b)は、図2(a)に示した半導体装置の一部を拡大した拡大断面図である。
(a)〜(c)は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
(a),(b)は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
(a),(b)は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
(a),(b)は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
変更例の配線基板を示す概略断面図である。
変更例の配線基板を示す概略断面図である。
変更例の配線基板を示す概略断面図である。
変更例の配線基板を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、一実施形態について添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが各図面で同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図1等の鉛直方向(図中上下方向)から見ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図1等の鉛直方向から見た形状のことを言う。また、本明細書における「平行」、「直交」や「水平」は、厳密に平行、直交や水平の場合のみでなく、本実施形態における作用効果を奏する範囲内で概ね平行、直交や水平の場合も含まれる。
【0009】
図1(a)に示すように、配線基板10は、基板本体11を有している。基板本体11の下面には、配線層21と、ソルダーレジスト層22とが順に積層されている。また、基板本体11の上面には、配線層31と、ソルダーレジスト層40と、接続端子50とが順に積層されている。
【0010】
基板本体11としては、例えば、コア基板、コア基板を有するコア付きビルドアップ基板、コア基板を有していないコアレス基板を用いることができる。基板本体11としてコアレス基板を採用する場合には、例えば、最下層の配線層21の側面及び上面が基板本体11の最下層の絶縁層に埋め込まれ、配線層21の下面が最下層の絶縁層から露出されていてもよい。
(【0011】以降は省略されています)

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