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公開番号2021047203
公報種別公開特許公報(A)
公開日20210325
出願番号2020204915
出願日20201210
発明の名称電子部品
出願人ローム株式会社
代理人特許業務法人あい特許事務所
主分類G01L 9/00 20060101AFI20210226BHJP(測定;試験)
要約【課題】センサ素子の外気接触領域を覆う蓋が不要となる電子部品を提供する。
【解決手段】センサ素子は、その外気接触用表面が第1凹部の底面に対向し、かつ、外気接触領域と第1凹部の底面との間に外気が流通する隙間が形成された状態で、第1凹部の底面に接合されており、集積回路素子は、その一方表面が第2凹部の底面に対向した状態で、第2凹部の底面に接合されており、第1凹部の底面から、第1凹部と第2凹部とを連通する側部を通って第2凹部の底面に延びた素子/回路接続配線を有し、素子/回路接続配線はセンサ素子と集積回路とを接続している。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項1】
外気に晒されるべき外気接触領域を含む外気接触用表面を備えたセンサ素子と、
前記センサ素子の出力信号を処理する集積回路素子と、
前記センサ素子および前記集積回路素子を支持するための支持基板とを含み、
前記支持基板には、前記支持基板の前記一方表面から窪みかつ側面全体が前記支持基板からなる側壁によって取り囲まれた凹部が形成されており、
前記凹部は、平面視矩形状の第1凹部と、平面視において前記第1凹部の4つの辺のうちの1つの辺から前記第1凹部の外方に延びかつ前記第1凹部における前記1つの辺に対応する側部に連通しかつ前記第1凹部よりも深さが浅い第2凹部とからなり、
前記センサ素子は、その外気接触用表面が前記第1凹部の底面に対向し、かつ、前記外気接触領域と前記第1凹部の底面との間に外気が流通する隙間が形成された状態で、前記第1凹部の底面に接合されており、
前記集積回路素子は、その一方表面が前記第2凹部の底面に対向した状態で、前記第2凹部の底面に接合されており、
前記第1凹部の底面から、前記第1凹部と前記第2凹部とを連通する前記側部を通って前記第2凹部の底面に延びた素子/回路接続配線を有し、
前記素子/回路接続配線は前記センサ素子と前記集積回路とを接続している、電子部品。
続きを表示(約 680 文字)【請求項2】
前記集積回路素子は、前記一方表面と、前記一方表面とは反対側の他方表面と、前記一方表面と前記他方表面とを接続する側面とを有しており、
前記集積回路素子の前記側面全体が、前記凹部の側壁によって取り囲まれており、
前記集積回路は、前記凹部の底面によってのみ支持されている、請求項1に記載の電子部品。
【請求項3】
前記センサ素子の外気接触用表面側に形成された複数の第1電極と、
前記第1凹部の底面に形成された複数の第1パッドとをさらに含み、
前記複数の第1電極が、前記複数の第1パッドに接合されている、請求項1または2に記載の電子部品。
【請求項4】
前記集積回路素子の前記一方表面側に形成された複数の第2電極と、
前記第2凹部の底面に形成された複数の第2パッドとをさらに含み、
前記複数の第2電極が、前記複数の第2パッドに接合されている、請求項3に記載の電子部品。
【請求項5】
前記支持基板の前記一方表面における前記凹部を取り囲む領域に形成され、前記複数の第2パッドのいずれかと接続された複数の外部端子をさらに含む、請求項4に記載の電子部品。
【請求項6】
前記複数の第2パッドは、前記素子/回路接続配線を介して前記複数の第1パッドのいずれかと接続された第2パッドと、前記支持基板の前記一方表面に形成されたパッド/端子接続配線を介して前記複数の外部端子のいずれかと接続された第2パッドとを含む、請求項5に記載の電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
この発明は、外気に晒されるべき外気接触領域を含む外気接触用表面を有するセンサ素子を備えた電子部品に関する。外気接触用表面を有するセンサ素子としては、気圧センサ素子、湿度センサ素子等が挙げられる。
続きを表示(約 10,000 文字)【背景技術】
【0002】
図57は、従来の気圧センサ素子を備えた電子部品(以下、「気圧検出装置」という。)を示す断面図である。
