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公開番号2021103712
公報種別公開特許公報(A)
公開日20210715
出願番号2019233697
出願日20191225
発明の名称半導体装置およびその製造方法
出願人エイブリック株式会社
代理人
主分類H01L 23/28 20060101AFI20210618BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】端子間ショートを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイパッド5の周辺にはダイパッド5と離間してリード4が複数配置され、半導体チップ1の表面に設けられた電極とリード4はワイヤ3で電気的に接続されている。リード4は厚肉部4aとその外側に設けられた薄肉部4bとからなり、薄肉部4bの外側面よりも封止樹脂2の側面17が突出している。リード4の表面にメッキ層14を設けられている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
半導体チップと、
前記半導体チップを載置するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されるリードと、
前記半導体チップと前記ダイパッドと前記リードの一部を被覆する封止樹脂と、を備え、
前記リードは前記ダイパッドに近い側に位置する厚肉部と前記ダイパッドから遠い側に位置する薄肉部とからなり、
前記厚肉部の底面は前記薄肉部の下面よりも突出し、
前記封止樹脂の側面は前記薄肉部の外側面よりも突出し、
前記厚肉部の底面と外側面、および前記薄肉部の下面と外側面が前記封止樹脂から露出し、それらの表面にメッキ層を設けていることを特徴とする半導体装置。
続きを表示(約 900 文字)【請求項2】
前記メッキ層の外側面よりも前記封止樹脂の側面が突出することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記メッキ層の外側面が前記封止樹脂の側面よりも突出していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記メッキ層がはんだを介して回路基板の外部端子に接続されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項5】
ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを載置し、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する工程と、
少なくとも前記ダイパッドと前記半導体チップと前記リードとを樹脂封止する工程と、
前記リードの底面側から前記リードの第1高さまで、第1の幅の回転ブレードを用いて切削する第1の切削工程と、
前記第1の幅より狭い第2の幅の回転ブレードを用いて前記リードの前記第1高さから前記リードの上面を越えて前記封止樹脂に達するまで切削する第2の切削工程と、
前記第1の切削工程と第2の切削工程によって形成された切削溝の内面および前記リードの底面にメッキ層を形成する工程と、
前記第2の幅より狭い第3の幅の回転ブレードを用いて前記封止樹脂の残部を切断する第3の切削工程と、を備え、
前記第1の切削工程と第2の切削工程と第3の切削工程で形成された切削溝のおのおのは平面視的に重なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記第1の幅と前記第2の幅を有する異径回転ブレードを用いて、前記第1の切削工程と前記第2の切削工程を同時に処理することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記第3の切削工程において、前記第3の幅の回転ブレードの侵入深さが前記封止樹脂の上面から前記メッキ層の上方であることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
続きを表示(約 10,000 文字)【背景技術】
【0002】
電子機器の小型軽量化及び高機能化のニーズに伴い、電子機器に半導体装置を高密度に実装することが可能な表面実装型パッケージが多用されている。表面実装型パッケージのうち、ノンリードタイプの半導体装置として、接続信頼性を確保するためにいくつかの形態が提案されている。
【0003】
図10には、リード54の下の一部に切削面を設け、その切削面にメッキ層58を施し、リード54の上面を封止樹脂52で被覆した半導体装置50が図示されている。この切削面により、リード54と半田が接続される接続面積が大きくなり、実装強度が向上する(例えば、特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2016−219520号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
