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公開番号2021044437
公報種別公開特許公報(A)
公開日20210318
出願番号2019166261
出願日20190912
発明の名称受光装置
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 31/02 20060101AFI20210219BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ボンディングワイヤを介して受光素子とTIAとを接続し、共振による不透過帯域を高周波側に移動させることができる受光装置を提供する。
【解決手段】受光装置1Aは、配線基板3と、配線基板3第1面上3aの第1基準電位パターンと第2基準電位パターン15bとの間にキャリア5と、キャリア5上に受光素子9と、第1基準電位パターンにトランスインピーダンスアンプ7と、第2基準電位パターン15b上にキャパシタ11とを備える。キャリア5の第1配線パターン及び第2配線パターン15bは、第1面3a法線方向から見て第1基準電位パターンおよび第2基準電位パターン15bのいずれとも重なっていない。第1基準電位パターンと第2基準電位パターン15bとは、第1面3a上の基準電位パターン15、及び/又は配線基板3内部及び第2面のうち少なくとも一方に形成された基準電位パターン15を介して互いに電気的に接続されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
平面状の第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、前記第1面上に互いに離間して形成された第1基準電位パターンおよび第2基準電位パターンと、前記第1面上に形成された信号配線パターンと、を有する配線基板と、
絶縁性の基材と、該基材の平面状の第3面に形成された第1配線パターン及び第2配線パターンと、を有し、前記配線基板の前記第1面上において前記第1基準電位パターンと前記第2基準電位パターンとの間に配置されたキャリアと、
第1電極および第2電極を有し、前記キャリアの前記第3面上に搭載され、前記第1電極が前記第1配線パターンと電気的に接続され、前記第2電極が前記第2配線パターンと電気的に接続された受光素子と、
平面状の第4面と、前記第4面上に形成された第1端子および第2端子と、を有し、前記配線基板の前記第1基準電位パターンに実装され、前記第1端子は第1ワイヤを介して前記配線基板の前記信号配線パターンと電気的に接続され、前記第2端子は第2ワイヤを介して前記キャリアの前記第1配線パターンと電気的に接続されたトランスインピーダンスアンプと、
第3電極および第4電極を有し、前記配線基板の前記第2基準電位パターン上に実装され、前記第3電極が前記キャリアの前記第2配線パターンと電気的に接続され、前記第4電極が前記第2基準電位パターンと電気的に接続されたキャパシタと、
を備え、
前記キャリアの前記第1配線パターン及び前記第2配線パターンは、前記配線基板の前記第1面の法線方向から見て前記第1基準電位パターンおよび前記第2基準電位パターンのいずれとも重なっておらず、
前記配線基板の前記第1基準電位パターンと前記第2基準電位パターンとは、前記配線基板の前記第1面上に形成され前記第1面の法線方向から見て前記キャリアの前記第1配線パターン及び前記第2配線パターンのいずれとも重ならない第3基準電位パターン、並びに、前記配線基板の内部及び前記第2面のうち少なくとも一方に形成された第4基準電位パターンのうち少なくとも一方を介して互いに電気的に接続されている、受光装置。
続きを表示(約 580 文字)【請求項2】
前記配線基板は、前記配線基板の内部及び前記第2面のうち少なくとも一方に設けられた前記第4基準電位パターンと、前記第4基準電位パターンと前記第1基準電位パターンとの間の絶縁層を貫通する第1ビアと、前記第4基準電位パターンと前記第2基準電位パターンとの間の絶縁層を貫通する第2ビアと、を有し、前記第1基準電位パターンと前記第2基準電位パターンとは前記第4基準電位パターン、前記第1ビア、および前記第2ビアを介して互いに電気的に接続されている、請求項1に記載の受光装置。
【請求項3】
前記第4基準電位パターンは、前記配線基板の前記第1面の法線方向から見て前記キャリアと重なる領域を有する、請求項2に記載の受光装置。
【請求項4】
前記配線基板は、前記第1面上に形成された第3基準電位パターンを有し、前記第3基準電位パターンは、前記キャリアの側方を通り前記第1基準電位パターンと前記第2基準電位パターンとを互いに電気的に接続する、請求項1に記載の受光装置。
【請求項5】
