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公開番号2021069025
公報種別公開特許公報(A)
公開日20210430
出願番号2019193430
出願日20191024
発明の名称光受信器
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H03F 3/08 20060101AFI20210402BHJP(基本電子回路)
要約【課題】光受信器において、寄生インダクタンスおよび寄生容量等による共振現象を抑制し、周波数応答特性の劣化を回避する技術を提供する。
【解決手段】例示的実施形態に係る光受信器において、バイパス回路は、光電流の交流成分からバイパス電流を引き抜いて増幅回路に入力する交流電流を低減する第1機能を有し、フィルタ回路はバイアス端子から見たフィルタ回路の入力インピーダンスを増減する第2機能を有し、制御回路は増幅回路の出力信号に基づいてバイパス回路に第1機能のオンを指示する第1指示信号を出力する場合には、フィルタ回路に第2機能のオンを指示する第2指示信号を出力し、増幅回路の出力信号に基づいてバイパス回路に第1機能のオフを指示する第1指示信号を出力する場合には、フィルタ回路に第2機能のオフを指示する第2指示信号を出力する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
光信号を光電流に変換するフォトダイオードと、バイアス端子と、入力端子と、フィルタ回路と、増幅回路と、第1抵抗素子と、バイパス回路と、制御回路と、
を備え、
前記フォトダイオードのアノードは、前記入力端子に電気的に接続され、
前記フォトダイオードのカソードは、前記バイアス端子に電気的に接続され、
前記バイパス回路は、前記入力端子に電気的に接続され、
前記制御回路は、前記増幅回路が出力する出力信号に応じて前記フィルタ回路、および前記バイパス回路を制御し、
前記第1抵抗素子は、前記増幅回路の入力および出力の間に電気的に接続され、
前記バイパス回路は、前記光電流の交流成分からバイパス電流を引き抜いて前記増幅回路に入力する交流電流を低減する第1機能を有し、前記制御回路から出力される第1指示信号に応じて前記第1機能をオンするときに前記入力端子から見た前記バイパス回路の入力インピーダンスを減少させ、前記第1指示信号に応じて前記第1機能をオフするときに、前記入力端子から見た前記バイパス回路の入力インピーダンスを増加させ、
前記フィルタ回路は、前記バイアス端子から見た前記フィルタ回路の入力インピーダンスを増減する第2機能を有し、前記制御回路から出力される第2指示信号に応じて前記第2機能をオンするときに前記バイアス端子から見た前記フィルタ回路の入力インピーダンスを増加させ、前記第2指示信号に応じて前記第2機能をオフするときに、前記バイアス端子から見た前記フィルタ回路の入力インピーダンスを減少させ、
前記制御回路は、前記増幅回路の出力信号に基づいて前記バイパス回路に前記第1機能のオンを指示する前記第1指示信号を出力する場合には、前記フィルタ回路に前記第2機能のオンを指示する前記第2指示信号を出力し、該増幅回路の出力信号に基づいて前記バイパス回路に前記第1機能のオフを指示する該第1指示信号を出力する場合には、前記フィルタ回路に前記第2機能のオフを指示する該第2指示信号を出力する、
光受信器。
続きを表示(約 1,700 文字)【請求項2】
前記フィルタ回路は、電界効果トランジスタと、第2抵抗素子および第3抵抗素子と、キャパシタとを備え、
前記第2抵抗素子の一端は、前記バイアス端子に電気的に接続され、
前記キャパシタは、前記第2抵抗素子の前記一端および前記電界効果トランジスタのドレインの間に電気的に接続され、
前記電界効果トランジスタのソースは、接地され、
前記第3抵抗素子は、前記電界効果トランジスタのソースおよびドレインの間に電気的に接続され、
前記電界効果トランジスタのゲートは、前記第2指示信号を受ける、
請求項1に記載の光受信器。
【請求項3】
前記フィルタ回路は、電界効果トランジスタと、第2抵抗素子および第3抵抗素子と、第1キャパシタおよび第2キャパシタとを備え、
前記第2抵抗素子の一端は、前記バイアス端子に電気的に接続され、
前記第1キャパシタは、前記第2抵抗素子の前記一端および前記電界効果トランジスタのドレインの間に電気的に接続され、
前記電界効果トランジスタのソースは、接地され、
前記電界効果トランジスタのゲートは、前記第2指示信号を受け、
