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公開番号2020171152
公報種別公開特許公報(A)
公開日20201015
出願番号2019071675
出願日20190403
発明の名称半導体装置、並びに電子システム装置及びその駆動方法
出願人ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人ポレール特許業務法人
主分類H02J 1/00 20060101AFI20200918BHJP(電力の発電,変換,配電)
要約【課題】発電装置で発電された電源電圧に基づいて、安定して起動させることができる半導体装置並びに電子システム装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】電子システム装置1は、第1電源電圧を生成する発電装置Pと、第1電源ノードN3を介して発電装置に接続された制御回路CNTと、制御回路に接続された基板バイアス制御回路VBCとを有する半導体装置MC1と、第1電源ノードを介して制御回路と並列に発電装置に接続されたDC-DCコンバータDMと、第1電源ノードとDC-DCコンバータとの間に設けられ、かつ、第1電源ノードとDC-DCコンバータとに接続された第1スイッチS1と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
第1電源電圧を生成する発電装置と、
第1電源ノードを介して前記発電装置に接続された制御回路と、前記制御回路に接続された基板バイアス制御回路とを有する半導体装置と、
前記第1電源ノードを介して前記制御回路と並列に記発電装置に接続されたDC−DCコンバータと、
前記第1電源ノードと前記DC−DCコンバータとの間に設けられ、かつ前記第1電源ノードと前記DC−DCコンバータとに接続された第1スイッチと、
を備え、
前記制御回路は、電界効果トランジスタで構成され、かつ前記第1電源電圧を受け取った後に前記第1スイッチをOFF状態からON状態に設定し、
前記DC−DCコンバータは、前記第1スイッチがON状態に制御された後に前記第1スイッチを介して前記第1電源電圧を受け取り、
前記基板バイアス制御回路は、前記DC−DCコンバータが前記第1電源電圧を受け取る前に、前記電界効果トランジスタへ基板バイアス電圧を供給する、電子システム装置。
続きを表示(約 3,600 文字)【請求項2】
前記基板バイアス制御回路は、前記制御回路が前記第1電源電圧を受け取った後で、かつ前記第1スイッチがOFF状態からON状態に設定される前に前記電界効果トランジスタへ前記基板バイアス電圧を供給する、請求項1に記載の電子システム装置。
【請求項3】
前記DC−DCコンバータは、前記第1電源電圧とは異なる第2電源電圧を生成する、請求項2に記載の電子システム装置。
【請求項4】
インターフェイス装置を更に備え、
前記インターフェイス装置は、前記DC−DCコンバータから第2電源電圧を受け取り、かつ前記半導体装置へデータ信号を供給する、請求項3に記載の電子システム装置。
【請求項5】
前記半導体装置は、前記DC−DCコンバータから前記第2電源電圧を受け取る入出回路を有し、
前記入出回路は、前記第2電源電圧に基づいて動作し、かつ前記インターフェイス装置から前記データ信号を受け取る、請求項4に記載の電子システム装置。
【請求項6】
前記基板バイアス制御回路は、前記入出回路が前記データ信号を受け取る前に前記基板バイアス電圧の供給を止める、請求項5に記載の電子システム装置。
【請求項7】
前記基板バイアス制御回路は、前記入出回路が前記データ信号を受け取った後に前記基板バイアス電圧を再度供給する、請求項6に記載の電子システム装置。
【請求項8】
前記制御回路は、前記基板バイアス制御回路が前記基板バイアス電圧を再度供給した後に、前記第1スイッチをON状態からOFF状態に設定する、請求項7に記載の電子システム装置。
【請求項9】
前記電界効果トランジスタは、
基板と、
前記基板に形成されたウェル領域と、
前記ウェル領域上に絶縁膜を介して形成された半導体層と、
