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公開番号2020099182
公報種別公開特許公報(A)
公開日20200625
出願番号2019212071
出願日20191125
発明の名称精細な角度制御を備えたマイクロアセンブラ
出願人パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類H02N 13/00 20060101AFI20200529BHJP(電力の発電,変換,配電)
要約【課題】微小のチップレットを個別に偏向、位置決めする装置を提供する。
【解決手段】アセンブリ表面104は、複数のチップレット102の各々が電極106のうちの少なくとも1つを覆うように位置決めすることができるように配置されている電極のアレイを有し、フィールドジェネレータ118が、電極によって印加されるクランプ力場に直交する回転場114を印加する。プロセッサ108は、チップレットの第1のサブセットの所望の配向角を決定し、電極のうちの1つ又は複数によって印加されるクランプ力場116によって、第1のサブセットとは異なるチップレットの第2のサブセットが回転しないように、電極のうちの1つ又は複数を作動させるように動作可能である。クランプ力場が印加されている間、プロセッサは、選択されている角度において回転場を印加して、チップレットの第1のサブセットが所望の配向角において配向されるようにする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
装置であって、
複数のチップレットの各々が電極の少なくとも1つを覆うように位置決めすることができるように配置されている前記電極のアレイを備えるアセンブリ表面であって、前記電極の各々は、前記チップレットのうちの1つにクランプ力場を印加するために個別に作動されることが可能である、アセンブリ表面と、
前記電極によって印加される前記クランプ力場に直交する回転場を印加するフィールドジェネレータであって、前記フィールドジェネレータは、前記回転場の角度を選択する入力を含む、フィールドジェネレータと、
前記電極及び前記フィールドジェネレータに結合されているプロセッサと、
を備え、前記プロセッサは、
前記チップレットの第1のサブセットの所望の配向角を決定することと、
前記電極のうちの1つ又は複数によって印加される前記クランプ力場によって、前記第1のサブセットとは異なる前記チップレットの第2のサブセットが回転しないように、前記電極のうちの前記1つ又は複数を作動することと、
前記クランプ力場が印加されている間、前記チップレットの前記第1のサブセットが前記所望の配向角において配向されるようにするために、前記選択されている角度において前記回転場を印加することと、
を行うように動作可能である、装置。
続きを表示(約 3,400 文字)【請求項2】
前記回転場は磁場を含み、前記クランプ力場は静電場を含む、請求項1に記載の装置。
【請求項3】
前記磁場は、前記アセンブリ表面の対向する側面の第1の対上に位置するコイルの第1の対と、対向する側面の前記第1の対とは異なる、前記アセンブリ表面の対向する側面の第2の対上に位置するコイルの第2の対によって生成され、前記回転場の前記角度は、それぞれのコイルの前記第1の対及び第2の対に印加される第1の電流及び第2の電流を変化させることによって選択可能である。請求項2に記載の装置。
【請求項4】
前記磁場は一対の磁石によって生成され、前記回転場の前記角度は、前記磁石と前記アセンブリ表面との間の相対回転を介して選択される、請求項2に記載の装置。
【請求項5】
前記チップレットが前記磁場と整列するように、前記チップレットが、パターン化された磁性材料を含む、請求項2に記載の装置。
【請求項6】
前記チップレットの第2のサブセットの各々が、2つ以上の前記電極の上にあり、前記電極を作動させることが、前記チップレットの第2のサブセットの各々について、前記磁場と干渉する可能性のある誘導電場を最小限に抑える、前記2つ以上の電極のうちの1つを選択することを含む、請求項2に記載の装置。
【請求項7】