前記第2キャパシタは、前記第2抵抗素子の前記一端および前記第3抵抗素子の間に電気的に接続され、該第3抵抗素子を介して接地されている、
請求項1に記載の光受信器。
【請求項4】
前記フィルタ回路は、電界効果トランジスタと、第2抵抗素子および第3抵抗素子と、第1キャパシタおよび第2キャパシタとを備え、
前記第2抵抗素子の一端は、前記バイアス端子に電気的に接続され、
前記第1キャパシタは、前記第2抵抗素子の前記一端および前記電界効果トランジスタのドレインの間に電気的に接続され、
前記電界効果トランジスタのソースは、接地され、
前記電界効果トランジスタのゲートは、前記第2指示信号を受け、
前記第3抵抗素子は、前記第2抵抗素子の前記一端および前記第2キャパシタの間に電気的に接続され、該第2キャパシタを介して接地されている、
請求項1に記載の光受信器。
【請求項5】
前記制御回路は、
第1電界効果トランジスタ、第2電界効果トランジスタ、第3電界効果トランジスタ、第4電界効果トランジスタ、第5電界効果トランジスタ、および第6電界効果トランジスタと、第4抵抗素子、第5抵抗素子、第6抵抗素子、および第7抵抗素子と、電流源とを備え、
前記第1電界効果トランジスタのゲートには、外部から供給される基準信号が入力され、
前記第2電界効果トランジスタのゲートには、前記増幅回路の出力信号に応じた信号が入力され、
前記第1電界効果トランジスタのソースは、前記第4抵抗素子を介して前記電流源に電気的に接続され、
前記第2電界効果トランジスタのソースは、前記第5抵抗素子を介して前記電流源に電気的に接続され、
前記第3電界効果トランジスタのドレインは、前記第6抵抗素子を介して接地され、前記第2指示信号を前記フィルタ回路に出力し、
前記第4電界効果トランジスタのドレインは、前記第7抵抗素子を介して接地され、前記第1指示信号を前記バイパス回路に出力し、
前記第1電界効果トランジスタおよび前記第5電界効果トランジスタのそれぞれのドレインと前記第3電界効果トランジスタのゲートとは、互いに電気的に接続され、
前記第2電界効果トランジスタおよび前記第6電界効果トランジスタのそれぞれのドレインと前記第4電界効果トランジスタのゲートとは、互いに電気的に接続され、
前記第3電界効果トランジスタ、前記第4電界効果トランジスタ、前記第5電界効果トランジスタ、および前記第6電界効果トランジスタのそれぞれのソースは、互いに電気的に接続される、
請求項1から請求項4の何れか一項に記載の光受信器。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示の例示的実施形態は、光受信器に関するものである。
続きを表示(約 8,800 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、光受信機に係る技術が開示されている。光受信機は、受光素子と、電流電圧変換回路(TIA)と、容量受動素子とを有する。受光素子は、アノードとカソードを有し、受信した信号光に対応する光電流を生成する。電流電圧変換回路は、受光素子のアノードに接続され、光電流を電圧信号に変換する。容量受動素子は、第1電極および第2電極を有する。受光素子のカソードと容量受動素子の第1電極とは、接続される。容量受動素子の第2電極は、電流電圧変換回路313の基準電位に接続される。第2電極は電流電圧変換回路の基準電位端子以外には繋がらない。
【0003】
特許文献2には、受信回路に係る技術が開示されている。受信回路は、差動出力増幅回路を備え、差動出力増幅回路の差動出力について識別回路で2値化識別を行う。受信回路は、二つのピーク検出回路と、平均値検出回路と、二つの演算増幅器と、二つのトランジスタとを備え、差動出力に応じて差動出力増幅回路の入力インピーダンスおよびオフセットを制御する。
【0004】
特許文献3には、前置増幅回路に係る技術が開示されている。前置増幅回路は、第一の増幅回路と、利得切替え判断回路と、オフセット電流制御回路とを備える。第一の増幅回路は、利得切替え機能を備える。利得切替え判断回路は、第一の増幅回路の出力端子に接続され、ヒステリシスコンパレータを備える。前置増幅回路は、利得切替え判断回路の出力信号により、第一の前置増幅回路の利得切替えを行う。オフセット電流制御回路は、第一の増幅回路の入力端子に接続される。前置増幅回路は、利得切替え判断回路の出力信号によって、オフセット電流制御回路を制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2012−4954号公報