前記配線基板の前記第1面から前記トランスインピーダンスアンプの前記第4面までの高さは、前記配線基板の前記第1面から前記キャリアの前記第3面までの高さに等しく設定されている、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の受光装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、受光装置に関する。
続きを表示(約 9,500 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、受光素子およびトランスインピーダンスアンプを備える光受信モジュールが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2017−135194号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
例えば光受信器などの受光装置においては、受光素子から出力される電気信号(一例では電流信号)が、トランスインピーダンスアンプ(TIA)によって増幅される。その場合、図10に示すように、配線パターンを有するキャリア102上に受光素子101を実装し、キャリア102上の配線パターンとTIA103とをボンディングワイヤ104を介して接続することがある。しかしながらこのような構成では、次の課題が生じる。すなわち、キャリア102上の配線パターンとキャリア102下の導電体105との間には、寄生容量が生じる。また、近年の光通信の高速化等により、光信号の周波数は高くなる一方であり、例えば数十GHzといった周波数帯域が用いられつつある。このような周波数帯域において、上述した寄生容量とボンディングワイヤ104のインダクタンスとによる共振周波数が存在すると、電気信号の不透過帯域が生じ、信号波形の劣化、チャネル間クロストークといった通信品質の低下を生じさせる虞がある。
【0005】
そこで、ボンディングワイヤを介して受光素子とTIAとを接続しつつ、共振による不透過帯域を高周波側に移動させることができる受光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一実施形態に係る受光装置は、平面状の第1面と、第1面とは反対側の第2面と、第1面上に互いに離間して形成された第1基準電位パターンおよび第2基準電位パターンと、第1面上に形成された信号配線パターンと、を有する配線基板と、絶縁性の基材と、及び該基材の平面状の第3面に形成された第1配線パターン及び第2配線パターンと、を有し、配線基板の第1面上において第1基準電位パターンと第2基準電位パターンとの間に配置されたキャリアと、第1電極および第2電極を有し、キャリアの第3面上に搭載され、第1電極が第1配線パターンと電気的に接続され、第2電極が第2配線パターンと電気的に接続された受光素子と、平面状の第4面と、第4面上に形成された第1端子および第2端子と、を有し、配線基板の第1基準電位パターンに実装され、第1端子は第1ワイヤを介して配線基板の信号配線パターンと電気的に接続され、第2端子は第2ワイヤを介してキャリアの第1配線パターンと電気的に接続されたトランスインピーダンスアンプと、第3電極および第4電極を有し、配線基板の第2基準電位パターン上に実装され、第3電極がキャリアの第2配線パターンと電気的に接続され、第4電極が第2基準電位パターンと電気的に接続されたキャパシタと、を備える。キャリアの第1配線パターン及び第2配線パターンは、配線基板の第1面の法線方向から見て第1基準電位パターンおよび第2基準電位パターンのいずれとも重なっておらず、配線基板の第1基準電位パターンと第2基準電位パターンとは、配線基板の第1面上に形成され第1面の法線方向から見てキャリアの第1配線パターン及び第2配線パターンのいずれとも重ならない第3基準電位パターン、並びに、配線基板の内部及び第2面のうち少なくとも一方に形成された第4基準電位パターンのうち少なくとも一方を介して互いに電気的に接続されている。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、ボンディングワイヤを介して受光素子とTIAとを接続しつつ、共振による不透過帯域を高周波側に移動させることができる受光装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、一実施形態に係る受光装置1Aの構成を示す斜視図である。
図2は、キャリア5及びTIA7を取り除いて配線基板3の表面3aを示す斜視図である。
図3の(a)は、第1方向D1に沿った受光装置1Aの断面を模式的に示す図である。図3の(b)は、図3の(a)の一部を拡大して示す図である。
