TOP特許意匠商標
特許ウォッチ DM通知 Twitter
公開番号2019197830
公報種別公開特許公報(A)
公開日20191114
出願番号2018091438
出願日20180510
発明の名称載置台及びプラズマ処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20191018BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】載置台の曲げ剛性を向上させると共に、載置台の支持部材に対する着脱容易性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】基板を載置する載置台であって、基板の載置面を有する静電チャックと、前記静電チャックを載置する静電チャック載置板と、を有し、前記静電チャックと前記静電チャック載置板は、前記静電チャック載置板側から複数の第1の締結具によって締結され、前記載置台は、前記載置面の径方向外側において、前記静電チャック側から複数の第2の締結具によって、前記静電チャック載置板の前記静電チャックと反対側に設けられた支持部材に締結される。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項1】
基板を載置する載置台であって、
基板の載置面を有する静電チャックと、
前記静電チャックを載置する静電チャック載置板と、を有し、
前記静電チャックと前記静電チャック載置板は、前記静電チャック載置板側から複数の第1の締結具によって締結され、
前記載置台は、前記載置面の径方向外側において、前記静電チャック側から複数の第2の締結具によって、前記静電チャック載置板の前記静電チャックと反対側に設けられた支持部材に締結される、載置台。
続きを表示(約 1,300 文字)【請求項2】
前記複数の第1の締結具及び前記複数の第2の締結具はそれぞれ、前記静電チャック載置板の同心円に沿って配置され、
前記複数の第2の締結具によって、前記載置台の外周部が前記支持部材に締結され、
前記複数の第1の締結具によって、前記複数の第2の締結具よりも径方向内側において前記静電チャックと前記静電チャック載置板が締結される、請求項1に記載の載置台。
【請求項3】
前記複数の第1の締結具は、異なる径を有する複数の前記同心円に沿って配置される、請求項2に記載の載置台。
【請求項4】
前記静電チャックと前記静電チャック載置板はそれぞれ、前記複数の第2の締結具を挿通させて前記支持部材に締結される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項5】
前記静電チャック載置板には、前記第2の締結具を挿通させるための貫通孔が形成され、
当該貫通孔は、前記第2の締結具の径よりも大きい径を有する、請求項4に記載の載置台。
【請求項6】
前記静電チャック載置板は、前記静電チャックよりも径方向外側において、前記複数の第2の締結具を挿通させて前記支持部材に締結される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項7】
前記静電チャックの外径は340mm〜360mmである、請求項1〜6のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項8】
基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
プラズマが生成される処理空間を画成する処理容器と、
前記処理容器の内部において基板を載置する載置台と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記載置台を支持する支持部材と、を有し、
前記載置台は、
基板の載置面を有する静電チャックと、
前記静電チャックの前記支持部材側に設けられ、当該静電チャックを載置する静電チャック載置板と、を備え、
前記静電チャックと前記静電チャック載置板は、前記静電チャック載置板側から複数の第1の締結具によって締結され、
前記載置台は、前記載置面の径方向外側において、前記静電チャック側から複数の第2の締結具によって前記支持部材に締結される、プラズマ処理装置。
【請求項9】
前記静電チャックと前記静電チャック載置板はそれぞれ、前記複数の第2の締結具を挿通させて前記支持部材に締結され、
前記プラズマ処理装置は、平面視において前記載置面を囲うように配置されるフォーカスリングを有する、請求項8に記載のプラズマ処理装置。
【請求項10】
前記静電チャック載置板は、前記静電チャックよりも径方向外側において、前記複数の第2の締結具を挿通させて前記支持部材に締結され、
前記プラズマ処理装置は、平面視において前記載置面を囲うように配置されるフォーカスリングを有する、請求項8に記載のプラズマ処理装置。
【請求項11】
前記フォーカスリングの温度調節を行うための温度調節機構を有する、請求項10に記載のプラズマ処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、載置台及びプラズマ処理装置に関する。