従来の気圧検出装置601は、気圧センサ素子602と、気圧センサ素子602を支持する支持基板603と、気圧センサ素子602を覆う蓋604とを含む。蓋604は、たとえば、金属からなる。蓋604には、蓋604を厚さ方向に貫通する通気孔604aが形成されている。
【0003】
気圧センサ素子602は、支持基板603に固定されたガラス台座611と、ガラス台座611上に設けられたシリコン基板612と、シリコン基板612に支持されたダイヤフラム613とを含む。シリコン基板612には、厚さ方向に貫通するキャビティ614が形成されている。台座611に、シリコン基板612が接合されている。台座611は、キャビティ614の底面部を区画している。ダイヤフラム613は、キャビティ614の天面部を区画している。ダイヤフラム613は、キャビティ614の天面部を区画している可動部613Aと、可動部613Aの周囲の固定部613Bとからなる。ダイヤフラム613の固定部613Bが、シリコン基板612上に接合されている。可動部613Aには、歪ゲージ抵抗(図示略)が形成されている。
【0004】
ダイヤフラム613の可動部613Aは、キャビティ内の圧力(基準圧力)と外気圧との差に応じて歪を生じる。この歪量を、歪ゲージ抵抗の電気抵抗値の変化量として検出することにより、外気圧を検出する。したがって、ダイヤフラム613のキャビティ614とは反対側の表面のうちの可動部613Aの表面は、外気に晒される必要がある外気接触領域Saである。気圧センサ素子2のダイヤフラム側の表面は、外気に晒されるべき外気接触領域Saを含む外気接触用表面Sである。気圧センサ素子602の外気接触領域Saは、外気に晒される必要があるが、壊れやすいため指等が触れないように保護する必要がある。そこで、気圧センサ素子602の外気接触領域Saは、蓋604によって覆われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
国際公開第2011/010571号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
前述の従来例では、気圧センサ素子の外気接触領域を覆うための蓋が必要となる。このため、気圧センサ装置の高さが大きくなるとともに、コストが高くなるという問題がある。
この発明の目的は、センサ素子の外気接触領域を覆う蓋が不要となる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
この発明の一実施形態は、外気に晒されるべき外気接触領域を含む外気接触用表面を備えたセンサ素子と、前記センサ素子の出力信号を処理する集積回路素子と、前記センサ素子および前記集積回路素子を支持するための支持基板とを含み、前記支持基板には、前記支持基板の前記一方表面から窪みかつ側面全体が前記支持基板からなる側壁によって取り囲まれた凹部が形成されており、前記凹部は、平面視矩形状の第1凹部と、平面視において前記第1凹部の4つの辺のうちの1つの辺から前記第1凹部の外方に延びかつ前記第1凹部における前記1つの辺に対応する側部に連通しかつ前記第1凹部よりも深さが浅い第2凹部とからなり、前記センサ素子は、その外気接触用表面が前記第1凹部の底面に対向し、かつ、前記外気接触領域と前記第1凹部の底面との間に外気が流通する隙間が形成された状態で、前記第1凹部の底面に接合されており、前記集積回路素子は、その一方表面が前記第2凹部の底面に対向した状態で、前記第2凹部の底面に接合されており、前記第1凹部の底面から、前記第1凹部と前記第2凹部とを連通する前記側部を通って前記第2凹部の底面に延びた素子/回路接続配線を有し、前記素子/回路接続配線は前記センサ素子と前記集積回路とを接続している、電子部品を提供する。
【0008】
この構成では、センサ素子の外気接触用表面(外気接触領域)はセンサ素子を支持するための支持基板によって保護されるから、センサ素子の外気接触領域を保護するための蓋を別途に設ける必要がない。このように、センサ素子を支持基板の一方表面に対向させた状態で支持基板の一方表面に接合した場合でも、センサ素子の外気接触領域と支持基板の一方表面との間には、外気が流通する隙間が形成されているので、センサ素子の外気接触領域を外気に晒すことができる。
【0009】
この発明の一実施形態では、前記集積回路素子は、前記一方表面と、前記一方表面とは反対側の他方表面と、前記一方表面と前記他方表面とを接続する側面とを有しており、前記集積回路素子の前記側面全体が、前記凹部の側壁によって取り囲まれており、前記集積回路は、前記凹部の底面によってのみ支持されている。