前記半導体層内に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
を含み、
前記基板バイアス制御回路は、前記基板バイアス電圧を前記ウェル領域へ供給する、請求項2に記載の電子システム装置。
【請求項10】
第1コンデンサを更に備え、
前記半導体装置は、前記発電装置と前記第1電源ノードとの間に配置された第2スイッチと、前記第2スイッチと前記発電装置の間の第2電源ノードを介して接続された第1モニタ回路とを有し、
前記第1コンデンサは、第1モニタ回路と並列に前記第2電源ノードに接続され、
前記第1モニタ回路は、前記第2電源ノードの電圧に基づいて前記第2スイッチを制御する、請求項9に記載の電子システム装置。
【請求項11】
2次電池を更に備え、
前記半導体装置は、前記第2電源ノードと前記第2スイッチとの間の第3電源ノードを介して接続された第3スイッチと、前記第3スイッチに接続された第2モニタ回路とを有し、
前記2次電池は、第2モニタ回路と並列に前記第3スイッチに接続され、
前記制御回路は、前記基板バイアス制御回路が前記基板バイアス電圧を供給した後に、前記第3スイッチをOFF状態からON状態に設定する、請求項10に記載の電子システム装置。
【請求項12】
第2コンデンサを更に備え、
前記第2コンデンサは、前記DC−DCコンバータに接続される、請求項11に記載の電子システム装置。
【請求項13】
前記制御回路は、前記DC−DCコンバータが前記第1電源電圧を受け取った後に、制御信号を前記DC−DCコンバータへ供給し、
前記DC−DCコンバータは、前記制御信号に基づいて前記第2電源電圧を生成する、請求項3に記載の電子システム装置。
【請求項14】
電子システム装置の駆動方法において、
前記電子システム装置は、
第1電源電圧を生成する発電装置と、
電界効果トランジスタで構成され、かつ電源ノードを介して前記発電装置に接続された制御回路と、前記制御回路に接続された基板バイアス制御回路とを有する半導体装置と、
前記電源ノードを介して前記制御回路と並列に記発電装置に接続されたDC−DCコンバータと、
前記電源ノードと前記DC−DCコンバータと間に設けられ、かつ前記電源ノードと前記DC−DCコンバータとに接続されたスイッチと、
を備え、
前記制御回路は、前記電源ノードを介して前記第1電源電圧を受け取り、
前記スイッチは、前記制御回路が前記第1電源電圧を受け取った後に、前記制御回路によってOFF状態からON状態に設定され、
前記DC−DCコンバータは、前記スイッチがON状態に制御された後に、前記スイッチを介して前記第1電源電圧を受け取り、
前記基板バイアス制御回路は、前記DC−DCコンバータが前記第1電源電圧を受け取る前に、前記電界効果トランジスタへ基板バイアス電圧を供給する、電子システム装置の駆動方法。
【請求項15】
前記電界効果トランジスタは、
基板と、
前記基板に形成されたウェル領域と、
前記ウェル領域上に絶縁膜を介して形成された半導体層と、
前記半導体層内に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
を含み、
前記基板バイアス制御回路は、前記基板バイアス電圧を前記ウェル領域へ供給する、請求項14に記載の電子システム装置の駆動方法。
【請求項16】
前記基板バイアス制御回路は、前記制御回路が前記第1電源電圧を受け取った後で、かつ前記スイッチがON状態に設定される前に、前記電界効果トランジスタへ前記基板バイアス電圧を供給する、請求項15に記載の電子システム装置の駆動方法。
【請求項17】
前記電子システム装置は、更にインターフェイス装置を備え、
前記DC−DCコンバータは、前記第1電源電圧を受け取った後に前記第1電源電圧とは異なる第2電源電圧を生成し、
前記インターフェイス装置は、前記DC−DCコンバータから前記第2電源電圧を受け取る、請求項16に記載の電子システム装置の駆動方法。
【請求項18】
発電装置で発電された電源電圧で駆動し、DC−DCコンバータを制御する半導体装置であって、
前記半導体装置は、
前記発電装置に接続された第1端子と、