続きを表示(約 10,000 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、処理装置の内部において、サセプタ、ヒータ固定台、及びサセプタ支持台を備えた載置台が開示されている。サセプタ、ヒータ固定台、及びサセプタ支持台は、上方からこの順で積層されている。サセプタの上面中央部には静電チャックが設けられ、この静電チャックにより半導体ウェハが保持される。サセプタは、その周縁部においてボルトによりサセプタ支持台に着脱自在に取り付けられる。またヒータ固定台は、温度調整用ヒータを収容する。ヒータ固定台は、その周縁部においてボルトによりサセプタ支持台に着脱自在に取り付けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開平6−53174号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、載置台の曲げ剛性を向上させると共に、載置台の支持部材に対する着脱容易性を向上させる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様は、基板を載置する載置台であって、基板の載置面を有する静電チャックと、前記静電チャックを載置する静電チャック載置板と、を有し、前記静電チャックと前記静電チャック載置板は、前記静電チャック載置板側から複数の第1の締結具によって締結され、前記載置台は、前記載置面の径方向外側において、前記静電チャック側から複数の第2の締結具によって、前記静電チャック載置板の前記静電チャックと反対側に設けられた支持部材に締結される。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、載置台の曲げ剛性を向上させると共に、載置台の支持部材に対する着脱容易性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
従来の載置台の説明図である。
従来の載置台の説明図である。
本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
第1の実施形態にかかる載置台の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
第1の実施形態にかかる載置台の構成の概略を模式的に示す平面図である。
第1の実施形態にかかる載置台の組み立て方法を模式的に示す説明図である。
第2の実施形態にかかる載置台の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
第2の実施形態にかかる載置台の組み立て方法を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
先ず、従来のプラズマ処理装置及び載置台について、特許文献1に記載されている構成を基に説明する。
【0009】
半導体デバイスの製造工程においてプラズマ処理装置では、処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによって半導体基板(以下、「基板」という。)を処理する。かかるプラズマ処理装置には、基板の載置面を備えた載置台が設けられている。特許文献1に記載された載置台のように、基板を載置する静電チャックを備える場合、当該静電チャックにおける基板の載置面にはネジ穴を設けることができない。このため、静電チャックを備えたサセプタは、基板の載置面よりも径方向外側の外周部において、ボルトによりサセプタ支持台に締結される必要がある。
【0010】
ここで、図1に示すように特許文献1に記載の従来の載置台200は、サセプタ201、ヒータ固定台202、サセプタ支持台203が上方からこの順で積層された構成を有している。ヒータ固定台202の上面には、複数、例えば2つのヒータ204が設けられている。ヒータ204には、当該ヒータ204に給電する給電部205が接続されている。給電部205は、サセプタ支持台203を貫通し、さらにヒータ固定台202を通ってヒータ204に接続される。そして、ヒータ204が設置される空間は給電部205と連通し、大気空間T1となっている。すなわち、サセプタ201とヒータ固定台202との間には、大気圧力Pがかかる。一方、サセプタ201の上方の処理空間T2は、処理中に真空雰囲気になる。しかも、サセプタ201は、ヒータ固定台202とは締結されておらず、外周部においてサセプタ支持台203に固定されているのみである。そうすると、大気空間T1(大気圧力P)と処理空間T2(真空雰囲気)の圧力差により、サセプタ201は上方凸形状に反る場合がある(図1中の点線)。
【0011】