前記回転場を印加することは、前記チップレットの前記第1のサブセットに小さな動きを誘発するために、前記選択されている角度の周りで前記回転場の前記方向を時間的に変化させることであって、前記小さな動きは、前記チップレットの前記第1のサブセットと前記アセンブリ表面との間の静止摩擦力を克服する、請求項1に記載の装置。
【請求項8】
前記チップレットが2D材料を含む、請求項1に記載の装置。
【請求項9】
装置であって、
複数のチップレットの各々が前記電極のうちの少なくとも1つを覆うように、複数のチップレットの各々を位置決めすることができるように配置されている電極のアレイを備えるアセンブリ表面であり、前記電極の各々は、前記チップレットのうちの1つにクランプ力場を印加するために個別に作動されることが可能である、アセンブリ表面と、
前記アセンブリ表面に対して選択可能な角度において前記チップレットに磁場をかけるために、入力を介して構成可能な少なくとも1つの磁石と、
前記電極及び前記少なくとも1つの磁石に結合されているプロセッサと、
を備え、前記プロセッサは、
前記チップレットの第1のサブセットの所望の配向角を決定することと、
前記電極のうちの1つ又は複数によって印加される前記クランプ力場によって、前記第1のサブセットとは異なる前記チップレットの第2のサブセットが回転しないように、前記電極のうちの前記1つ又は複数を作動することと、
前記クランプ力場が印加されている間、前記チップレットの前記第1のサブセットが前記所望の配向角において配向されるようにするために、前記選択されている角度において前記少なくとも1つの磁石を活性化することと、
を行うように動作可能である、装置。
【請求項10】
前記少なくとも1つの磁石が、
アセンブリ表面の対向する側面の第1の対上に配置されているコイルの第1の対と、
対向する側面の前記第1の対とは異なる、前記アセンブリ表面の対向する側面の第2の対上に位置するコイルの第2の対であって、前記回転場の前記角度は、それぞれのコイルの前記第1の対及び第2の対に印加される第1の電流及び第2の電流を変化させることによって選択可能である、コイルの第2の対と、
を備える、請求項9に記載の装置。
【請求項11】
前記少なくとも1つの磁石は、前記アセンブリ表面の対向する側面上の一対の磁石を含み、前記装置は、前記一対の磁石と前記アセンブリ表面との間に相対回転を誘導するモータを更に備え、前記回転場の前記角度は、前記モータを介して選択される、請求項9に記載の装置。
【請求項12】
前記チップレットが前記磁場と整列するように、前記チップレットが、パターン化された磁性材料を含む、請求項9に記載の装置。
【請求項13】
前記チップレットの第2のサブセットの各々が、2つ以上の前記電極の上にあり、前記電極を作動させることが、前記チップレットの第2のサブセットの各々について、前記磁場と干渉する可能性のある誘導電場を最小限に抑える、前記2つ以上の電極のうちの1つを選択することを含む、請求項9に記載の装置。
【請求項14】
前記選択されている角度において前記少なくとも1つの磁石を活性化することは、前記チップレットの前記第1のサブセットに小さな動きを誘発するために、前記選択されている角度の周りで前記磁場の前記方向を時間的に変化させることであって、前記小さな動きは、前記チップレットの前記第1のサブセットと前記アセンブリ表面との間の静止摩擦力を克服する、請求項9に記載の装置。
【請求項15】
方法であって、
アセンブリ表面上に複数のチップレットを、前記チップレットが互いに干渉しないように配置することであり、前記アセンブリ表面は電極のアレイを含み、前記チップレットは、各チップレットが前記電極のうちの少なくとも1つを覆うように配置されるように、配置することと、
前記チップレットの第1のサブセットの所望の配向角を決定することと、
前記1つ又は複数の電極によって印加されるクランプ力場によって、前記第1のサブセットとは異なる前記チップレットの第2のサブセットが回転しないように、前記電極のうちの1つ又は複数を作動させることと、
前記1つ又は複数の電極によって印加される前記クランプ力場に直交する回転場を印加することであり、前記回転場の角度は、前記チップレットの前記第1のサブセットが前記所望の配向角に配向されるように選択可能であることと、
を含む、方法。
【請求項16】
前記回転場は磁場を含み、前記クランプ力場は静電場を含む、請求項15に記載の方法。