電界効果トランジスタで構成され、かつ電源ノードを介して前記第1端子に接続された制御回路と、
前記制御回路に接続された基板バイアス制御回路と、
前記電源ノードを介して前記制御回路と並列に前記第1端子に接続され、かつ前記DC−DCコンバータに接続された第2端子と、
前記電源ノードと前記第2端子と間に設けられ、前記電源ノードと前記第2端子とに接続されたスイッチと、
を有し、
前記制御回路は、前記第1端子を介して前記電源電圧を受け取った後に前記スイッチをOFF状態からON状態に設定し、
前記第2端子は、前記スイッチのON状態に制御された後に前記電源電圧を前記DC−DCコンバータへ供給し、
前記基板バイアス制御回路は、前記第2端子が前記電源電圧を前記DC−DCコンバータへ供給する前に前記電界効果トランジスタへ基板バイアス電圧を供給する、半導体装置。
【請求項19】
前記電界効果トランジスタは、
基板と、
前記基板に形成されたウェル領域と、
前記ウェル領域上に絶縁膜を介して形成された半導体層と、
前記半導体層内に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
を含み、
前記基板バイアス制御回路は、前記基板バイアス電圧を前記ウェル領域へ供給する、請求項18に記載の半導体装置。
【請求項20】
前記基板バイアス制御回路は、前記制御回路が前記電源電圧を受け取った後で、かつ前記スイッチがON状態に設定される前に、前記電界効果トランジスタへ前記基板バイアス電圧を供給する、請求項19に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は半導体装置、並びに電子システム装置及びその駆動方法に関し、例えば発電装置で発電された電源電圧で駆動する半導体装置、並びに電子システム装置及びその駆動方法に利用できるものである。
続きを表示(約 8,400 文字)【背景技術】
【0002】
近年、太陽光、振動及び熱等のエネルギーから電力を得て、その電力に基づいて電子システム装置を駆動させるエナジーハーベスト(環境発電)技術が提供されている。電子システム装置は、半導体装置及びインターフェイス装置を含んでいる。インターフェイス装置は、例えば、無線装置又はセンサー装置である。
【0003】
エナジーハーベスト技術を用いた電子システム装置は、半導体装置及びインターフェイス装置以外に、インターフェイス装置へ安定した電圧を供給するためにDC−DC(Direct Curret−Direct Curret)コンバータが設けられる場合がある。
【0004】
特開2001−218387号公報(特許文献1)には、エナジーハーベスト技術を用いた電子システム装置として、太陽電池、負荷コントローラ、及びDC−DCコンバータを含んだ電気二重層コンデンサ蓄電電源装置が記載されている。また、特許文献1には、DC−DCコンバータが消費する待機電力をなくすことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2001−218387号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、特許文献1の電気二重層コンデンサ蓄電電源装置は、多くの装置を含んでいるため、起動時に大きな電力が必要とされ、瞬時の電圧低下が発生する可能性がある。そのため、電気二重層コンデンサ蓄電電源装置は、安定して起動することが出来ないという課題がある。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0007】
一実施の形態に係る電子システム装置は、第1電源電圧を生成する発電装置を備える。また、電子システム装置は半導体装置を備える。半導体装置は、第1電源ノードを介して発電装置に接続された制御回路と、制御回路に接続された基板バイアス制御回路とを有する。電子システム装置は、第1電源ノードを介して制御回路と並列に発電装置に接続されたDC−DCコンバータを備える。更に、電子システム装置は、第1電源ノードとDC−DCコンバータと間に設けられ、第1電源ノードとDC−DCコンバータとに接続された第1スイッチを備える。制御回路は、電界効果トランジスタで構成される。また、制御回路は第1電源電圧を受け取った後に第1スイッチをOFF状態からON状態に設定する。第1スイッチがON状態に制御された後に、DC−DCコンバータは第1スイッチを介して第1電源電圧を受け取る。DC−DCコンバータが第1電源電圧を受け取る前に、基板バイアス制御回路は電界効果トランジスタへ基板バイアス電圧を供給する。