また、図2に示すように従来の載置台200において、サセプタ201とヒータ固定台202の材質が異なる場合、ヒータ204に通電してサセプタ201とヒータ固定台202を昇温することにより、線膨張の差に起因してサセプタ201に線膨張応力Qが発生する。この際、サセプタ201の外周部が固定されているため、当該線膨張応力Qを発散できない。そうすると、上述した大気空間T1(大気圧力P)と処理空間T2(真空雰囲気)の圧力差も相乗され、やはりサセプタ201は上方凸形状に反る場合がある(図2中の点線)。
【0012】
このようにサセプタ201が上方凸形状に歪むと、当該サセプタ201(静電チャック)上に載置された基板が、サセプタ201の歪みに伴って凸形状に反る。かかる場合、基板と載置台200との間で熱伝導が変化するが、近年要求される温度精度を考慮すると、基板の反りを抑制する必要がある。
【0013】
そこで、本開示にかかる技術は、静電チャックと静電チャック載置板を備えた載置台において、当該載置台の歪みを抑制する。具体的には、静電チャックと静電チャック載置板を上方からこの順で積層し、これら静電チャックと静電チャック載置板を下方から第1の締結具によって締結する。これにより、載置台の剛性を向上させ、上述した歪みを抑制する。またさらに、このように構成された載置台を下方の支持部材に固定するため、上方から第2の締結具によって当該載置台を支持部材に締結する。かかる構成により、着脱容易な載置台が実現できる。
【0014】
以下、本実施形態にかかる載置台、及び当該載置台を備えたプラズマ処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0015】
図3は、本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。なお、本実施形態ではプラズマ処理装置1として、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例に説明する。
【0016】
図3に示すように、プラズマ処理装置1は、略円筒形状の処理容器10を有している。処理容器10は、例えばアルミニウムから構成されており、表面には陽極酸化処理が施されている。処理容器10は、プラズマが生成される処理空間Sを画成する。
【0017】
処理容器10内には、基板Wを載置する載置台11が収容されている。載置台11は、静電チャック12と静電チャック載置板13を有している。静電チャック12は、載置部12aと基体部12bを有する。静電チャック載置板13は、静電チャック12の基体部12bの下方に設けられている。また静電チャック載置板13は、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有している。
【0018】
載置部12aと基体部12bはそれぞれ、例えば絶縁体により構成されている。載置部12aには、当該絶縁体の間に電極14aが設けられている。電極14aには、スイッチ20を介して直流電源21が接続されている。そして電極14aに直流電源21から直流電圧が印加されることによって発生するクーロン力によって基板Wが載置部12aの載置面に吸着される。
【0019】
また、電極14aの下方には、加熱素子であるヒータ14bが、載置台11の中心を囲むように環状に延在して設けられている。ヒータ14bは、ヒータ電源22に接続され、当該ヒータ電源22により電圧を印加することによって、載置台11及び、載置台11に載置された基板Wを所定の温度に昇温することができる。
【0020】
なお、ヒータ14bは、例えば中央領域を加熱するヒータと、中央領域の外側を囲むように環状に延在する別のヒータとを含んでもよい。この場合、載置面に載置された基板Wの温度を、当該基板Wの中心に対して放射方向に位置する複数の領域ごとに制御することができる。
【0021】
また、基体部12bの内部には、冷媒流路14cが形成されている。冷媒流路14cには、処理容器10の外部に設けられたチラーユニット(図示せず)から冷媒入口配管14dを介して冷媒が供給される。冷媒流路14cに供給された冷媒は、冷媒出口配管14eを介してチラーユニットに戻るようになっている。このように、冷媒流路14cの中に冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、載置台11及び、載置台11に載置された基板Wを所定の温度に冷却することができる。
【0022】
また、載置台11には、基板Wの裏面にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス(バックサイドガス)を供給するためのガス流路14fが設けられている。なお、図3の例では、ガス流路14fの一部、すなわち基体部12bにおけるガス流路14fのみを図示している。ガス流路14fは、ガス供給源(図示せず)に接続されている。かかる冷熱伝達用ガスによって、載置台11の載置面に静電チャック12によって吸着保持された基板Wを、所定の温度に制御することができる。
【0023】
静電チャック載置板13には、第1のRF電源23a、第2のRF電源23bが、それぞれ第1の整合器24a、第2の整合器24bを介して接続され、載置台11に電圧印加可能に構成されている。
【0024】