特開平11−8522号公報
特開2009−49488号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
光受信器では、例えばフォトダイオードが外部の光導波路(光ファイバ)から光信号を受け、光信号を光電流に変換する。フォトダイオードのカソードは、フィルタ回路を介して電源からバイアス電圧を受け、フォトダイオードのアノードは、トランスインピーダンス増幅回路に光電流を出力する。フォトダイオードは、ボンディングワイヤや信号配線を介してフィルタ回路やトランスインピーダンス増幅回路に接続される。ボンディングワイヤは寄生インダクタンスを有し、信号配線は寄生容量を有する。そのため、それらの寄生インダクタンス、および寄生容量などによって、フォトダイオード、フィルタ回路、およびトランスインピーダンス増幅回路を含む回路に共振現象を生じ得る。共振現象は、光受信器の利得帯域、群遅延等の諸特性に影響を与え、光受信器の周波数応答特性に影響を与える。このような共振現象は、トランスインピーダンス回路の入力インピーダンスが比較的に大きい場合に低減(ダンピング)され得る。
【0007】
一方、フォトダイオードの光電流を受けるトランスインピーダンス増幅回路では、入力(電流信号)と出力(電圧信号)との間の線形性を維持するために、光電流の一部をバイパスさせて、トランスインピーダンス増幅回路に入力する電流信号の振幅を小さくする制御が行われ得る。この制御は、例えばトランスインピーダンス増幅回路から出力される電圧信号の振幅に応じて行われ、AGC(Automatic Gain Control)と呼ばれている。特に、光電流から交流成分の一部を除去(バイパス)する制御がAGCによって行われる場合には、トランスインピーダンス増幅回路の入力インピーダンスが減少し、上述の共振現象が抑制されなくなる虞がある。
【0008】
本開示は、光受信器において、寄生インダクタンスおよび寄生容量等による共振現象を抑制し、周波数応答特性の劣化を回避する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0009】
一つの例示的実施形態において、光受信器が提供される。光信号を光電流に変換するフォトダイオードと、バイアス端子と、入力端子と、フィルタ回路と、増幅回路と、第1抵抗素子と、バイパス回路と、制御回路と、を備える。フォトダイオードのアノードは、入力端子に電気的に接続される。フォトダイオードのカソードは、バイアス端子に電気的に接続される。バイパス回路は、入力端子に電気的に接続される。制御回路は、増幅回路が出力する出力信号に応じてフィルタ回路、およびバイパス回路を制御する。第1抵抗素子は、増幅回路の入力および出力の間に電気的に接続される。バイパス回路は、光電流の交流成分からバイパス電流を引き抜いて増幅回路に入力する交流電流を低減する第1機能を有し、制御回路から出力される第1指示信号に応じて第1機能をオンするときに入力端子から見たバイパス回路の入力インピーダンスを減少させ、第1指示信号に応じて第1機能をオフするときに、入力端子から見たバイパス回路の入力インピーダンスを増加させる。フィルタ回路は、バイアス端子から見たフィルタ回路の入力インピーダンスを増減する第2機能を有し、制御回路から出力される第2指示信号に応じて第2機能をオンするときにバイアス端子から見たフィルタ回路の入力インピーダンスを増加させ、第2指示信号に応じて第2機能をオフするときに、バイアス端子から見たフィルタ回路の入力インピーダンスを減少させる。制御回路は、増幅回路の出力信号に基づいてバイパス回路に第1機能のオンを指示する第1指示信号を出力する場合には、フィルタ回路に第2機能のオンを指示する第2指示信号を出力し、増幅回路の出力信号に基づいてバイパス回路に第1機能のオフを指示する第1指示信号を出力する場合には、フィルタ回路に第2機能のオフを指示する第2指示信号を出力する。
【発明の効果】
【0010】
本開示によれば、光受信器において、寄生インダクタンスおよび寄生容量等による共振現象を抑制し、周波数応答特性の劣化を回避し得る。
【図面の簡単な説明】
【0011】
図1は、一つの例示的実施形態に係る光受信器の構成を示す図である。
図2は、図1に示す増幅回路の具体的な構成の一例を示す図である。
図3は、図1に示すフィルタ回路の主要な構成の一例を示す図である。
図4は、図1に示すフィルタ回路の主要な構成の一例を示す図である。
図5は、図1に示すフィルタ回路の主要な構成の一例を示す図である。