【0008】
他の実施の形態に係る電子システム装置の駆動方法において、電子システム装置は、第1電源電圧を生成する発電装置を備える。また、電子システム装置は半導体装置を備える。半導体装置は、電源ノードを介して発電装置に接続された制御回路と、制御回路に接続された基板バイアス制御回路とを有している。制御回路は、電界効果トランジスタで構成される。電子システム装置は、電源ノードを介して制御回路と並列に発電装置に接続されたDC−DCコンバータを備える。更に、電子システム装置は、電源ノードとDC−DCコンバータと間に設けられ、電源ノードとDC−DCコンバータとに接続された第1スイッチを備える。電子システム装置の駆動方法において、制御回路は、電源ノードを介して第1電源電圧を受け取る。制御回路が第1電源電圧を受け取った後に、スイッチは制御回路によってOFF状態からON状態に設定される。スイッチがON状態に制御された後に、DC−DCコンバータはスイッチを介して第1電源電圧を受け取る。DC−DCコンバータが第1電源電圧を受け取る前に、基板バイアス制御回路は電界効果トランジスタへ基板バイアス電圧を供給する。
【0009】
他の実施の形態に係る半導体装置は、発電装置で発電された電源電圧で駆動し、DC−DCコンバータを制御する。半導体装置は、発電装置に接続された第1端子と、電源ノードを介して第1端子に接続された制御回路と、制御回路に接続された基板バイアス制御回路と、電源ノードを介して制御回路と並列に第1端子に接続され、かつDC−DCコンバータに接続された第2端子と、電源ノードと第2端子と間に設けられ、かつ電源ノードと第2端子とに接続された第1スイッチとを有する。制御回路は、電界効果トランジスタで構成される。また、制御回路は電源電圧を受け取った後にスイッチをOFF状態からON状態に設定する。スイッチがON状態に制御された後に、第2端子は電源電圧をDC−DCコンバータへ供給する。第2端子が電源電圧をDC−DCコンバータへ供給する前に、基板バイアス制御回路は電界効果トランジスタへ基板バイアス電圧を供給する。
【発明の効果】
【0010】
実施の形態によれば、発電装置で発電された電源電圧に基づいて半導体装置及び電子システム装置を安定して起動させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
図1は、実施の形態1に係る電子システム装置の構成例を説明するブロック図である。
図2は、SOTBトランジスタの構造例を説明する断面図である。
図3は、MOSトランジスタの構造例を説明する断面図である。
図4は、実施の形態1に係る電子システム装置の動作について説明するタイミングチャートである。
図5は、実施の形態1に係る変形例である電子システム装置の構成例を説明するブロック図である。
図6は、実施の形態2に係る電子システム装置の構成例を説明するブロック図である。
図7は、実施の形態2に係る電子システム装置の動作について説明するタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、応用例、詳細説明、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、構成要素の数等(個数、数値、量、範囲等を含む)に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【0013】
更に、以下の実施の形態において、その構成要素(動作ステップ等もを有する)は、特に明示した場合及び原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等には類似するものを有するものとする。