このようなノンリードタイプの半導体装置の場合、図11に示すように、封止樹脂52とリード54とメッキ層58を一緒に回転刃で切断するという製造手法を用いるが、図12に示すように、切断中にメッキ層58の一部が回転刃を介して切断面のいたるところに再付着してメッキバリ58aを形成することがある。そして、隣接するリード54に跨るメッキバリ58aが形成されることで端子間ショートに至り、電気的特性に悪影響を及ぼすことがある。
本発明は、かかる課題に鑑みなされたもので、メッキバリ起因の端子間ショートを防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するために、本発明では、以下の手段を用いた。
まず、半導体チップと、
前記半導体チップを載置するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されるリードと、
前記半導体チップと前記ダイパッドと前記リードの一部を被覆する封止樹脂と、を備え、
前記リードは前記ダイパッドに近い側に位置する厚肉部と前記ダイパッドから遠い側に位置する薄肉部とからなり、
前記厚肉部の底面は前記薄肉部の下面よりも突出し、
前記封止樹脂の側面は前記薄肉部の外側面よりも突出し、
前記厚肉部の底面と外側面、および前記薄肉部の下面と外側面が前記封止樹脂から露出し、それらの表面にメッキ層を設けていることを特徴とする半導体装置とした。
また、ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを載置し、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する工程と、
少なくとも前記ダイパッドと前記半導体チップと前記リードとを樹脂封止する工程と、
前記リードの底面側から前記リードの第1の高さまで、第1の幅の回転ブレードを用いて切削する第1の切削工程と、
前記第1の幅より狭い第2の幅の回転ブレードを用いて前記リードの前記第1高さから前記リードの上面を越えて前記封止樹脂に達するまで切削する第2の切削工程と、
前記第1の切削工程と第2の切削工程によって形成された切削溝の内面および前記リードの底面にメッキ層を形成する工程と、
前記第2の幅より狭い第3の幅の回転ブレードを用いて前記封止樹脂の残部を切断する第3の切削工程と、を備え、
前記第1の切削工程と第2の切削工程と第3の切削工程で形成された切削溝のおのおのは平面視的に重なることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
【発明の効果】
【0007】
上記手段を用いることで、メッキバリ起因の端子間ショートを防止する半導体装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の断面図、拡大断面図および底面図である。
本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図である。
本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の製造に用いる回転ブレードの断面図である。
本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法の変形例である。
本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の基板実装図である。
本発明の第2実施形態にかかる半導体装置の断面図、底面図および基板実装図である。
本発明の第2実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。
本発明の第3実施形態にかかる半導体装置の断面図および底面図である。
本発明の第4実施形態にかかる半導体装置の断面図および底面図である。
従来の半導体装置の断面図である。
従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
従来の半導体装置の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の半導体装置の実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の断面図、拡大断面図および底面図である。まず、断面図である図1(a)を参照して半導体装置20の構成を説明する。本図は、後に説明する図1(c)の切断線A−A´に沿った断面図である。ダイパッド5上に半導体チップ1が搭載されている。ダイパッド5の周囲にはダイパッド5と離間してリード4が設けられている。そして、半導体チップ1の上面に設けられた電極パッド(図示せず)とリード4の上面とが接続部材であるワイヤ3を介して電気的に接続されている。ワイヤ3の材料としては金(Au)や銅(Cu)が用いられる。なお、半導体チップ1とリード4との電気的接続はワイヤ法に限られることなく、バンプを介したフリップチップボンディング法を用いても構わない。