【請求項17】
前記磁場は、前記アセンブリ表面の対向する側面の第1の対上に位置するコイルの第1の対と、対向する側面の前記第1の対とは異なる、前記アセンブリ表面の対向する側面の第2の対上に位置するコイルの第2の対によって生成され、前記回転場の前記角度は、それぞれのコイルの前記第1の対及び第2の対に印加される第1の電流及び第2の電流を変化させることによって選択可能である。請求項16に記載の方法。
【請求項18】
前記磁場は一対の磁石によって生成され、前記回転場の前記角度は、前記磁石と前記アセンブリ表面との間の相対回転を介して選択される、請求項16に記載の方法。
【請求項19】
前記チップレットの第2のサブセットの各々が、2つ以上の前記電極の上にあり、前記電極を作動させることが、前記チップレットの第2のサブセットの各々について、前記磁場と干渉する可能性のある誘導電場を最小限に抑える、前記2つ以上の電極のうちの1つを選択することを含む、請求項16に記載の方法。
【請求項20】
前記回転場を印加することは、前記チップレットの前記第1のサブセットに小さな動きを誘発するために、前記選択されている角度の周りで前記回転場の前記方向を時間的に変化させることであって、前記小さな動きは、前記チップレットの前記第1のサブセットと前記アセンブリ表面との間の静止摩擦力を克服する、請求項15に記載の方法。
【請求項21】
前記第1のサブセットの少なくとも1つのチップレットが前記回転場に応答して回転点を中心に回転することを可能にしながら、前記少なくとも1つのチップレットの前記回転点を固定するために、前記少なくとも1つのチップレットの下で追加の1つ又は複数の電極を作動させることを更に含む、請求項1に記載の方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、精細な角度制御を備えたマイクロアセンブラに関する。1つの実施形態において、装置は、複数のチップレットの各々が電極のうちの少なくとも1つを覆うように位置決めすることができるように配置されている電極のアレイを備えたアセンブリ表面を含む。各電極は個別に作動して、チップレットのうちの1つにクランプ力場を印加することが可能である。フィールドジェネレータが、電極によって印加されるクランプ力場に直交する回転場を印加する。フィールドジェネレータは、回転場の角度を選択する入力を有する。プロセッサが、電極及びフィールドジェネレータに接続されている。プロセッサは、チップレットの第1のサブセットの所望の配向角を決定し、電極のうちの1つ又は複数によって印加されるクランプ力場によって、第1のサブセットとは異なるチップレットの第2のサブセットが回転しないように、電極のうちの1つ又は複数を作動させるように動作可能である。クランプ力場が印加されている間、プロセッサは、回転場が選択されている角度において印加されるようにして、チップレットの第1のサブセットが所望の配向角において配向されるようにする。
続きを表示(約 8,100 文字)【0002】
別の実施形態において、方法は、チップレットが互いに干渉しないように、アセンブリ表面上に複数のチップレットを配置することを含む。アセンブリ表面は、電極のアレイと、各チップレットが電極のうちの少なくとも1つの上にあるように配置されているチップレットとを有する。チップレットの第1のサブセットの所望の配向角が決定され、1つ又は複数の電極によって印加されるクランプ力場によって、第1のサブセットとは異なるチップレットの第2のサブセットが回転しないように、電極のうちの1つ又は複数が作動される。クランプ力場に直交する回転場(例えば、磁場)が、1つ又は複数の電極によって印加される。回転場の角度は、チップレットの第1のサブセットが所望の配向角に配向されるようにするように選択可能である。
【図面の簡単な説明】
【0003】
例示的な実施形態によるマイクロアセンブラ装置の図である。
別の例示的な実施形態によるマイクロアセンブラの等角図である。
図2に示すマイクロアセンブラの拡大図である。
例示的な実施形態によるコイル電流を変更することによるフィールド角度の調整を示す図である。
例示的な実施形態によるコイル電流を変更することによるフィールド角度の調整を示す図である。