【0014】
[実施の形態1]
(電子システム装置の構成)
図1は、実施の形態1に係る電子システム装置1の構成例を説明するブロック図である。
【0015】
電子システム装置1は、発電装置P、ダイオードD、コンデンサC1及びC2、2次電池SC、半導体装置MC1、スイッチS1、DC−DCコンバータDM、及びインターフェイス回路SM及びWLMを備えている。電子システム装置1はエナジーハーベスト技術に基づいて駆動する。言い換えれば、電子システム装置1内の半導体装置MC1と、DC−DCコンバータDM、及びインターフェイス回路SM及びWLMは、エナジーハーベスト技術に基づいて駆動する。インターフェイス回路SM及びWLMは、電子システム装置1の外部とやり取りを実施する装置である。実施の形態1のインターフェイス回路SMは、センサー装置であり、インターフェイス回路WLMは、ワイヤレス装置である。また、図1には、2つのインターフェイス回路が設けられている場合が示されているが、その数には限定されない。また、コンデンサC1及びC2、2次電池SCは、キャパシタでもよい。更に、電子システム装置1において、インターフェイス回路SM及びWLMの動作電圧は、半導体装置MC1の制御回路CNTの動作電圧と異なる。
【0016】
発電装置Pは、電子システム装置1を駆動させるための電力を出力する。例えば、発電装置Pが出力する電流は、5μAである。発電装置Pは、半導体装置MC1と、DC−DCコンバータDM、及びインターフェイス回路SM及びWLMを駆動させるための電源電圧を生成する。実施の形態1の発電装置Pは、太陽電池である。但し、発電装置Pは、太陽電池に限定されず、例えば熱電対、微弱電波を受信するアンテナなど、小さい電力しか供給できない微小電力源でもよい。つまり、実施の形態1に係る電子システム装置1は、環境下で得られるエネルギーを回収して電力を出力する発電装置Pを用いて起動する。発電装置Pは、ダイオードDを介して半導体装置MC1の端子TE1に接続される。発電装置Pは、電源電圧VPを生成し、ダイオードDを介して電源電圧VPを端子TE1へ供給する。
【0017】
半導体装置MC1は、端子TE1、TE2、TE3、TE4、TE5、TE6、TE7、TE8及びTE9と、スイッチS2及びS3と、モニタ回路M1及びM2と、制御回路CNTと、基板バイアス制御回路VBCと、レベルシフタ回路LS1、及び専用入出回路IO1とを備えている。また、半導体装置MC1は、図1には図示されていない内蔵容量を有する。半導体装置MC1は、DC−DCコンバータDMを制御する。また、半導体装置MC1は、インターフェイス回路SM及びWLMとデータ信号の通信を行う。
【0018】
端子TE1は、電源ノードN1を介してモニタ回路M1及び端子TE2に接続されている。また、端子TE2は、コンデンサC1と接続されている。つまり、モニタ回路M1及びコンデンサC1は、電源ノードN1を介して端子TE1に並列接続されている。端子TE1は、電源ノードN1を介して電源電圧VPを端子TE2へ供給する。それに伴い、端子TE2は、電源電圧VPをコンデンサC1へ供給する。したがって、発電装置Pが出力する電荷は、端子TE1と、電源ノードN1、及び端子TE2を介してコンデンサC1に蓄積され、コンデンサC1は、電源電圧VPを電源電圧VCとして得る。コンデンサC1は、主に制御回路CNTへ安定した電圧を供給するために設けられている。
【0019】
また、端子TE1は、電源ノードN1及びN2を介してスイッチS2に接続されている。スイッチS2は、電源ノードN3を介して制御回路CNT及び端子TE4に接続されている。つまり、スイッチS2は、発電装置Pと電源ノードN3との間に配置されている。上述したように、モニタ回路M1は、スイッチS2と発電装置Pの間の電源ノードN1を介して接続されている。つまり、モニタ回路M1は、端子TE1と端子TE2の間の電源ノードN1の電源電圧を監視し、電源ノードN1の電源電圧VCに基づいてスイッチS2を制御する。具体的には、モニタ回路M1は、制御信号CS1をスイッチS2へ供給し、スイッチS2をON/OFF状態に設定する。モニタ回路M1は、電源電圧VCが閾値電圧より高い場合に、Highレベルの制御信号CS1をスイッチS2へ供給し、スイッチS2をOFF状態からON状態へ設定する。つまり、モニタ回路M1によって、電源電圧VCは、スイッチS2を介して電源ノードN3へ電源電圧VCCとして供給される。