半導体チップ1とダイパッド5とワイヤ3の周囲は上面18と側面17を有する封止樹脂2によって被覆されるが、ダイパッド5の底面は封止樹脂2から露出している。
【0010】
次に、図1(a)および部分拡大断面図である図1(b)を用いて説明する。リード4は厚肉部4aと、厚肉部4aの上部から連続して延伸される薄肉部4bからなる。厚肉部4aの上面9と薄肉部4bの上面12は同一面を成している。そして、厚肉部4aはダイパッド5と同じ厚さを有し、薄肉部4bは厚肉部4aやダイパッド5の厚さよりも薄い形状である。厚肉部4aはダイパッド5に近い側に位置し、薄肉部4bはダイパッド5から遠い側に位置している。断面視的に、厚肉部4aはダイパッド5に近い側の側面である内側面6と底面7とダイパッド5から遠い側の外側面8と薄肉部4bとの境界13と上面9で囲まれる部分である。境界13は厚肉部4aの外側面8の上方に位置している。ここで、封止樹脂2の側面17は厚肉部4aの外側面8から第1長さL1だけ突出している。
【0011】
薄肉部4bは下面10とダイパッド5から遠い側の外側面11と厚肉部4aとの境界13と上面12で囲まれる部分である。そして、封止樹脂2の側面17は外側面11から第2長さL2だけ突出している。図示するように、第2長さL2は第1長さL1よりも小さい。すなわち、封止樹脂2の側面17に対し、薄肉部4bの外側面11が近く位置し、厚肉部4aの外側面8が遠いという位置関係になる。また、薄肉部4bの下面10よりも厚肉部4aが第1高さH1だけ突出する形状である。さらに、封止樹脂2の側面の下端19よりも厚肉部4aの底面7が第2高さH2だけ突出する形状である。ここで、封止樹脂2の側面の下端19は薄肉部4bの上面12よりも高い位置にある。
【0012】
リード4の厚肉部4aの上面9と内側面6は封止樹脂2と接し、厚肉部4aの底面7はダイパッド5の底面15と同様、封止樹脂2と同一面を成し、封止樹脂2の底面16から露出している。また、厚肉部4aのダイパッド5から遠い側の外側面8も封止樹脂2に接しておらず封止樹脂2から露出している。リード4の薄肉部4bの上面12は封止樹脂2と接し、薄肉部4bの下面10と外側面11は封止樹脂2から露出している。なお、リード4は紙面手前方向および紙面奥方向で封止樹脂2と接しており、紙面手前方向および紙面奥方向における封止樹脂2の断面形状はリード4と同じである。
【0013】
リード4やダイパッド5は銅、銅合金または42アロイなどの金属からなるが、半田を介して半導体装置を基板に実装するとき、これらの金属の表面は半田濡れ性が悪く、十分な実装強度が得られない。そこで、これらの金属の表面に錫膜やニッケル−金の積層膜等のメッキ層を形成することで半田濡れ性が改善される。本実施形態ではリード4の厚肉部4aの底面7と外側面8、薄肉部4bの下面10と外側面11にメッキ層14を被覆させている。薄肉部4bの外側面11に被覆させたメッキ層14の外側面31よりも封止樹脂2の側面17が幾分突出する形状である。また、ダイパッド5の底面15にもメッキ層14を有する構造である。これにより、リード4の厚肉部4aの底面7と外側面8、薄肉部4bの下面10と外側面11が半田濡れ性の良好な領域となる。
【0014】
図1(c)は本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の底面図である。矩形形状の封止樹脂2の中央領域にダイパッド5が配置されている。封止樹脂2の一方の辺(封止樹脂2の側面17に相当)に沿って複数のリード4が配置され、一方の辺と対向する他方の辺(封止樹脂2の側面17に相当)に沿って複数のリード4が配置されている。そして、互いの辺(封止樹脂2の側面17に相当)に沿って配置されたリード4はダイパッド5を挟んで向かい合っている。
【0015】
リード4は一方の辺および他方の辺から第2長さL2だけ離れた位置から封止樹脂2の内部に向かって配置されている。封止樹脂2には封止樹脂2の側面17から第2長さL2だけ離れた位置に第2段差S2が設けられ、第1長さL1だけ離れた位置に第1段差S1が設けられている。第一段差S1はリード4にも設けられている。第1段差S1の段差深さは図1(b)における「第1高さH1」に相当し、第2段差の段差深さは「第2高さH2−第1高さH1」に相当する。第1段差S1と第2段差S2に囲まれた領域においてリード4と封止樹脂2は同一面を成している。また、第1段差S1よりも内側、すなわちダイパッド5側の領域においてリード4と封止樹脂2は同一面を成している。第1段差S1と第2段差S2に囲まれた領域において封止樹脂2から露出するリード4の一部が薄肉部4b、第1段差S1よりもダイパッド5寄りの領域において封止樹脂2から露出するリード4の他部が厚肉部4aに相当する。なお、紙面縦方向がリード4の幅であるが、厚肉部4aと薄肉部4bのそれぞれの幅は同一である。