図4は、1つのキャパシタ11の周辺構造を拡大して示す切欠斜視図である。
図5は、TDRによるインピーダンス計算結果を示すグラフである。
図6の(a)は、受光装置1Aの等価回路図である。図6の(b)は、図6の(a)の回路部分E1のみを抽出した等価回路図である。
図7の(a)は、比較例に係る受光装置の等価回路図である。図7の(b)は、図7の(a)の回路部分E2のみを抽出した等価回路図である。
図8は、一変形例に係る受光装置1Bの断面構成を模式的に示す図である。
図9は、別の変形例に係る受光装置1Cの断面構成を模式的に示す図である。
図10は、従来の受光装置の構成を模式的に示す図である。
図11の(a)および(b)は、比較例に係る受光装置100A,100Bの構成を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
[本開示の実施形態の説明]
最初に、本開示の実施形態を列記して説明する。一実施形態に係る受光装置は、平面状の第1面と、第1面とは反対側の第2面と、第1面上に互いに離間して形成された第1基準電位パターンおよび第2基準電位パターンと、第1面上に形成された信号配線パターンと、を有する配線基板と、絶縁性の基材と、及び該基材の平面状の第3面に形成された第1配線パターン及び第2配線パターンと、を有し、配線基板の第1面上において第1基準電位パターンと第2基準電位パターンとの間に配置されたキャリアと、第1電極および第2電極を有し、キャリアの第3面上に搭載され、第1電極が第1配線パターンと電気的に接続され、第2電極が第2配線パターンと電気的に接続された受光素子と、平面状の第4面と、第4面上に形成された第1端子および第2端子と、を有し、配線基板の第1基準電位パターンに実装され、第1端子は第1ワイヤを介して配線基板の信号配線パターンと電気的に接続され、第2端子は第2ワイヤを介してキャリアの第1配線パターンと電気的に接続されたトランスインピーダンスアンプと、第3電極および第4電極を有し、配線基板の第2基準電位パターン上に実装され、第3電極がキャリアの第2配線パターンと電気的に接続され、第4電極が第2基準電位パターンと電気的に接続されたキャパシタと、を備える。キャリアの第1配線パターン及び第2配線パターンは、配線基板の第1面の法線方向から見て第1基準電位パターンおよび第2基準電位パターンのいずれとも重なっておらず、配線基板の第1基準電位パターンと第2基準電位パターンとは、配線基板の第1面上に形成され第1面の法線方向から見てキャリアの第1配線パターン及び第2配線パターンのいずれとも重ならない第3基準電位パターン、並びに、配線基板の内部及び第2面のうち少なくとも一方に形成された第4基準電位パターンのうち少なくとも一方を介して互いに電気的に接続されている。
【0010】
受光素子に光が入射すると、受光素子はその光量に応じた大きさの電流信号を出力する。電流信号は、受光素子の一方の電極からキャリア上の第1配線パターン及び第2ワイヤを経て、TIAの第2端子に入力される。TIAは、入力した電流信号を電圧信号に変換する。電圧信号はTIAの第1端子から出力され、第1ワイヤ及び信号配線パターンを通って受光装置の外部(または受光装置内の他の電子部品)に提供される。
【0011】
この受光装置では、第1配線パターン及び第2配線パターンが、配線基板の表面の法線方向から見て基準電位パターンと重なっていない。従って、第1配線パターン及び第2配線パターンが基準電位パターンと対向しないので、第1配線パターン及び第2配線パターンに生じる寄生容量を低減できる。故に、この受光装置によれば、寄生容量に起因する共振周波数を高くして、共振による不透過帯域を高周波側に移動させることができる。従って、信号波形の劣化、チャネル間クロストークといった通信品質の低下を抑制することができる。
【0012】
また、寄生容量に配慮してキャリアを厚くする必要がなくなるため、キャリアを薄くする(すなわち配線基板を基準とするキャリア表面の高さを低くする)ことができる。これにより、キャリア上の第1配線パターンと、配線基板上の信号配線パターンとの高低差が小さくなり、第1ワイヤ及び第2ワイヤを合わせた長さ(特に、キャリア上の第1配線パターンの高さとTIA上面の第2端子の高さとを同じにする場合には、第1ワイヤの長さ)を短くすることができる。
【0013】
また、上記の受光装置では、受光素子の他方の電極と基準電位パターンとの間に、キャパシタが直列に接続されている。この場合、受光素子とキャパシタの間の配線のインダクタンスとキャパシタの容量とによって共振周波数が更に高くなり、共振による不透過帯域が更に高周波側に移動するので、通信品質の低下をより効果的に抑制することができる。そして、キャパシタの他方の電極が接続されている基準電位パターンの第2領域と、TIAが実装されている基準電位パターンの第1領域とは、配線基板の表面上及び配線基板の内部のうち少なくとも一方に設けられた配線を介して互いに電気的に接続されている。従って、第1配線パターン及び第2配線パターンの寄生容量の増大を抑制しつつ、基準電位パターンの第1領域及び第2領域の電位を安定させることができる。