別の例示的な実施形態によるマイクロアセンブラの等角図である。
例示的な実施形態によるマイクロアセンブラの動作を示す信号図である。
例示的な実施形態によるマイクロアセンブラの動作を示す信号図である。
例示的な実施形態によるマイクロアセンブラの動作を示す信号図である。
例示的な実施形態による方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0004】
本開示は、精細な配向制御を備えた微小物体の自動化された組み付けに関する。1つの特定の例は、薄い材料の組み付けである。ファンデルワールス材料又は二次元(2D)材料など、特定のクラスの材料は、厚さ1分子程度の薄さのシートとして形成することができる。2D材料のよく知られている例の1つは、炭素原子の単一分子格子であるグラフェンである。多くの2D材料には、珍しい特性(機械的強度、低熱抵抗及び低電気抵抗など)があるため、2D材料を使用するデバイスの開発は関心事である。
【0005】
2D材料を使用してデバイスを大量生産するためには、とりわけ、バルク2D材料を製造し(例えば、剥離又は化学層堆積によって)、バルク材料を所望の個々のユニットに分割し、ユニットを所望の位置及び向きに移動し、その後、形成及び組み付けのためにユニットを操作する(例えば、2D材料をともに積み重ね、及び/又は、他の構成要素とともに組み付ける)ために、自動システムが必要である。材料を個々のユニット(ここでは「チップレット」と呼びます)に分離し、チップレットを所望の位置、例えばチップレットが個別に又は集合的にピックアップされることを可能にするグリッドに移動するための方法及び装置が考案されている。本実施形態は、2D材料のアセンブリに限定されず、チップレットなどの多数の小さい物体を自動的に配向させることを含む任意の質量アセンブリプロセスに適用可能であり得ることに留意されたい。
【0006】
本開示は、チップレットを所望の向きに移動及び回転させるために使用される方法及び装置に関する。図1において、等角図は、例示的な実施形態による装置100を示す。本明細書では、装置100は、チップレット102を操作するために使用されるマイクロアセンブラとしても参照される。チップレットは、電極106のアレイを含むアセンブリ表面104上に移動される。摩擦を低減するために、誘電性流体の層をアセンブリ表面全体に広げることもできる。
【0007】
プロセッサ108が、電圧を電極106に選択的に送信して、チップレット102をアセンブリ表面104上の特定の位置に配置する。チップレットを第1の方向110及び第2の方向111(例えば、任意に定義されたx及びy方向)に沿ってアセンブリ表面104上の特定の位置に移動させるために、電極アレイによって静電力が生成される。チップレット102は通常、表面104上にある誘電性流体媒体に著しい導電率の差をもたらすため、有機双極子は、チップレットの長辺を正味の電場方向に整列させる。しかし、電極アレイは2D空間平面(一般にアセンブリ表面104に沿った)内で電場をピクセル化するため、この構造を使用して連続的な精細角度配向を達成することは困難になることがわかっている。
【0008】
図示されている装置は、チップレット102をアセンブリ表面上の所望のX−Y位置に組み付けるために使用される静電力に直交する回転場114を介して、個々のチップレット102に対して非常に精細な任意の角度制御を達成することができる。ブロック118は、電極106によって印加されるクランプ力場116に直交する回転場114を印加するフィールドジェネレータを表す。フィールドジェネレータは、回転場114の角度を選択する入力122(例えば、信号線)を含む。プロセッサ108は、フィールドジェネレータ118に結合され、チップレット104の第1のサブセットの所望の配向角を決定するように動作可能である。プロセッサ108は、入出力バス、前置増幅器、電力増幅器、デジタル−アナログ変換器、アナログ−デジタル変換器、フィルタ、デジタル信号プロセッサなどの任意の組み合わせを含んでもよいインターフェース回路を介して、フィールドジェネレータ118及び電極106(並びにセンサのような、本明細書に記載されている他のデバイス)に結合される。
【0009】