第1のRF電源23aは、プラズマ発生用の高周波電力を発生する電源である。第1のRF電源23aからは27MHz〜100MHzの周波数、一例においては40MHzの高周波電力が載置台11の静電チャック載置板13に供給される。第1の整合器24aは、第1のRF電源23aの出力インピーダンスと負荷側(静電チャック載置板13側)の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。
【0025】
第2のRF電源23bは、基板Wにイオンを引き込むための高周波電力(高周波バイアス電力)を発生して、当該高周波バイアス電力を静電チャック載置板13に供給する。高周波バイアス電力の周波数は、400kHz〜13.56MHzの範囲内の周波数であり、一例においては3MHzである。第2の整合器24bは、第2のRF電源23bの出力インピーダンスと負荷側(静電チャック載置板13側)の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。
【0026】
以上のように構成された載置台11は、処理容器10の底部に設けられた略円筒形状の支持部材15に締結される。支持部材15には、例えばセラミックス等の絶縁体により構成される。
【0027】
静電チャック12の基体部12bの上方には、平面視において載置部12aを囲むようにして、円環状に形成されたフォーカスリング16が設けられている。フォーカスリング16は、静電チャック12と同軸となるようにスペーサ部材17を介して設けられている。またフォーカスリング16は、プラズマ処理の均一性を向上させるために設けられる。なお、フォーカスリング16は、実行すべきプラズマ処理に応じて適宜選択される材料から構成されており、例えばシリコン、又は石英から構成され得る。
【0028】
フォーカスリング16の内側側面には、径方向内側へ突出した突出部16aが形成されている。すなわち、フォーカスリング16は、内側側面の位置に応じて内径が異なる。例えば、突出部16aが形成されていない箇所の内径は、基板Wの外径よりも大きく形成される。一方、突出部16aが形成された箇所の内径は、基板Wの外径よりも小さく形成される。
【0029】
載置台11の上方には、載置台11と対向するように、シャワーヘッド30が設けられている。シャワーヘッド30は、上部電極としての機能を有し、処理空間Sに面して配置される電極板31、及び電極板31の上方に設けられる電極支持体32を有している。電極板31は、静電チャック載置板13と一対の電極(上部電極と下部電極)として機能する。なお、シャワーヘッド30は、絶縁性遮蔽部材33を介して、処理容器10の上部に支持されている。
【0030】
電極板31には、後述のガス拡散室32aから送られる処理ガスを処理空間Sに供給するための複数のガス噴出口31aが形成されている。電極板31は、例えば、発生するジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から構成される。
【0031】
電極支持体32は、電極板31を着脱自在に支持するものであり、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等の導電性材料から構成される。電極支持体32の内部には、ガス拡散室32aが形成されている。当該ガス拡散室32aからは、ガス噴出口31aに連通する複数のガス流通孔32bが形成されている。また、電極支持体32には、ガス拡散室32aに処理ガスを供給するガス供給源群40が、流量制御機器群41、バルブ群42、ガス供給管43、ガス導入孔32cを介して接続されている。
【0032】
ガス供給源群40は、プラズマ処理に必要な複数種のガス供給源を有している。プラズマ処理装置1においては、ガス供給源群40から選択された一以上のガス供給源からの処理ガスが、流量制御機器群41、バルブ群42、ガス供給管43、ガス導入孔32cを介してガス拡散室32aに供給される。そして、ガス拡散室32aに供給された処理ガスは、ガス流通孔32b、ガス噴出口31aを介して、処理空間S内にシャワー状に分散されて供給される。
【0033】
また、プラズマ処理装置1には、処理容器10の側壁からシャワーヘッド30の高さ位置よりも上方に延びるように円筒形状の接地導体10aが設けられている。円筒形状の接地導体10aは、その上部に天板10bを有している。
【0034】
また、プラズマ処理装置1には、処理容器10の内壁に沿ってデポシールド50が着脱自在に設けられている。デポシールド50は、処理容器10の内壁にエッチング副生物(デポ)が付着することを防止するものであり、例えばアルミニウム材にY



等のセラミックスを被覆することにより構成される。また同様に、デポシールド50に対向する面であって、支持部材15の外周面には、デポシールド51が、着脱自在に設けられている。
【0035】
処理容器10の底部であって、処理容器10の内壁と支持部材15との間には、排気プレート52が設けられている。排気プレート52は、例えばアルミニウム材にY