【0014】
上記の受光装置において、配線基板は、配線基板の内部及び第2面のうち少なくとも一方に設けられた第4基準電位パターンと、第4基準電位パターンと第1基準電位パターンとの間の絶縁層を貫通する第1ビアと、第4基準電位パターンと第2基準電位パターンとの間の絶縁層を貫通する第2ビアと、を有し、第1基準電位パターンと第2基準電位パターンとは第4基準電位パターン、第1ビア、および第2ビアを介して互いに電気的に接続されてもよい。例えばこのような構成によって、基準電位パターンの第1領域と第2領域とを、配線基板の内部に設けられた配線を介して互いに電気的に接続することができる。この場合、第4基準電位パターンは、キャリアから絶縁層の厚み分離れているので、配線基板の第1面の法線方向から見てキャリアと重なる領域を有してもよい。
【0015】
上記の受光装置において、配線基板は、第1面上に形成された第3基準電位パターンを有し、第3基準電位パターンは、キャリアの側方を通り第1基準電位パターンと第2基準電位パターンとを互いに電気的に接続してもよい。例えばこのような構成によって、基準電位パターンの第1領域と第2領域とを、配線基板の表面上に設けられた配線を介して互いに電気的に接続することができる。
【0016】
上記の受光装置において、配線基板の第1面からトランスインピーダンスアンプの第4面までの高さは、配線基板の第1面からキャリアの第3面までの高さに等しく設定されてもよい。
【0017】
[本開示の実施形態の詳細]
本開示の受光装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【0018】
図1は、一実施形態に係る受光装置1Aの構成を示す斜視図である。図2は、キャリア5及びTIA7を取り除いて配線基板3の表面3aを示す斜視図である。図3の(a)は、第1方向D1に沿った受光装置1Aの断面を模式的に示す図である。図3の(b)は、図3の(a)の一部を拡大して示す図である。この受光装置1Aは、例えば100G/λ伝送(一つのピーク波長を有する光信号によって100Gbpsの信号伝送を行う)において使用される53GBaudのPAM4信号伝送を円滑に行うための、COB(Chip on Board)実装型光受信機である。
【0019】
図1〜図3に示すように、受光装置1Aは、配線基板(Printed Circuit Board;PCB)3、キャリア5、TIA7、N個(Nは1以上の整数であり、一例ではN=4)の受光素子9、N個のキャパシタ11、N組の信号配線パターン13、及び基準電位パターン15を備えている。
【0020】
配線基板3は、例えば平面状の表面(第1面)3a及び表面3aとは反対側の裏面(第2面)3bを有するリジッドな多層配線基板である。配線基板3は、例えば積層された複数の絶縁層と、その層間に形成された導電性の配線パターンと、表面3aに形成された導電性の配線パターンとを有する。絶縁層の材質は、例えばFR4(ガラス繊維の布にエポキシ樹脂をしみ込ませ熱硬化処理を施したもの)である。配線パターンの材質は例えばAuまたはCuである。配線基板3の平面形状は例えば略長方形状である。配線基板3は、基準電位パターン15と、N組(図では4組)の信号配線パターン13とを表面3aに有する。信号配線パターン13および基準電位パターン15は、表面3a上に形成された金属膜であり、例えばAuまたはCuからなる。基準電位パターン15は、信号配線パターン13によって伝送される電気信号の基準電位を有する。基準電位パターンは、例えば接地されている。
【0021】
図2に示すように、基準電位パターン15は、第1領域(第1基準電位パターン)15a、第2領域(第2基準電位パターン)15b、及び第3領域(第3基準電位パターン)15cを含む。第1領域15aは、第1方向D1と交差(例えば直交)する第2方向D2を長手方向とする長方形状の領域である。第1領域15a上には、後述するTIA7が実装される。配線基板3の厚さ方向(換言すると、表面3aの法線方向)から見て、第1領域15aはTIA7を包含する大きさの面積及び形状を有する。第2領域15bは、第2方向D2を長手方向とする長方形状の領域である。第2領域15bは、第1方向D1において、第1領域15aと間隔Wをあけて並んで設けられている。すなわち、第1領域15aと第2領域15bは、第1方向D1に互いに離間して形成されている。第2領域15b上には、後述するN個のキャパシタ11が実装される。配線基板3の厚さ方向から見て、第2領域15bはN個のキャパシタ11をまとめて包含する大きさの面積及び形状を有する。