この発明の一実施形態では、前記センサ素子の外気接触用表面側に形成された複数の第1電極と、前記第1凹部の底面に形成された複数の第1パッドとをさらに含み、前記複数の第1電極が、前記複数の第1パッドに接合されている。
【0010】
この発明の一実施形態では、前記集積回路素子の前記一方表面側に形成された複数の第2電極と、前記第2凹部の底面に形成された複数の第2パッドとをさらに含み、前記複数の第2電極が、前記複数の第2パッドに接合されている。
この発明の一実施形態では、前記支持基板の前記一方表面における前記凹部を取り囲む領域に形成され、前記複数の第2パッドのいずれかと接続された複数の外部端子をさらに含む。
【0011】
この発明の一実施形態では、前記複数の第2パッドは、前記素子/回路接続配線を介して前記複数の第1パッドのいずれかと接続された第2パッドと、前記支持基板の前記一方表面に形成されたパッド/端子接続配線を介して前記複数の外部端子のいずれかと接続された第2パッドとを含む。
【図面の簡単な説明】
【0012】
図1は、第1の気圧検出装置の図解的な平面図である。
図2は、図1のII−II線に沿う図解的な断面図である。
図3は、図1のIII−III線に沿う図解的な断面図である。
図4は、図1の気圧検出装置の製造工程を示す図解的な断面図である。
図5は、図4の次の工程を示す図解的な断面図である。
図6は、図5の次の工程を示す図解的な断面図である。
図7は、図6の次の工程を示す図解的な断面図である。
図8は、図7の次の工程を示す図解的な断面図である。
図9は、図8の次の工程を示す図解的な断面図である。
図10は、図9の次の工程を示す図解的な断面図である。
図11は、図10の次の工程を示す図解的な断面図である。
図12は、図11の次の工程を示す図解的な断面図である。
図13は、図12の次の工程を示す図解的な断面図である。
図14は、図13の次の工程を示す図解的な断面図である。
図15は、図14の次の工程を示す図解的な断面図である。
図16は、図15の次の工程を示す図解的な断面図である。
図17は、図16の次の工程を示す図解的な断面図である。
図18は、図1に示す気圧検出装置の実装状態を示す図解的な断面図である。
図19は、第1の気圧検出装置の変形例を示す図解的な断面図である。
図20は、図19の気圧検出装置に用いられる気圧センサ素子の外気接触用表面を−Z方向側からみた図である。
図21は、図19の気圧検出装置に用いられる気圧センサ素子の一部拡大断面図である。
図22は、防水・防塵埃壁の変形例を示し、気圧センサ素子の外気接触用表面を−Z方向側からみた図である。
図23は、防水・防塵埃壁の他の変形例を示し、気圧センサ素子の外気接触用表面を−Z方向側からみた図である。
図24は、防水・防塵埃壁のさらに他の変形例を示し、気圧センサ素子の外気接触用表面を−Z方向側からみた図である。
図25は、支持基板の高域部に防水・防塵埃壁が形成された例を示す図解的な断面図である。
図26は、支持基板の高域部に形成された防水・防塵埃壁を示す図解的な平面図である。
図27は、支持基板の高域部に形成される防水・防塵埃壁の変形例を示し、支持基板の高域部を+Z方向側からみた図である。
図28は、支持基板の高域部に形成される防水・防塵埃壁の他の変形例を示し、支持基板の高域部を+Z方向側からみた図である。
図29は、支持基板の高域部に形成される防水・防塵埃壁のさらに他の変形例を示し、支持基板の高域部を+Z方向側からみた図である。
図30は、第2の気圧検出装置の図解的な平面図である。
図31は、図30のXXXI- XXXI線に沿う図解的な断面図である。
図32は、図30に示す気圧検出装置の実装状態を示す図解的な断面図である。
図33は、第2の気圧検出装置の変形例を示す図解的な断面図である。
図34は、図33の気圧検出装置に用いられる気圧センサ素子の外気接触用表面を−Z方向側からみた図である。
図35は、図33の気圧検出装置に用いられる気圧センサ素子の一部拡大断面図である。
図36は、防水・防塵埃壁の変形例を示し、気圧センサ素子の外気接触用表面を−Z方向側からみた図である。
図37は、防水・防塵埃壁の他の変形例を示し、気圧センサ素子の外気接触用表面を−Z方向側からみた図である。
図38は、防水・防塵埃壁のさらに他の変形例を示し、気圧センサ素子の外気接触用表面を−Z方向側からみた図である。
図39は、支持基板の高域部に防水・防塵埃壁が形成された例を示す図解的な断面図であり、図32に対応する切断面を示している。