電極106のうちの1つ又は複数によって印加されるクランプ力場116によって、第1のサブセットとは異なるチップレットの第2のサブセットが回転しないように、電極のうちの1つ又は複数が作動される。クランプ力場116がチップレットの第2のサブセットに選択的に印加されている間、回転場が選択されている角度において印加されて、チップレットの第1のサブセットが所望の配向角において配向される。
【0010】
電極106の間隔は、チップレット102が少なくとも1つの電極106と重なるように、チップレット102の寸法に対して定義されることに留意されたい。プロセッサ108は(例えば、表面104に対する各チップレット102のxy位置及び角度を検出するために光学画像キャプチャを使用して)、いずれのチップレット102がいずれの電極106を覆うかを決定することができる。これを使用して、チップレット104の電極106へのマッピングを形成することができる。このマッピングは、チップレット102のサブセットに静電クランプ116力を選択的に付勢するために使用することができ、サブセットにない他のチップレットは、フィールドジェネレータ118を介して回転させることができる。
【0011】
チップレット102が回転場114の影響を受けるようにするために、チップレット102は、場114に予測可能に応答するように形成することができる。例えば、回転場114が磁場である場合、チップレット102は強磁性ストリップなどの磁性材料に結合され得る。チップレット102自体は、代わりに、又は加えて、異方性磁気応答を有し得る。音響場などの他の回転場は、チップレット102の任意の特別な適合又は固有の特性を必要としない場合がある。
【0012】
図2において、等角図は、例示的な実施形態による磁力を利用するマイクロアセンブラ210を示す。磁力は、電気コイルによって容易に生成及び制御することができる。この例では、ヘルムホルツコイルの第1の対200、201及び第2の対202、203は、互いに90度に配向されている。コイルの第1の対200、201は、アセンブリ表面204の対向する側面の第1の対204a、204b上に配置され、コイルの第2の対202、203は、アセンブリ表面の対向する側面の第2の対204c、204d上に配置される。
【0013】
コイル200〜203は、それぞれの第1の対200、201及び第2の対202、203に送られる第1の電流と第2の電流との電流比に基づいて、任意の角度で均一なB場を生成する。任意の角度の均一なB場は、図3の詳細図に示されるように、アセンブリ表面204上のすべてのチップレット300に印加される。これらのチップレットには、Niなどのパターン化された強磁性材料のストリップが埋め込まれてよく、結果、チップレット300が、アセンブラ電極アレイによって生成される引力によって締め付けられないときにB場方向に整列するようになる。例えば、すべてのチップレット300は、所望の角度に達するまで平行に回転させることができる。チップレットのサブセットが所望の角度に達すると、サブセットの下のアセンブラ電極302が作動されて、強い誘電泳動(DEP)引力が生成される。引力は、チップレット300のサブセットを表面204へと固定し、チップレット300がそれ以上回転しないようにする。B場は、チップレット300のすべての所望の角度に達するまで回転し続けることができる。チップレットの回転中にチップレットの回転点(例えば、重心)が固定されるように、チップレットを部分的にクランプして、回転しないようにすることが可能であることに留意されたい。
【0014】
クランプDEP力を生成するための作動電極302は、誘導電場がチップレット縁部及びチップレットの角度に干渉するのを防ぐように、チップレットを覆う領域の完全に内部にあるように選択される。ヘルムホルツ対200−203の電流比は、高精度のデジタル−アナログ変換器(DAC)及び高品質の電子機器を使用して正確に制御できるため、この構成が、チップレットの角度制御を0.1度単位で行うことが可能である。
【0015】
図4及び図5において、図は、図2及び図3に示すマイクロアセンブラ210において磁場をどのように変化させることができるかの例を示す。電源400〜403は、それぞれのコイル200〜203に印加される電流の大きさ及び方向を概略的に表すメータとして示されている。4つの個別の電源400−403は厳密には必要ではないことに留意されたい。例えば、対の中のコイルを電源と直列又は並列に配線することにより、各対200−201、202−203に単一の電流源を使用することができる。