【0020】
制御回路CNT及び端子TE4は、電源ノードN3を介してスイッチS2に並列接続されている。つまり、電源電圧VCCは、電源ノードN3を介して制御回路CNT及び端子TE4へ供給する。したがって、制御回路CNT及び端子TE4は、スイッチS2及び電源ノードN3を介して発電装置Pに接続され、発電装置Pが生成した電源電圧VPを電源電圧VCCとして受け取る。端子TE4は、スイッチS1を介して電源電圧VCCを電源電圧VINとしてDC−DCコンバータDMへ供給する。
【0021】
更に、端子TE1は、電源ノードN1及びN2を介して、スイッチS3に接続されている。スイッチS3は、電源ノードN1とスイッチS2との間の電源ノードN2を介して接続されている。スイッチS3は、制御回路CNTからの制御信号CS2に基づいてON/OFF状態が設定される。また、スイッチS3は、端子TE3及びモニタ回路M2に接続されている。具体的には、端子TE3及びモニタ回路M2は、スイッチS3と並列接続されている。端子TE3は、2次電池SCと接続されている。つまり、発電装置Pが出力する電荷は、端子TE1及びTE3と、電源ノードN1及びN2、及びスイッチS3を介して2次電池SCへ蓄積され、2次電池SCは電源電圧VPを電源電圧VSとして得る。2次電池SCは、主にDC−DCコンバータDMへ安定した電圧を供給するために設けられている。モニタ回路M2は、スイッチS3と端子TE3の間の電源電圧を監視し、制御信号CS3を制御回路CNTへ供給する。具体的には、モニタ回路M2は、電源電圧VSが閾値電圧より高い場合に、Highレベルの制御信号CS3を制御回路CNTへ供給する。
【0022】
制御回路CNTは、端子TE5を介して制御信号CS4をスイッチS1へ供給し、スイッチS1を制御する。また、制御回路CNTは、制御信号CS2をスイッチS3へ供給し、スイッチS3を制御する。また、制御回路CNTは、端子TE6を介して制御信号CS5をDC−DCコンバータDMの端子TE11へ供給し、DC−DCコンバータDMを制御する。更に、制御回路CNTは、レベルシフト回路LS1を介して専用入出力回路IO1を制御する。また、制御回路CNTは、図1には図示されていない内蔵容量を有する。
【0023】
更に、制御回路CNTは、電界効果トランジスタで構成されている。電界効果トランジスタは、例えば、SOTB(Silicon on Thin Buried Oxide)トランジスタやMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタである。本例において、MOSトランジスタは、SOTBトランジスタと区別され、バルクトランジスタと呼ばれる。SOTBトランジスタとは、シリコン基板上に薄い絶縁膜とシリコン薄膜が形成された基板を用いたトランジスタを意味している。p型SOTBトランジスタは、ドレイン電流が流れるチャンネルがp型チャンネルとなるSOTBトランジスタを意味しており、n型SOTBトランジスタは、ドレイン電流が流れるチャンネルがn型チャンネルとなるSOTBトランジスタを意味している。同様に、MOSトランジスタは、チャンネルがpチャンネルとなるMOSトランジスタは、p型MOSトランジスタと称し、チャンネルがn型チャンネルとなるMOSトランジスタは、n型MOSトランジスタと称する。
【0024】
なお、制御回路CNTは、SOTBトランジスタのみで構成されてもよいし、またはMOSトランジスタのみで構成されてもよい。もちろん、制御回路CNTはSOTBトランジスタMOSトランジスタの両方で構成されてもよい。詳細なSOTBトランジスタ及びMOSトランジスタの構造については、後ほど、図2及び図3を用いて説明する。
【0025】