等のセラミックスを被覆することにより構成される。処理空間Sは当該排気プレート52を介して排気口53に連通されている。排気口53には例えば真空ポンプ等の排気装置54が接続され、当該排気装置54により処理空間S内を減圧可能に構成されている。
【0036】
また、処理容器10の側壁には基板Wの搬入出口55が形成され、当該搬入出口55はゲートバルブ55aにより開閉可能となっている。
【0037】
以上のプラズマ処理装置1には、制御部100が設けられている。制御部100は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置1における基板Wの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマ処理装置1の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち、処理レシピが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部100にインストールされたものであってもよい。
【0038】
次に、図4及び図5を参照して、第1の実施形態にかかる載置台11の詳細について説明する。図4及び図5はそれぞれ、本実施形態にかかる載置台11の構成の概略を示す縦断面図及び平面図である。
【0039】
上述のように、載置台11は静電チャック12及び静電チャック載置板13を有している。また、静電チャック12は、基板Wを静電吸着して載置するための載置面を上面に有する載置部12aと、載置部12aを下方から支持する基体部12bとを有している。載置部12aと基体部12bは、例えば接着剤を介して固定されている。また載置部12aと基体部12bは、それぞれ略円板形状を有している。載置部12aは、例えばセラミックス等により構成される。載置部12aの直径は基板Wの直径と略同一であるか、或いは、基板Wの直径よりも小さく形成されている。基体部12bの直径は、載置部12aの直径よりも大きく形成されている。また、基体部12bの上面であって、載置部12aの外周よりも外側には、載置部12aと基体部12bの外径の差によって生じる外周領域12cが形成されている。外周領域12cは載置部12aを囲む領域であり、略環状に延在し、本実施形態では外周領域12cの上面は、載置部12aの基板Wの載置面よりも低い位置に形成されている。
【0040】
静電チャック12の内部であって、外周領域12cよりも内周側、すなわち載置部12aの内部には、基板Wの静電吸着用の電極14aが設けられている。また、載置部12aの内部であって電極14aの下方には、一以上のヒータ14b設けられている。本実施形態では、計4つのヒータ14bが載置部12aの中央の円形領域A1、及び、当該円形領域A1を囲む同心状の複数の環状領域A2、A3、A4にそれぞれ設けられている。複数のヒータ14bは、ヒータ電源22から個別に調整された電力が供給される。これにより、各ヒータ14bが発する熱が個別に制御され、各領域A1〜A4の温度をそれぞれ個別に調整することができる。
【0041】
静電チャック12の基体部12b内部に形成される冷媒流路14cは、基体部12bの内部であって、外周領域12cよりも径方向内側、すなわちヒータ14bの下方に配置される。冷媒流路14cは、基板Wの下方に位置して基板Wの熱を吸収するように機能する。
【0042】
静電チャック載置板13は、基体部12bと略同一の直径の略円板形状を有している。静電チャック12と静電チャック載置板13は、第1の締結具60によって締結されることにより、載置台11を構成する。第1の締結具60は、図6に示すように静電チャック載置板13側から静電チャック12側へ向けて、静電チャック12と静電チャック載置板13を締結する。第1の締結具60は、静電チャック載置板13に形成された貫通孔13aを介して、基体部12bに形成された締結孔12dに締結される。なお、第1の締結具60としては例えばネジが用いられ、ネジ溝が形成された締結孔12dに螺合される。
【0043】
なお、本実施形態において第1の締結具60は、図5に示すように、後述する第2の締結具61よりも径方向内側であって、載置台11との同心円に沿って複数(例えば、3本)等配されている。すなわち、第1の締結具60は、載置台11を構成する静電チャック12及び静電チャック載置板13を、後述の第2の締結具61よりも径方向内側、すなわち載置台11の中央近傍において締結することができる。
【0044】
なお、本実施形態は一例であり、上述のように第1の締結具60の本数は3本に限定されるものではないが、載置台11を構成する部材同士の横ずれを防止するため、少なくとも3本以上の第1の締結具60を用いることが好ましい。また、第1の締結具60は、静電チャック12及び静電チャック載置板13の横ずれを防止し、曲げ剛性を向上できるような配置であれば同心円に沿って固定されなくてもよい。さらに例えば第1の締結具60は、異なる径を有する同心円に沿って径方向に並べて配置されてもよく、すなわち2重以上に複数の第1の締結具60を設けてもよい。
【0045】