図40は、支持基板の高域部に形成された防水・防塵埃壁を示す図解的な平面図である。
図41は、支持基板の高域部に形成される防水・防塵埃壁の変形例を示し、支持基板の高域部を+Z方向側からみた図である。
図42は、支持基板の高域部に形成される防水・防塵埃壁の他の変形例を示し、支持基板の高域部を+Z方向側からみた図である。
図43は、支持基板の高域部に形成される防水・防塵埃壁のさらに他の変形例を示し、支持基板の高域部を+Z方向側からみた図である。
図44は、第3の気圧検出装置の図解的な平面図である。
図45は、図44のXLV-XLV線に沿う図解的な断面図である。
図46は、図44に示す気圧検出装置の実装状態を示す図解的な断面図である。
図47は、第3の気圧検出装置の変形例を示す図解的な断面図である。
図48は、図47の気圧検出装置に用いられる気圧センサ素子の外気接触用表面を−Z方向側からみた図である。
図49は、第4の気圧検出装置の図解的な平面図である。
図50は、図49のL-L線に沿う図解的な断面図である。
図51は、図49に示す気圧検出装置の実装状態を示す図解的な断面図である。
図52は、第5の気圧検出装置の図解的な平面図である。
図53は、図52のLIII-LIIIに沿う図解的な断面図である。
図54は、図52に示す気圧検出装置の実装状態を示す図解的な断面図である。
図55は、第6の気圧検出装置の図解的な平面図である。
図56は、図55のLVI-LVI線に沿う図解的な断面図である。
図57は、従来例を示す図解的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下では、本発明に係る電子部品を気圧検出装置に適用した場合の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、第1の気圧検出装置の図解的な平面図である。図1においては、説明の便宜上、気圧センサ素子と集積回路素子とを想像線で示している。図2は、図1のII−II線に沿う図解的な断面図である。図3は、図1のIII−III線に沿う図解的な断面図である。
【0014】
第1の気圧検出装置1は、気圧センサ素子2と、気圧センサ素子2の出力に基づいて気圧検出処理を行う集積回路素子3と、気圧センサ素子2および集積回路素子3を支持する支持基板4とを含む。説明の便宜上、以下では、図1に示した+X方向、−X方向、+Y方向および−Y方向ならびに図2および図3に示した+Z方向および−Z方向を用いることがある。+X方向および−X方向は、平面視矩形の支持基板4の1辺に沿う2つの方向であり、これらを総称するときには単に「X方向」という。+Y方向および−Y方向は支持基板4の前記1辺と直交する他の1辺に沿う2つの方向であり、これらを総称するときには単に「Y方向」という。+Z方向および−Z方向は支持基板4の厚さ方向に沿う2つの方向であり、これらを総称するときには単に「Z方向」という。支持基板4を水平面においたとき、X方向およびY方向は互いに直交する2つの水平な直線(X軸およびY軸)に沿う2つの水平方向(第1水平方向および第2水平方向)となり、Z方向は鉛直な直線(Z軸)に沿う鉛直方向(高さ方向)となる。
【0015】
支持基板4は、平面視(Z方向視)矩形状の基材5と、基材5の+Z側表面に形成された絶縁層6とからなる。基材5は、たとえば、Siからなる。絶縁層6は、たとえば、SiO

からなる。支持基板4は、平面視矩形状に形成されており、一対の主面4a,4bと、これらの主面4a,4bを接続する4つの側面とを有している。支持基板4の一方の主面(+Z方向側の主面)4aの中央部には、他方の主面4bに向かって窪んだ凹部10が形成されている。支持基板4の他方の主面4bは、平坦面である。凹部10は、この実施形態では、平面視において支持基板4の4辺と平行な4辺を有する矩形状である。
【0016】
凹部10は、平面視矩形状の第1凹部11と、平面視において第1凹部11の+Y方向側の一側面に連通し、第1凹部11よりも深さの浅い第2凹部12とからなる。第2凹部12は、第1凹部11に対して+Y方向側に配置されている。平面視において各凹部11,12のX方向の幅は同じであり、両者はX方向に関して位置整合している。