図6は、図1に示す制御回路に含まれる構成の一例を示す図である。
図7は、図1に示す制御回路に含まれる構成の一例を示す図である。
図8は、図1に示す光受信器の奏する効果を説明するための図である。
図9は、図1に示す光受信器の奏する効果を説明するための図である。
図10は、図1に示す光受信器の奏する効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
[例示的実施形態の説明]
以下、種々の例示的実施形態について説明する。一つの例示的実施形態において、光受信器が提供される。光信号を光電流に変換するフォトダイオードと、バイアス端子と、入力端子と、フィルタ回路と、増幅回路と、第1抵抗素子と、バイパス回路と、制御回路と、を備える。フォトダイオードのアノードは、入力端子に電気的に接続される。フォトダイオードのカソードは、バイアス端子に電気的に接続される。バイパス回路は、入力端子に電気的に接続される。制御回路は、増幅回路が出力する出力信号に応じてフィルタ回路、およびバイパス回路を制御する。第1抵抗素子は、増幅回路の入力および出力の間に電気的に接続される。バイパス回路は、光電流の交流成分からバイパス電流を引き抜いて増幅回路に入力する交流電流を低減する第1機能を有し、制御回路から出力される第1指示信号に応じて第1機能をオンするときに入力端子から見たバイパス回路の入力インピーダンスを減少させ、第1指示信号に応じて第1機能をオフするときに、入力端子から見たバイパス回路の入力インピーダンスを増加させる。フィルタ回路は、バイアス端子から見たフィルタ回路の入力インピーダンスを増減する第2機能を有し、制御回路から出力される第2指示信号に応じて第2機能をオンするときにバイアス端子から見たフィルタ回路の入力インピーダンスを増加させ、第2指示信号に応じて第2機能をオフするときに、バイアス端子から見たフィルタ回路の入力インピーダンスを減少させる。制御回路は、増幅回路の出力信号に基づいてバイパス回路に第1機能のオンを指示する第1指示信号を出力する場合には、フィルタ回路に第2機能のオンを指示する第2指示信号を出力し、増幅回路の出力信号に基づいてバイパス回路に第1機能のオフを指示する第1指示信号を出力する場合には、フィルタ回路に第2機能のオフを指示する第2指示信号を出力する。入力と出力との間の線形性を維持するために増幅回路に入力する交流電流を低減する場合には、入力インピーダンスが低減されるので寄生インダクタンスと寄生容量による共振現象に対するダンピングも低減される。しかし、この場合には、寄生インダクタンスと寄生容量による共振現象がフィルタ回路によって低減され、寄生インダクタンスと寄生容量による共振現象に起因する周波数応答特性の劣化が抑制され得る。
【0013】
一つの例示的実施形態において、フィルタ回路は、電界効果トランジスタと、第2抵抗素子および第3抵抗素子と、キャパシタとを備える。第2抵抗素子の一端は、バイアス端子に電気的に接続される。キャパシタは、第2抵抗素子の一端および電界効果トランジスタのドレインの間に電気的に接続される。電界効果トランジスタのソースは、接地される。第3抵抗素子は、電界効果トランジスタのソースおよびドレインの間に電気的に接続される。電界効果トランジスタのゲートは、第2指示信号を受ける。
【0014】
一つの例示的実施形態において、フィルタ回路は、電界効果トランジスタと、第2抵抗素子および第3抵抗素子と、第1キャパシタおよび第2キャパシタとを備える。第2抵抗素子の一端は、バイアス端子に電気的に接続される。第1キャパシタは、第2抵抗素子の一端および電界効果トランジスタのドレインの間に電気的に接続される。電界効果トランジスタのソースは、接地される。電界効果トランジスタのゲートは、第2指示信号を受ける。第2キャパシタは、第2抵抗素子の一端および第3抵抗素子の間に電気的に接続され、第3抵抗素子を介して接地されている。
【0015】
一つの例示的実施形態において、フィルタ回路は、電界効果トランジスタと、第2抵抗素子および第3抵抗素子と、第1キャパシタおよび第2キャパシタとを備える。第2抵抗素子の一端は、バイアス端子に電気的に接続される。第1キャパシタは、第2抵抗素子の一端および電界効果トランジスタのドレインの間に電気的に接続される。電界効果トランジスタのソースは、接地される。電界効果トランジスタのゲートは、第2指示信号を受ける。第3抵抗素子は、第2抵抗素子の一端および第2キャパシタの間に電気的に接続される。第2キャパシタを介して接地されている。