このように構成された載置台11は、当該載置台11の下方に設けられる支持部材15上に、第2の締結具61によって静電チャック12側から締結される。図6に示すように静電チャック12において、ヒータ14b及び冷媒流路14cの設けられていない外周領域12cには、貫通孔12eが形成されている。また、静電チャック載置板13の外周部には、貫通孔12eに対応する位置に、貫通孔13bが形成されている。第2の締結具61は、これら貫通孔12e、13bを挿通して、支持部材15に形成された締結孔15aに締結される。なお、第2の締結具61としては例えばネジが用いられ、ネジ溝が形成された締結孔15aに螺合される。
【0046】
なお、本実施形態において第2の締結具61は、図5に示すように静電チャック12の外周領域12c、静電チャック載置板13、及び支持部材15の外周部に沿って12本、等配されている。
【0047】
ここで、第2の締結具61は、図4及び図6に示すように、静電チャック12及び静電チャック載置板13を貫通して設けられるため、第1の締結具60よりも長いものが用いられる。このように、締結具として例えば長いボルトが用いられると、締結のために挿通される貫通孔の途中、本実施形態においては、例えば貫通孔13b内において、第2の締結具61が歪んでしまう場合がある。すなわち、貫通孔13bから静電チャック載置板13の径方向外側に向かって反ってしまう場合がある。
【0048】
かかる第2の締結具61の反りに対応するため、例えば貫通孔13bは、図4に示すように、第2の締結具61と貫通孔13bの内壁面との間に空隙が形成されるように、第2の締結具61の径よりも大きく構成されることが望ましい。かかる構成を有することにより、第2の締結具61の反りを空隙により吸収することができ、結果的に載置台11の反りを抑制することができる。
【0049】
以上のように載置台11は、静電チャック12と静電チャック載置板13を、第1の締結具60を静電チャック載置板13側から締結することにより形成される。また、このように形成された載置台11は、第2の締結具61により静電チャック12側から支持部材15に締結される。かかる構成を有することにより、載置台11を静電チャック12側からのアクセスのみによって、支持部材15に対して容易に着脱することができる。
【0050】
また、以上の構成によれば、第1の締結具60による載置台11の締結は、当該載置台11の静電チャック載置板13側から、中央近傍において行うことができる。かかる場合、従来のように載置台の外周部のみで締結される場合と比べて、大気圧力や線膨張応力に起因する載置台11の凸形状の歪みの発生を抑制することができる。また、静電チャック載置板13側からの締結であるため、載置部12aに貫通孔や締結孔を設ける必要がない。このため、ヒータ14bや冷媒流路14cによる基板Wの温度調節を、基板面内で均一に行うことができる。
(【0051】以降は省略されています)

関連特許

東京エレクトロン株式会社
処理装置
東京エレクトロン株式会社
溶射装置
東京エレクトロン株式会社
溶射装置
東京エレクトロン株式会社
基板処理装置
東京エレクトロン株式会社
基板処理装置
東京エレクトロン株式会社
基板処理装置
東京エレクトロン株式会社
基板洗浄装置
東京エレクトロン株式会社
基板洗浄方法
東京エレクトロン株式会社
接続線支持装置
東京エレクトロン株式会社
膜を形成する方法
東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
東京エレクトロン株式会社
成膜装置及び成膜方法
東京エレクトロン株式会社
成膜方法及び成膜装置
東京エレクトロン株式会社
成膜装置及び成膜方法
東京エレクトロン株式会社
成膜装置及び成膜方法
東京エレクトロン株式会社
成膜装置および成膜方法
東京エレクトロン株式会社
搬送方法および搬送装置
東京エレクトロン株式会社
成膜装置および成膜方法
東京エレクトロン株式会社
成膜方法および成膜装置
東京エレクトロン株式会社
検査装置及び温度制御方法
東京エレクトロン株式会社
反応管ユニットの搬送方法
東京エレクトロン株式会社
成膜用組成物および成膜装置
東京エレクトロン株式会社
成膜用組成物および成膜装置
東京エレクトロン株式会社
基板載置台及び基板検査装置
東京エレクトロン株式会社
部材の駆動方法及び処理装置
東京エレクトロン株式会社
基板載置台及び基板処理装置
東京エレクトロン株式会社
載置台及びプラズマ処理装置
東京エレクトロン株式会社
基板処理方法及び基板処理装置
東京エレクトロン株式会社
基板処理装置及び基板処理方法
東京エレクトロン株式会社
基板処理装置及び基板処理方法
東京エレクトロン株式会社
基板処理方法及び基板処理装置
東京エレクトロン株式会社
基板処理方法及び基板処理装置
東京エレクトロン株式会社
基板処理装置および基板処理方法
東京エレクトロン株式会社
流量測定方法および流量測定装置
東京エレクトロン株式会社
基板処理方法および基板処理装置
東京エレクトロン株式会社
基板処理装置および基板処理方法
続きを見る