【0016】
図4に示すように、異なる方向において4つすべてのコイルに印加される電流は、結果として生じる磁場404とアセンブリ表面204との間に第1の角度406をもたらす。図5に示すように、この場合は電源400及び401からの電流がゼロである、電流の異なる組み合わせの結果、異なる角度500が生じ、この角度はコイル対202及び203によって生成される場504と整列する。
【0017】
図6において、等角図は、別の例示的な実施形態による磁力を利用するマイクロアセンブラ600を示す。アセンブリ表面602は、例えばヘルモルツコイル、永久磁石などの、磁石の対604、605の間にある。構造606は、磁石604、605を表面602に対して所定の位置に保持し、矢印607で示されるように、構造606及び表面602のうちの一方又は両方は、例えばモータを介して回転することができる。磁石604、605と表面との間のこの相対回転は、表面602と磁石604、605によって生成される磁場608との間の角度610を選択的に変更することを可能にする。
【0018】
図7において、信号図は、例示的な実施形態によるマイクロアセンブラへの入力を示す。トレース700は、アセンブリ表面と回転場との間の所望の角度を表し、この例では、−180〜180に及ぶアナログ又はデジタル値であり、360度の回転範囲を表す。トレース702は、ゼロからある最大値までに及ぶ回転場の大きさを表す。図2に示すようなマイクロアセンブラについて、これらの信号700、702は、例えば論理回路を介して、第1のコイル対及び第2のコイル対に印加される第1の電流及び第2の電流に変換され得ることに留意されたい。このような構成では、第1の電流及び第2の電流は、−A〜+Aに及び得、Aは電流の最大の大きさである。
【0019】
トレース704は、クランプ場を印加するために選択されている電極セットに印加される電圧を表す。このトレース704は、電極のサブセットを選択する選択信号705を同時に伴い、結果、トレース704によって表される電流はそれらの電極にのみ印加される。本開示の目的のために、チップレットのサブセットは、アセンブリ表面上のすべてのチップレットから選択される、すべてのチップレットよりも少ない少なくとも1つのチップレットを示すことを意図している。この例では、信号705は、アクティブ化されているクランプ電極のグループを表す。別の実施態様において、信号705は、各ビットがn個の電極のうちの1つに対応するnビット数によって表され得る。数のビットが1の場合、その電極が選択され、トレース704からの電流が印加される。そうでなく、ビットがゼロの場合、電極は選択解除され、電流は印加されない。
【0020】
期間706〜709の間に、クランプ力が電極に印加され、特定の回転角において場が活性化される。この単純な例では、角度は期間706の約180度から期間709の−180度に変化する。各期間706−709の間、信号704を介してクランプ力をアクティブにしてから、702を介して回転場を印加するまでに遅延(例えば710)が存在し、これによって、回転力を印加する前にクランプ力が安定するまでしばらくの時間が許容されることに留意されたい。この例は説明のためのものであり、限定するものではなく、選択的な回転は、代替の信号及びシーケンスを使用して実現することができることに留意されたい。例えば、期間706〜709の間の角度信号700の変化は、一定の増加又は減少である必要はなく、任意の順序で変化し得る。
【0021】
図8において、信号図は、別の例示的な実施形態によるマイクロアセンブラ動作を示す。この場合、信号800、802、804、805は、単一の期間806内で連続的又は離散的に変化する。この例では、回転信号800は、0〜180度の符号なしの数を表し、場信号802は正から負に変化して0〜−180度の残りの回転を可能にすることができるという点において異なる。クランプ力電流804は、期間806全体にわたってオンのままであり、一方で、選択信号805は、電極に関連付けられたチップレットが所望の角度に整列された後、より多くの電極を連続的に作動させる。