【0016】
図1(c)ではメッキ層14をリード4の先端にのみ図示している。リード4の薄肉部4bの先端に設けられたメッキ層14の外側面31は封止樹脂2の側面17よりも内側に位置している。すなわち、メッキ層14の外側面31よりも封止樹脂2の側面17が幾分突出する形状である。また、半導体装置20の底面ではメッキ層14の膜厚分だけリード4やダイパッド5が底面方向に封止樹脂2よりも突出することになる。
【0017】
図2は、本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図である。なお、この断面図ではダイパッドおよび半導体チップ等を省略している。
まず、図2(a)に示すように、ダイパッド(図示せず)の周囲に複数のリード部41を配置したリードフレームを準備し、ダイパッド上に半導体チップ(図示せず)を載置して半導体チップとリード部41を電気的に接続した後、リード部41を含むリードフレームと半導体チップを封止樹脂42で被覆する。
【0018】
次に、図2(b)に示すように、リードフレームのリード部41の下面から幅広(回転ブレード幅100μm以上)の第1の回転ブレード26を用いて切断中心線30に沿って所定の高さまで切削して切削溝45aを形成する。このときの切削量はリード部41の厚さの1/3〜2/3が望ましい。このときの、切削溝45aの高さは図1(b)における第1高さH1に相当する。
【0019】
次に、図2(c)に示すように、リードフレームのリード部41を第1の回転ブレード26よりも幅狭(回転ブレード幅40〜80μm)の第2の回転ブレード27を用いて切断中心線30に沿って切削し、切削溝45bを形成する。切削溝45bは平面視的に切削溝45aと重畳し、その幅は切削溝45aの幅より狭く、切削溝45aの上面から上方にリード部41を貫通して封止樹脂42に達する。これにより、切削溝45aと切削溝45bによる階段状の溝が設けられる。このときの、階段状溝の最も高い位置の高さは図1(b)における第2高さH2に相当する。
以上では、切削溝45aを形成した後に切削溝45bを形成するとしているが、これらの工程は異なる順番、すなわち、切削溝45bを形成した後に切削溝45aを形成するという工程であっても構わない。
【0020】
次に、図2(d)に示すように、リード部41にメッキ層44を形成する。メッキ層44は電解メッキ法にて形成され、リード部41が封止樹脂42から露出する表面部分のみに形成され、封止樹脂42の表面には形成されない。したがって、メッキ層44はリード部41の底面および切削溝45a、45bからなる階段状溝の内面に形成される。メッキ層44としては、錫膜やニッケル−金の積層膜が用いられる。当然ながら、切削溝45bの上面に位置する封止樹脂42にはメッキ層44は形成されない。
【0021】
次に、図2(e)に示すように、リード部41の底面とは反対側の封止樹脂42の上面から封止樹脂42の残部を切断して個片化する。ここで用いる第3の回転ブレード28は第2の回転ブレード27よりも幅狭(回転ブレード幅20〜30μm)の回転ブレードである。したがって、このとき形成される切削溝45cは切削溝45bよりも幅が狭く、メッキ層44に接することなく切断することができる。よって、第3の回転ブレード28による切削(切断)工程においてメッキ層44が第3の回転ブレード28に付着することがなく、メッキ層44の一部が切断面の他の領域に再付着(メッキバリ形成)するおそれもなく、それによる端子間ショートを防止できる半導体装置とすることができる。なお、第3の回転ブレード28による切断方向は封止樹脂42の上面から下方側に向かって切断することに固定されることなく、切削溝45b側から上方に向かって封止樹脂42を切断してもよい。個片化されて完成した半導体装置20は図1に示す構造である。
【0022】
図3は、本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の製造に用いる回転ブレードの断面図である。図3(a)に幅d1の第1の回転ブレード26、図3(b)に幅d2の第2の回転ブレード27、図3(c)に幅d3の第3の回転ブレード28を図示している。幅広の第1の回転ブレード26の回転ブレード幅d1は100μm以上で回転ブレード基部から回転ブレード先端部にかけてほぼ一定であり、第2の回転ブレード27の回転ブレード幅d2は40〜80μmで回転ブレード基部から回転ブレード先端部にかけてほぼ一定の幅を有する。第3の回転ブレード28の回転ブレード幅d3は20〜30μmである。以上のように、回転ブレードの幅はd1>d2>d3の関係にある。また、いずれの回転ブレードも平頭形状の先端部を有する回転ブレードであることが望ましいが、切削能力を考慮して先端部がラウンド形状の回転ブレードを用いても構わない。なお、図3(d)および図3(e)に示す回転ブレード29、回転ブレード25については後に説明する。