支持基板4の一方の主面4aには、第1凹部11および第2凹部12によって、第1凹部11の底面である低域部13と、第2凹部12の底面である中域部14と、凹部10の周囲領域である高域部15とが形成されている。低域部13は、平面視において、支持基板4の4辺と平行な4辺を有する矩形状である。同様に、中域部14は、平面視において、支持基板4の4辺と平行な4辺を有する矩形状である。高域部15は、平面視において、凹部10を取り囲む矩形環状である。
【0017】
低域部13の+Y方向側の辺を除く3辺と高域部15との間には、それらを接続するための接続部16が形成されている。低域部13の+Y方向側の辺と中域部14の−Y方向側の辺との間には、それらを接続するための接続部17が形成されている。中域部14の−Y方向側の辺を除く3辺と高域部15との間には、それらを接続するための接続部18が形成されている。
【0018】
接続部16,17は、低域部13から中域部14および高域部15に向かうに従って第1凹部11の横断面積が徐々に大きくなるように、傾斜面に形成されている。接続部18は、中域部14から高域部15に向かうに従って第2凹部12の横断面積が徐々に大きくなるように、傾斜面に形成されている。高域部15は、凹部10を挟んでX方向に離間して配置され、平面視がY方向に長い矩形状の第1領域15Aおよび第2領域15Bを含む。
【0019】
支持基板4の主面4a上には、配線膜20が形成されている。配線膜20は、バリアシード層20Aとめっき層20Bとの積層構造を有している。バリアシード層20Aは、めっき層20Bを形成するための下地層であり、絶縁層6上に形成されている。バリアシード層20Aは、たとえば、絶縁層6上に形成されたバリア層としてのTi層と、Ti層上に積層されたシード層としてのCu層とからなる。バリアシード層20Aは、たとえば、スパッタリング法によって形成される。めっき層20Bは、たとえば、Cuからなり、バリアシード層20Aを利用した電界めっきによって形成される。
【0020】
配線膜20は、低域部13の周縁部に形成された複数の第1パッド21と、中域部14の周縁部に形成された複数の第2パッド22と、高域部15の第1領域15Aおよび第2領域15Bに形成された複数の第3パッド23と、パッド間を接続する複数の接続部24とを含んでいる。
複数の第1パッド21は、平面視矩形であり、低域部13の周縁部にたとえば4個形成されている。これらの第1パッド21は、気圧センサ素子2を低域部13に機械的かつ電気的に固定するために設けられている。
【0021】
複数の第2パッド22は、平面視矩形であり、中域部14の周縁部にたとえば12個形成されている。これらの第2パッド22は、集積回路素子3を中域部14に機械的かつ電気的に固定するために設けられている。
複数の第3パッド23は、第1領域15Aおよび第2領域15Bに5個ずつ形成されている。この実施形態では、10個の第3パッド23のうち、第1領域15Aの+Y方向側端に形成された第3パッド23は、気圧センサ素子2および集積回路素子3のいずれにも電気的に接続されないダミーパッドである。各第3パッド23上には、バンプ25が形成されている。第3パッド23とその上に形成されたバンプ25とによって、外部端子26が形成されている。外部端子26は、気圧検出装置1を図示しない回路基板に面実装するために用いられる。
【0022】
接続部24は、第1パッド21と第2パッド22とを接続する複数の第1接続部24Aと、第2パッド22と第3パッド23とを接続する複数の第2接続部24Bと、第1パッド21と外部端子26(第3パッド23)とを接続する第3接続部24Cとを含んでいる。
気圧センサ素子2は、直方体形状であり、第1凹部11内に収容されている。気圧センサ素子2は平面視矩形状の台座31と、台座31の−Z方向側表面に形成された基板32と、基板32に支持されたダイヤフラム33とを含む。台座31は、たとえば、ガラスからなる。基板32には、厚さ方向(Z方向)に貫通する平面視矩形のキャビティ34が形成されている。基板32は、平面視で矩形環状であり、たとえば、Si基板からなる。基板32の−Z方向側表面には絶縁層35が形成されている。
【0023】
台座31に、基板32の+Z方向側表面が接合されている。台座31は、キャビティ34の底面部を区画している。ダイヤフラム33は、基板32の−Z方向側表面に、絶縁層35を介して支持されている。ダイヤフラム33は、キャビティ34の天面部を区画している。ダイヤフラム33は、キャビティ34の天面部を区画している平面視矩形状の可動部33Aと、可動部33Aの周囲の平面視矩形環状の固定部33Bとからなる。ダイヤフラム33の固定部33Bが、シリコン基板32上の絶縁層35に接合されている。ダイヤフラム33の可動部33Aには、歪ゲージ抵抗(図示略)が形成されている。ダイヤフラム33の固定部33Bには、歪ゲージ抵抗に接続された複数のパッド電極(図示略)が設けられている。