【0022】
アセンブリ表面上でのチップレットの円滑な移動を支援するために、アセンブリ表面を誘電性流体の薄い層で覆うことができる。そのような流体であっても、チップレットの移動を阻害する傾向がある小さな力が存在する可能性がある。これらの力は、本明細書においては「静止摩擦力」として参照され、摩擦、浮遊静電力、流体粘度、表面張力などの現象の任意の組み合わせによって引き起こされ得る。図9において、信号図は、例示的な実施形態による回転場が、チップレットとアセンブリ表面との間の静止摩擦力を克服するのを助けるようにどのように構成され得るかを示す。この例は、図7の例と同様の角度信号900、回転場信号902、及びクランプ場信号904を使用する。
【0023】
回転場信号902が回転場を活性化している間、例えばプロセッサ及び関連する信号調整回路を介して、変調900a〜dが角度信号900に印加される。これらの変調により、回転場の目標角度の周りで磁場の方向が時間的に変化して、チップレットの第1のサブセットの小さな動きが誘発され、チップレットが目標角度に到達することが支援される。小さな動きは、チップレットの第1のサブセットとアセンブリ表面との間の静止摩擦力を克服する。角度信号900と同様に他の信号を変調することができることに留意されたい。例えば、場信号904は、活性化されるときに同様に変調され得る。他の実施形態において、クランプ場信号904は、標的チップレットに迅速かつ選択的に印加され、標的チップレットから放出されて、チップレットが標的角度に到達することを支援する動きを誘発することができる。
【0024】
この信号又は他の信号に印加される変調900a〜dは、正弦波、のこぎり波、方形波、ランダム、インパルス、指数関数的減衰などの任意のタイプの波形であってもよい。変調900a〜dは、特定のタイプの場、チップレット、アセンブリ表面、表面流体などの動きを励起するように選択される1つ又は複数の基本周波数を有することができる。これらの周波数は、事前に知られているか、又は動作中に、例えばある範囲の周波数を掃引し、その範囲内の各周波数の回転の大きさを(例えば、光学認識を介して)観察することによって決定することができる。
【0025】
図10を参照すると、フローチャートは、例示的な実施形態による方法を示す。本方法は、例えば、チップレットが互いに干渉しないように、アセンブリ表面上に複数のチップレットを配置すること1000を含む。アセンブリ表面は、電極のアレイを有し、チップレットは、各チップレットが電極のうちの少なくとも1つの上にあるように配置される。チップレットの第1のサブセットの所望の配向角が決定される1001。1つ又は複数の電極によって印加されるクランプ力場によって、(第1のサブセットとは異なる)チップレットの第2のサブセットが回転しないように、電極のうちの1つ又は複数が作動される1002。クランプ力場に直交する回転場が、1つ又は複数の電極によって印加される1003。回転場の角度は、チップレットの第1のサブセットが所望の配向角に配向されるようにするように選択可能である。線1004によって示されるように、これらの、方向を決定するプロセス1001、電極を作動するプロセス1002、及び、回転場を印加するプロセス1003は、電極によってクランプされているチップレットの数に加えながら、チップレットのますます小さなサブセットに対して繰り返すことができる。
【0026】
別途明記しない限り、本明細書及び特許請求の範囲で使用される特徴のサイズ、量、及び物理的特性を表すすべての数字は、すべての場合に「約」という用語によって修飾されると理解されるべきである。したがって、そうでないことが示されない限り、前述の明細書及び添付の特許請求の範囲に示される数値パラメータは、本明細書に開示される教示を利用して当業者が得ようとする所望の特性に応じて変わり得る近似値である。エンドポイントによる数値範囲の使用は、その範囲内のすべての数(例えば、1〜5は1、1.5、2、2.75、3、3.80、4、及び5を含む)及びその範囲内の任意の範囲を含む。

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