【0023】
図4は、本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法の変形例である。図示した製造工程では、前出の図2(b)および図2(c)で説明した工程を同時に処理する工程を示している。リード部41を底面側から切削する回転ブレード25は異径回転ブレードである。図3(e)に図示されているように、回転ブレード25の基部には第1の回転ブレード26と同じ幅の回転ブレード、先端部には第2の回転ブレード27と同じ幅の回転ブレードが設けられている。回転ブレード25の基部の幅は100μm以上、先端部の幅は40〜80μmが望ましい。上記説明した異径回転ブレードを用いることで第1の回転ブレードによる研削工程と第2の回転ブレードを用いる検索工程の両方を一度に行うことができ、工程の短縮を図ることができる。
【0024】
図5は、本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の基板実装図である。図5(a)は、実装断面図、図5(b)は、実装底面図であり、半田層24はリード4の先端の形状のみを図示している。なお、この基板実装図ではダイパッドや半導体チップ等を省略している。
図5(a)に示すように、半導体装置20のリード4が半田を介して基板21に接合することになるが、リード4は基板21上に形成されるランド23と呼ばれる電極と電気的に接続されることになる。リード4をランド23上に投影した平面積は対応するランド23の平面積よりも小さく、メッキ層14から基板21に向かって半田フィレット22と呼ばれる裾引きが形成される。本実施形態ではリード4が封止樹脂2から露出するすべての表面にメッキ層14を被覆され、メッキ層14の表面に半田層24が濡れ広がっている。メッキ層14はリード4の薄肉部4bの側面の上端にも形成されているため、従来の半導体装置に比べ半田が被着される高さが高く、その被着される領域も大きいため、外観検査における半田濡れ性を容易に観察することができる。図5(b)は半導体装置20を基板21に実装したときに、基板21を透過して見た半導体装置20の底面図である。図示するように、平面視的にはリード4の先端のメッキ層14の表面に半田フィレット22が形成される。半田フィレット22の裾引き状況からリード4の下の半田層形成状態を推測でき、容易な外観検査が可能となる。以上説明したように、本発明の実施形態にかかる半導体装置は、端子間ショートを防止できるだけでなく、基板実装後の外観検査も容易とする効果を有するものである。さらに、リード4が厚肉部4aと薄肉部4bからなる形状であるため、リード4と半田層24が接続される接続面積が大きくなり、実装強度が向上するという効果も有する。
【0025】
図6は、本発明の第2実施形態にかかる半導体装置の断面図、底面図および基板実装図である。図6(a)は断面図、図6(b)は底面図、図6(c)は基板実装図である。
この半導体装置20のダイパッド5周辺の構造は図1(a)に示す構造と同じなので説明を省略し、リード4周辺の構造について説明する。
図6(a)に示すように、半導体装置20のリード4は厚肉部4aとこれから延伸された薄肉部4bから形成されている。厚肉部4aの上面9、薄肉部4bの上面12は同一面を成し、これらは封止樹脂2と接している。また、厚肉部4aの内側面6も封止樹脂2で覆われている。これに対し、厚肉部4aの底面7と外側面8、薄肉部4bの下面10と外側面11は封止樹脂2から露出する構造である。リード4が封止樹脂2から露出している面にはメッキ層14が設けられている。ここで、薄肉部4bの外側面11が封止樹脂2の側面17に極めて接近した構造である点で本発明の第1実施形態にかかる半導体装置と異なる。本実施形態の半導体装置20では封止樹脂2の側面17が薄肉部4bの外側面11よりも突出する形状であるが、その突出量は極めて小さい。そのため、薄肉部4bの外端に形成されたメッキ層14の外側面31は封止樹脂2の側面17よりも突出している。
【0026】
半導体装置20に底面を示す図6(b)においても、封止樹脂2の側面17よりも内側にリード4が配置され、メッキ層14が封止樹脂2の側面17の内側から外側にかけて形成され、メッキ層14の外側面31が封止樹脂2の側面17よりも突出していることが確認できる。
【0027】