基板バイアス制御回路VBCは、制御回路CNTに接続され、制御回路CNT内の電界効果トランジスタの基板バイアス電圧を制御する。具体的には、基板バイアス制御回路VBCは、基板バイアス電圧VBP及びVBNを制御回路CNTへ供給し、制御回路CNT内の電界効果トランジスタの閾値電圧を制御し、リーク電流を抑制する。
【0026】
専用入出力回路IO1は、端子TE7を介してDC−DCコンバータDMの端子TE12と接続され、端子TE7を介してDC−DCコンバータDMから電源電圧VOUTを受け取る。専用入出力回路IO1は、電源電圧VOUTに基づいて動作する。専用入出力回路IO1は、端子TE8を介してインターフェイス回路SMの端子TE14に接続されている。専用入出力回路IO1は、端子TE8を介してインターフェイス回路SMからデータ信号DS1を受け取る、またはインターフェイス回路SMへデータ信号DS1を供給する。さらに、専用入出力回路IO1は、端子TE9を介してインターフェイス回路WLMの端子TE16に接続されている。専用入出力回路IO1は、端子TE9を介してインターフェイス回路WLMからデータ信号DS2を受け取る、またはインターフェイス回路WLMへデータ信号DS2を供給する。
【0027】
レベルシフト回路LS1は、制御回路CNTと専用入出回路IO1と間に配置される。制御回路CNTの動作電圧と専用入出回路IO1の動作電圧が異なるため、レベルシフト回路LS1により制御回路CNTと専用入出回路IO1との通信を可能にさせる。
【0028】
スイッチS1は、半導体装置MC1の端子TE4とDC−DCコンバータDMの端子TE10に接続され、それらの間に配置される。言い換えれば、スイッチS1は、電源ノードN3とDC−DCコンバータDMの間に設けられ、電源ノードN3と前DC−DCコンバータDMとに接続されている。スイッチS1は、制御信号CS4に基づいてON/OFF状態が設定される。また、スイッチS1を介して、電源電圧VCCは電源電圧VINとしてDC−DCコンバータDMへ供給される。
【0029】
DC−DCコンバータDMは、端子TE10、TE11及びTE12を備えている。更に、DC−DCコンバータDMは、図1に図示されていないが内蔵容量を有している。例えば、内蔵容量は、端子TE10に接続されたコンデンサである。コンデンサは、端子TE10に接続されていれば、DC−DCコンバータDMの内部でいいし、DC−DCコンバータDMの外部に配置されてもよい。言い換えれば、内蔵容量は、スイッチS1とDC−DCコンバータDMの端子TE10の間で接続されるコンデンサでもよい。また、コンデンサに限定されず、キャパシタでもよい。DC−DCコンバータDMは、半導体装置MC1を介して電源装置Pから電源電圧VINを受け取り、電源電圧VINとは異なる電圧値である電源電圧VOUTを生成し、電源電圧VOUTを供給する。
【0030】
具体的には、DC−DCコンバータDMは、スイッチS1及び端子TE10介して半導体装置MC1の端子TE4から電源電圧VINを受け取る。つまり、DC−DCコンバータDMは、電源ノードN3を介して制御回路CNTと並列に発電装置Pに接続され、少なくとも発電装置Pが生成した電源電圧VPを電源電圧VINとして受け取る。それに伴って、DC−DCコンバータDMは起動を開始する。さらに、DC−DCコンバータDMは、端子TE11介して入力される制御信号CS5に基づいて、電源電圧VOUTを生成し、端子TE12を介して電源電圧VOUTを供給する。具体的には、DC−DCコンバータDMは、Highレベルの制御信号CS5を受け取らない限り、電源電圧VOUTを供給しない。電源電圧VOUTの値は、電源電圧VP、VIN、VCC、及びVSの値と異なる。例えば、電源電圧VOUTは、3.3Vであり、電源電圧VINは、2.6Vである。DC−DCコンバータDMの端子TE12は、コンデンサC2、半導体装置MC1の端子TE17、インターフェイス回路SMの端子TE13、及びインターフェイス回路SMの端子TE14に接続され、それぞれへ電源電圧VOUTを供給する。
(【0031】以降は省略されています)

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