【0022】
第1領域15aと第2領域15bとの隙間からは、配線基板3の表面3aが露出している。この露出した表面3a上には、後述するキャリア5が配置される。第1領域15aと第2領域15bとの間隔Wは、第1方向D1におけるキャリア5の幅よりも大きい。従って、表面3aの法線方向から見て、キャリア5と第1領域15a及び第2領域15bとは互いに重ならない。
【0023】
第1領域15aと第2領域15bとは、配線基板3の表面3a上に設けられた配線を介して互いに電気的に接続されている。本実施形態では、基準電位パターン15が一対の第3領域15cを含んでおり、第1領域15aと第2領域15bとは一対の第3領域15cを介して互いに電気的に接続されている。これらの第3領域15cは、キャリア5の側方を通って配設され、表面3aの法線方向から見て、キャリア5と重ならない。すなわち、一方の第3領域15cは、第1領域15aからキャリア5の一方の側面に沿って第1方向D1に延び、第2領域15bに達する。また、他方の第3領域15cは、第1領域15aからキャリア5の他方の側面に沿って第1方向D1に延び、第2領域15bに達する。従い、基準電位パターン15は、第1領域15a、第2領域15b、及び一対の第3領域15cによって囲まれる開口15dを有する。開口15dは、基準電位パターン15および信号配線パターン13を含め、表面3a上の如何なる配線パターンも含まない。キャリア5は、この開口15dを覆うように配置される。なお、第1領域15aと第2領域15bとは、配線基板3の内部に設けられた配線を介して互いに電気的に接続されてもよく、該配線と第3領域15cとの双方を介して互いに電気的に接続されてもよい。
【0024】
N組の信号配線パターン13は、第1領域15aに対して開口15dとは反対側に設けられ、それぞれ第1方向D1に沿って延びる細長形状を呈している。そして、Nが2以上のとき、N組の信号配線パターン13は、第1領域15aの縁に沿って、第2方向D2に並んで配置されている。各信号配線パターン13の第1領域15a側の一端には、ワイヤボンディングのためのパッドが形成されている。各組の信号配線パターン13は、互いに平行に第1方向D1に延びる一対の配線パターンを有する。各組の信号配線パターン13は、それぞれ差動信号を伝送する。
【0025】
キャリア5は、N個の受光素子9を搭載する板状の部材であって、基準電位パターン15の第1領域15aと第2領域15bとの間に配置されている。キャリア5は、絶縁性の基材51を有する。基材51の材質は、例えば石英である。基材51は、例えば略直方体状といった外形を有しており、長方形状の平面状の表面(第3面)51aと、第1方向D1を法線方向とする一対の側面51b,51cとを有する。表面51aの長手方向は、第2方向D2と一致する。側面51bは第1領域15a側を向いており、第1領域15aの縁に沿って延びている。側面51cは第2領域15b側を向いており、第2領域15bの縁に沿って延びている。キャリア5の厚さは、後述するTIA7の厚さと等しい。換言すると、配線基板3の表面3aを基準面とする表面51aの高さ(距離)は、表面3aを基準面とするTIA7の上面7gの高さ(距離)と等しい。
【0026】
キャリア5は、基材51の表面51aに形成された金属膜であるN本の第1配線パターン5a及びN本の第2配線パターン5bを更に有する。Nが2以上のとき、N本の第1配線パターン5aは、表面51aの長手方向(第2方向D2)に沿って並んでいる。Nが2以上のとき、N本の第2配線パターン5bは、表面51aの長手方向(第2方向D2)に沿って並んでいる。第1配線パターン5a及び第2配線パターン5bの構成材料は例えばAuまたはCuである。
【0027】
前述したように、キャリア5は、表面3aの法線方向から見て、基準電位パターン15の開口15dを覆うように配置されている。言い換えると、キャリア5は、配線基板3の表面3a上において第1領域15aと第2領域15bとの間に配置されている。この開口15dを表面3aの法線方向から見たときの形状は、第1配線パターン5a及び第2配線パターン5bを包含する。言い換えると、表面3aの法線方向から見て、第1配線パターン5a及び第2配線パターン5bと基準電位パターン15とは互いに重ならない。また、表面3aの法線方向から見て第1配線パターン5a及び第2配線パターン5bと重なる表面3aの領域には、基準電位その他の配線パターンは全く設けられていない。但し、第1配線パターン5a及び第2配線パターン5bを除くキャリア5上の他の配線パターンと、基準電位パターン15とは互いに重なってもよい。キャリア5の裏面は、非導電性樹脂といった接着剤を介して配線基板3に接合されている。