図6(c)は半導体装置20を基板21に実装したときに、基板21を透過して見た半導体装置20の底面図であり、半田層24はリード4の先端の形状のみを図示している。この半導体装置20を基板21に実装した場合、メッキ層14の外側面31が封止樹脂2の側面から突出しているため、平面視的に確認できる半田フィレット22の面積は図5(b)で示したものに比べ大きいものとなる。よって、半田層形成状態を確認するための外観検査がより容易なものとなる。なお、この基板実装図ではダイパッドや半導体チップ等を省略している。
【0028】
図7は、本発明の第2実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。第2実施形態の半導体装置の製造方法においては、まず、図2(a)〜図2(d)に図示した工程を行い、最後の個片化する工程を図2(e)に代えて図7に示す処理を行う。図2(e)では第3の回転ブレード28としてその幅が20〜30μmの回転ブレードを用いたが、ここでは、それよりも幅広の回転ブレード29を用いて封止樹脂42を切断している。図3(d)に示すように、回転ブレード29の幅d4は第2の回転ブレード27よりもわずかに狭く、幅d4は30〜70μmである。このため、図7に示すように、封止樹脂42の個片化においては、封止樹脂42の上面から下方側へ回転ブレード29を侵入させて封止樹脂42の残部を切断して個片化する方法に限られる。ここで、封止樹脂42に侵入した回転ブレード29の侵入深さは切削溝45bの上面に達する深さである。このとき、回転ブレード29が深く入り過ぎてメッキ層44に接触しないように注意しなければならない。先の図2(c)に示す工程における切削溝45bの形成において、封止樹脂42を大きく切削すること、すなわち、リード部41の上面と接する封止樹脂42をその上方の数十μmまで切削することで、図7に示す工程での回転ブレード29とメッキ層44との接触を回避できる許容値を大幅に増やすことができる。仮に、封止樹脂の総厚が200μm以上の場合、切削溝45bが形成されたのちの封止樹脂42の残部が封止樹脂2の総厚の1/3〜1/2であれば、その後の工程で必要とされる抗折強度を十分に有することができる。
【0029】
以上説明した工程を用いれば、メッキ層44が回転ブレード29に付着することがなく、メッキ層44の一部が切断面の他の領域に再付着(メッキバリ形成)するおそれもなく、それによる端子間ショートを防止できる半導体装置20を得ることができる。
【0030】
図8は、本発明の第3実施形態にかかる半導体装置の断面図および底面図である。
本発明の第1実施形態にかかる半導体装置との違いは、リード4が厚肉部4aと薄肉部4bに加えて極薄肉の庇部4cを有する点である。図8(a)に示すように、庇部4cは厚肉部4aの上部および薄肉部4bの上部に一様な厚さで設けられている。そして、庇部4cの上面は、厚肉部4aの上面9および薄肉部4bの上面12と同一面を成している。庇部4cの厚さは薄肉部4bの厚さよりも薄く、各部位の相対的な厚さは以下のとおりである。
厚肉部4aの厚さ:薄肉部4bの厚さ:庇部4cの厚さ=6:2〜4:1〜2
(【0031】以降は省略されています)

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半導体装置およびその製造方法
エイブリック株式会社
半導体装置およびその製造方法
エイブリック株式会社
半導体装置およびその製造方法
エイブリック株式会社
部品検査装置及び部品検査方法
エイブリック株式会社
充放電制御回路及びバッテリ装置
エイブリック株式会社
充放電制御装置、及びバッテリ装置
エイブリック株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
エイブリック株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体装置
エイブリック株式会社
充放電制御回路及びこれを備えたバッテリ装置
エイブリック株式会社
吸着保持装置、吸着保持方法、及び半導体装置の製造方法
エイブリック株式会社
電子部品の実装方法、並びに、これに用いる基板及び電子部品
セイコーホールディングス株式会社
電子回路、モジュール及びシステム
エイブリック株式会社
半導体基板、研削装置、研削方法、切削方法、及び半導体装置の製造方法
セイコーホールディングス株式会社
電子回路、モジュール及びシステム
セイコーホールディングス株式会社
電子回路、モジュール及びシステム
学校法人立命館
植物育成システム、コントローラ、植物育成方法、及び、コンピュータプログラム
個人
レーザ装置
個人
電源タップ
個人
半導体装置
個人
レーザ装置
個人
プラグ
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