【0016】
一つの例示的実施形態において、制御回路は、第1電界効果トランジスタ、第2電界効果トランジスタ、第3電界効果トランジスタ、第4電界効果トランジスタ、第5電界効果トランジスタ、および第6電界効果トランジスタと、第4抵抗素子、第5抵抗素子、第6抵抗素子、および第7抵抗素子と、電流源とを備える。第1電界効果トランジスタのゲートには、外部から供給される基準信号が入力される。第2電界効果トランジスタのゲートには、増幅回路の出力信号に応じた信号が入力される。第1電界効果トランジスタのソースは、第4抵抗素子を介して電流源に電気的に接続される。第2電界効果トランジスタのソースは、第5抵抗素子を介して電流源に電気的に接続される。第3電界効果トランジスタのドレインは、第6抵抗素子を介して接地され、第2指示信号をフィルタ回路に出力する。第4電界効果トランジスタのドレインは、第7抵抗素子を介して接地され、第1指示信号をバイパス回路に出力する。第1電界効果トランジスタおよび第5電界効果トランジスタのそれぞれのドレインと第3電界効果トランジスタのゲートとは、互いに電気的に接続される。第2電界効果トランジスタおよび第6電界効果トランジスタのそれぞれのドレインと第4電界効果トランジスタのゲートとは、互いに電気的に接続される。第3電界効果トランジスタ、第4電界効果トランジスタ、第5電界効果トランジスタ、および第6電界効果トランジスタのそれぞれのソースは、互いに電気的に接続される。
【0017】
[例示的実施形態の詳細]
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【0018】
図1を参照して、一つの例示実施形態に係る光受信器1の構成を説明する。光受信器1は、フォトダイオードPDと、トランスインピーダンス増幅回路APとを備える。トランスインピーダンス増幅回路APは、フィルタ回路FLと、増幅回路AMと、抵抗素子RF(第1抵抗素子)と、バイパス回路ACNと、制御回路AGCとを備える。トランスインピーダンス増幅回路APは、更に、出力回路BUFを備える。抵抗素子RFは、例えば550[Ω]程度の抵抗値を有し得る。
【0019】
フォトダイオードPDは、トランスインピーダンス増幅回路APに電気的に接続される。詳細には、フォトダイオードPDのアノードは、入力端子INを介して、増幅回路AMの入力に電気的に接続される。入力端子INは、フォトダイオードPDのアノードに接続される。
【0020】
フォトダイオードPDのカソードは、バイアス端子CTを介して、フィルタ回路FLに電気的に接続される。バイアス端子CTは、フォトダイオードPDのカソードに接続される。バイアス端子CTは、フォトダイオードPDの動作に必要なバイアス電圧をフォトダイオードPDに供給する。フォトダイオードPDは、バイアス電圧によって逆方向にバイアスされる。フォトダイオードPDは、外部の光導波路(光ファイバ)から光信号を受け、光信号を光電流に変換する。光電流は、トランスインピーダンス増幅回路APの入力端子INに入力される。
【0021】
バイパス回路ACNは、増幅回路AMの入力に電気的に接続される。バイパス回路ACNは、制御回路AGCに電気的に接続される。バイパス回路ACNは、増幅回路AMに入力する交流電流を低減するバイパス機能(第1機能)を有する。これは、例えば、入力端子INに入力された光電流の交流成分の一部がバイパス電流としてバイパス回路に流れ込むことによって行われる。すなわち、光電流からバイパス電流が除去されることで増幅回路AMに入力する交流電流は、光電流よりも減少する。バイパス回路ACNは、制御回路AGCから出力される利得制御電圧Vacn(第1指示信号)に応じて第1機能のオン・オフを切り替える。例えば、第1機能をオンするときは、入力端子INからバイパス回路ACNに向けてバイパス電流を流し(引き込み)、増幅回路AMに入力する交流電流を光電流よりも減少させる。第1機能をオフするときは、バイパス電流を流さず、増幅回路AMに入力する交流電流は光電流と等しくなる。
【0022】
バイパス回路ACNは、第1機能を実現するために、例えばMOS型電界効果トランジスタを備え得る。この場合、例えば、MOS型電界効果トランジスタのドレインは増幅回路AMの入力に電気的に接続され、MOS型電界効果トランジスタのゲートは制御回路AGCに電気的に接続される。なお、入力端子INは、増幅回路AMの入力に電気的に接続されているため、MOS型電界効果トランジスタのドレインは入力端子INに電気的に接続されている。MOS型電界効果トランジスタのソースは、例えば、グランドに電気的に接続される。MOS型電界効果トランジスタのゲートは、制御回路AGCから利得制御電圧Vacnを受ける。