【0028】
N個の受光素子9は、それぞれが受光した信号光を電流信号に変換する半導体素子である。各受光素子9は、例えば、図示しない光分波器と光学的に結合されており、光分波器から出力された複数の信号光のうち対応する信号光を受ける。複数の信号光は、それぞれ互いに異なるピーク波長を有する。N個の受光素子9は、キャリア5と対向する面とは反対側の面を受光面としてキャリア5の表面51a上に搭載され、表面51a上において表面51aの長手方向(第2方向D2)に沿って並んでいる。各受光素子9の第1電極(例えばアノード電極)は、対応する第1配線パターン5aと電気的に接続されている。また、各受光素子9の第2電極(例えばカソード電極)は、対応する第2配線パターン5bと電気的に接続されている。上述の電流信号は、各受光素子9の第1電極から第2電極に向けて流れる。
【0029】
TIA7は、例えば第2方向D2を長手方向とする長方形の板状を呈しており、基準電位パターン15の第1領域15a上に実装されている。具体的には、TIA7は基準電位とされる端子を底面に有しており、該端子と第1領域15aとが、はんだ等の導電性接着剤を介して導電接合されている。TIA7は、該底面の反対側に上面(第4面)7gを有しており、該上面7gにはN組の出力信号端子7a(第1端子)及びN個の入力信号端子7b(第2端子)が設けられている。TIA7は、各入力信号端子7bに入力された電流信号を電圧信号に変換して、該電圧信号を出力信号端子7aの対応する組から出力する。
【0030】
N組の出力信号端子7aは、TIA7の信号配線パターン13側の端縁寄りに設けられており、Nが2以上のとき、該端縁に沿って第2方向D2に並んでいる。N個の入力信号端子7bは、TIA7のキャリア5側の端縁寄りに設けられており、Nが2以上のとき、該端縁に沿って第2方向D2に並んでいる。N組の出力信号端子7aは、ボンディングワイヤ(第1ワイヤ)17aを介して、それぞれ対応する信号配線パターン13と電気的に接続されている。すなわち、第1ワイヤ17aの一端は出力信号端子7aに接合しており、第1ワイヤ17aの他端は信号配線パターン13に接合している。配線基板3の表面3aを基準面とする出力信号端子7aの表面高さと、表面3aを基準面とする信号配線パターン13の表面高さとの高低差(すなわちTIA7の厚さ)は、例えば0.15〜0.25mmの範囲内である。また、N個の入力信号端子7bは、ボンディングワイヤ(第2ワイヤ)17bを介して、それぞれ対応する第1配線パターン5aと電気的に接続されている。すなわち、第2ワイヤ17bの一端は入力信号端子7bに接合しており、第2ワイヤ17bの他端は第1配線パターン5aに接合している。
(【0031】以降は省略されています)

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半導体光素子
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高周波増幅器
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光トランシーバ
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ミラー駆動機構
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半導体モジュール
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分岐付きケーブル
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二芯平行ケーブル
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電気絶縁ケーブル
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緊張材の定着構造
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超電導線材接続構造
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炭化珪素半導体装置
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光ファイバケーブル
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光ケーブルの製造方法
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