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公開番号2024063451
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-13
出願番号2022171416
出願日2022-10-26
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人愛宕綜合特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20240502BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウエーハの裏面に金属膜が形成されている場合であっても、該ウエーハを個々のデバイスチップに良好に分割することができるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ10に対して透過性を有する波長のレーザー光線LBを照射して分割予定ライン14の内部にレーザー光線LBの集光点を位置付けて照射し、分割の起点となる改質層100を形成する改質層形成工程と、ウエーハ10の裏面10bに被覆された金属膜16に水Lの層を介して超音波Wを付与して金属膜16を塑性変形させると共に該改質層100に沿ってウエーハ10を個々のデバイスチップ12’に分割する分割工程とを備える。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された表面と金属膜が被覆された裏面とを有するウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して分割予定ラインの内部にレーザー光線の集光点を位置付けて照射し、分割の起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハの裏面に被覆された金属膜に水の層を介して超音波を付与して金属膜を塑性変形させると共に該改質層に沿ってウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程とを備えるウエーハの加工方法。
続きを表示（約 150 文字）【請求項２】
該分割工程において、該金属膜に対して超音波を付与する際に、分割予定ラインに対応する領域を露出させてその他の領域の該金属膜をマスクする請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該ウエーハは、ＳｉＣ基板で形成される請求項１に記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された表面と金属膜が被覆された裏面とを有するウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
また、ウエーハの裏面に電極となる金属膜（例えばＴｉ、Ｎｉ、Ａｕ、又はこれらの複合体）が被覆されたウエーハにおいては、分割予定ラインに対応する裏面にレーザー光線を照射して金属膜を除去し、その後、分割予定ラインをダイシング装置、レーザー加工装置によって分割している（例えば特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１５－１３８８５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した特許文献１に記載の技術では、レーザー光線の照射によって分割予定ラインに対応する領域の金属膜を溶融させて除去しているため、溶融した金属膜の粒子が飛散してデバイスチップの裏面に付着することから、デバイスチップの品質を悪化させるという問題がある。
【０００６】
また、ウエーハがＳｉＣ基板で形成されている場合、切削ブレードによる分割が困難であることから、ＳｉＣ基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けて照射して分割の起点となる改質層を形成し、その後、外力を付与して個々のデバイスチップに分割することで、金属膜も同時に分割することが試みられている。しかし、上記したような金属膜が形成されている場合、特に該金属膜の厚みが厚い場合は、ウエーハを構成するＳｉＣ基板と共に該金属膜を良好に分割することができないという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの裏面に金属膜が形成されている場合であっても、該ウエーハを個々のデバイスチップに良好に分割することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された表面と金属膜が被覆された裏面とを有するウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して分割予定ラインの内部にレーザー光線の集光点を位置付けて照射し、分割の起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハの裏面に被覆された金属膜に水の層を介して超音波を付与して金属膜を塑性変形させると共に該改質層に沿ってウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程とを備えるウエーハの加工方法が提供される。
【０００９】
該分割工程において、該金属膜に対して超音波を付与する際に、分割予定ラインに対応する領域を露出させてその他の領域の該金属膜をマスクすることが好ましい。該ウエーハは、ＳｉＣ基板で形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のウエーハの加工方法は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された表面と金属膜が被覆された裏面とを有するウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して分割予定ラインの内部にレーザー光線の集光点を位置付けて照射し、分割の起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハの裏面に被覆された金属膜に水の層を介して超音波を付与して金属膜を塑性変形させると共に該改質層に沿ってウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程とを備えることから、デバイスの品質を悪化させることなく、ウエーハの裏面に被覆された金属膜と共にウエーハを構成する基板を分割予定ラインに沿って良好に分割することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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