【0023】
バイパス回路ACNのMOS型電界効果トランジスタが利得制御電圧Vacnによってオン状態になると、フォトダイオードPDの入力端子INから出力される交流電流の一部はバイパス電流としてバイパス回路ACNに流れ、増幅回路AMに入力する交流電流の振幅は光電流の振幅よりも低減される。この場合、バイパス回路ACNの第1機能は、オンとなる。このとき、増幅回路AMの入力に並列にMOS型電界効果トランジスタのオン抵抗が接続された状態となり、フォトダイオードPDから見たトランスインピーダンス増幅回路APの入力端子INの入力インピーダンスは、第1機能をオフしたときと比べて相対的に低くなる。
【0024】
バイパス回路ACNのMOS型電界効果トランジスタが利得制御電圧Vacnによってオフ状態になると、フォトダイオードPDのアノード端子から入力端子INに入力される光電流は、バイパス回路ACNには流れずにそのまま交流電流として増幅回路AMに入力する。この場合、バイパス回路ACNの第1機能は、オフとなる。このとき、MOS型電界効果トランジスタのドレイン・ソース間のインピーダンスは数十KΩ以上の高抵抗値となるため、フォトダイオードPDから見たトランスインピーダンス増幅回路APの入力端子INの入力インピーダンスは、第1機能をオンしたときと比べて相対的に高くなる。
【0025】
フォトダイオードPDの寄生インダクタンスおよび寄生容量による共振現象に対して、トランスインピーダンス増幅回路APの入力インピーダンスが大きくなると共振現象を抑制(ダンピング)する作用が強まり、トランスインピーダンス増幅回路APの入力インピーダンスが小さくなると共振現象を抑制(ダンピング)する作用が弱まる。従って、第1機能をオフしているときには、共振現象が抑えられていても、第1機能をオンしたときは、共振現象を抑制しきれない場合がある。
【0026】
フィルタ回路FLは、電源VPDに電気的に接続される。フィルタ回路FLは、ローパスフィルタを構成し、フォトダイオードPDの動作に必要なバイアス電圧を安定化してバイアス端子CTを介してフォトダイオードPDに供給する。フィルタ回路FLは、さらに制御回路AGCに電気的に接続される。フィルタ回路FLは、フォトダイオードPDを流れる共振現象を抑制するダンピング機能(第2機能)を有する。ここでいう共振現象は、上述のボンディングワイヤの有する寄生インダクタンスや信号配線の有する寄生容量がLC共振を起こすことによって生じる。フィルタ回路FLは、制御回路AGCから出力されるフィルタ制御電圧Vfc(第2指示信号)に応じて第2機能のオン・オフを切り替える。第2機能のオンとオフについては後述する。
【0027】
制御回路AGCは、増幅回路AMの出力、フィルタ回路FL、およびバイパス回路ACNのそれぞれに電気的に接続される。制御回路AGCは、増幅回路AMの出力信号に応じてフィルタ回路FLおよびバイパス回路ACNを制御する。
【0028】
詳細には、制御回路AGCは、増幅回路AMの出力電圧Vamout(出力信号)に基づいてバイパス回路ACNに第1機能のオンを指示する利得制御電圧Vacnを出力する場合には、フィルタ回路FLに第2機能のオンを指示するフィルタ制御電圧Vfcを出力する。
【0029】
制御回路AGCは、増幅回路AMの出力電圧Vamoutに基づいてバイパス回路ACNに第1機能のオフを指示する利得制御電圧Vacnを出力する場合には、フィルタ回路FLに第2機能のオフを指示するフィルタ制御電圧Vfcを出力する。
【0030】
出力回路BUFは、差動増幅器であり得る。出力回路BUFの差動入力の一方は、増幅回路AMの出力に電気的に接続される。出力回路BUFの差動入力の他方は、例えば、直流電源回路Vrefに電気的に接続される。出力回路BUFの差動出力の一方は、出力端子OUTpに電気的に接続される。出力回路BUFの差動出力の他方は、出力端子OUTnに電気的に接続される。出力回路BUFは、差動入力の一方と差動入力の他方との電圧差を増幅して差動出力の一方と差動出力の他方との電圧差として出力する。
(【0031】以降は省略されています)

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半導体モジュール
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