【0024】
ダイヤフラム33の可動部33Aは、キャビティ内の圧力(基準圧力)と外気圧との差に応じて歪を生じる。この歪量を、歪ゲージ抵抗の電気抵抗値の変化量として検出することにより、外気圧を検出する。したがって、ダイヤフラム33のキャビティ34とは反対側の表面(−Z方向側表面)のうちの可動部33Aの表面は、外気に晒される必要がある外気接触領域Saである。気圧センサ素子2のダイヤフラム33側の表面は、外気に晒されるべき外気接触領域Saを含む外気接触用表面Sである。
【0025】
気圧センサ素子2は、外気接触用表面Sを低域部(第1凹部11の底面)13に対向させたフェースダウン状態で、低域部13に接合されている。具体的には、気圧センサ素子2の外気接触用表面Sに設けられた複数のパッド電極が、低域部13に形成された第1パッド21に、はんだ層41を介して機械的および電気的に接合されている。気圧センサ素子2の外気接触用表面S(外気接触領域Sa)と低域部13との間には、第1パッド21の厚さにはんだ層41の厚さを加えた厚さ分の隙間が形成されている。つまり、気圧センサ素子2の外気接触領域Saと低域部13との間には、少なくとも第1パッド21の厚さ分の隙間が存在している。
【0026】
集積回路素子3は、この実施形態では、いわゆるASIC(Application Specific Integrated Circuit)素子として構成されている。集積回路素子3は、Z方向に扁平な直方体形状であり、その大部分が第2凹部12内に収容されている。集積回路素子3の一方の表面(−Z方向側表面、以下、「実装面」という。)には、複数のパッド電極(図示略)が設けられている。集積回路素子3は、その実装面を中域部14に対向させた状態で、中域部14に接合されている。具体的には、集積回路素子3の実装面に設けられた複数のパッド電極(図示略)が、中域部14に形成された第2パッド22に、はんだ層42を介して機械的および電気的に接合されている。集積回路素子3は、その大部分が第2凹部12内に収容され、その−Y方向側の端部が第1凹部11内に収容されている。つまり、集積回路素子3の−Y方向側の端部は、第2凹部12から第1凹部11内に突出している。
【0027】
集積回路素子3は、気圧センサ素子2での歪ゲージ抵抗の電気抵抗値の変化量に応じた信号を処理等するために用いることができる。集積回路素子3の信号処理結果は、第2接続部24Bおよび外部端子26を介して外部に出力することができる。
図4〜図12は、気圧検出装置1の製造工程の一例を説明するための断面図であり、図3に対応する切断面を示す。
【0028】
まず、図4に示すように、Z方向において互いに反対側を向く一対の主面71a,71bを有するウエハ状のSi基板71が用意される。次に、たとえば、熱酸化法により、Si基板71の主面71aにマスク用酸化膜72が形成される。
次に、図5に示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、マスク用酸化膜72のうち、第1凹部11を形成すべき領域に対応する部分が除去される。
【0029】
次に、図6に示すように、マスク用酸化膜72からなるハードマスクを用いて、Si基板71がエッチングされる。エッチングとしては、たとえば、水酸化カリウム(KOHを含むエッチャントを用いたウェットエッチング(異方性エッチング)が用いられる。これにより、第1凹部11が形成される。
次に、図7に示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、マスク用酸化膜72のうち、第2凹部12を形成すべき領域に対応する部分が除去される。
【0030】
次に、図8に示すように、マスク用酸化膜72からなるハードマスクを用いて、Si基板71がエッチングされる。これにより、第1凹部11に繋がる第2凹部12が形成される。
次に、図9に示すように、エッチングにより、マスク用酸化膜72が除去される。この後、Si基板71の凹部11,12の内面を含む主面71aの表面全域に、たとえば、熱酸化法によってSiO

からなる絶縁層73を形成する。
(【0031】以降は省略されています)

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