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公開番号2024046326
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-03
出願番号2022151644
出願日2022-09-22
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 23/48 20060101AFI20240327BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】チップ上のアクティブエリアを広くすることを可能にする半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、チップと、前記チップ上に設けられるゲート電極パッドに接続されるゲート電極とを具備し、前記ゲート電極は、封止樹脂の外部露出面と面一になる外部露出面を有する外部露出部と、前記外部露出部と繋がっており前記ゲート電極パッドと接続するゲート電極パッド接続部とを含む。前記ゲート電極パッド接続部は、前記ゲート電極パッドと前記封止樹脂の一部との間に挟まれる部分を有する。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
チップと、
前記チップ上に設けられるゲート電極パッドに接続されるゲート電極と
を具備し、
前記ゲート電極は、
封止樹脂の外部露出面と面一になる外部露出面を有する外部露出部と、
前記外部露出部と繋がっており前記ゲート電極パッドと接続するゲート電極パッド接続部と
を含み、
前記ゲート電極パッド接続部は、前記ゲート電極パッドと前記封止樹脂の一部との間に挟まれる部分を有する、
半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記ゲート電極パッド接続部は、
前記外部露出部から、当該外部露出部の外部露出面に平行な一方向へ突出した構造を有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート電極パッド接続部は、
前記封止樹脂の一部と接する面の高さが、前記外部露出部の外部露出面の高さから、一定以上離れている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ゲート電極パッド接続部は、
前記外部露出部と同一部材で一体として形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記チップ上に設けられる第１電極パッドに接続される第１電極をさらに具備し、
前記第１電極は、
前記封止樹脂の外部露出面と面一になる外部露出面を有する外部露出部を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記チップは、第１面に、前記第１電極を接続する領域および前記ゲート電極を接続する領域を有するとともに、前記第１面の裏側にある第２面に、第２電極を接続する領域を有する、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
ソース電極パッドを有するチップと、
前記チップ上に設けられるゲート電極パッドに接続されるゲート電極と、
前記ソース電極パッドと接続する第１面と、前記第１面の反対側の面が露出する第２面とを有するソース電極と、
前記チップの第２面上に設けられ、前記チップの前記第１面側にドレイン電極端子を有する導電部材と、
を具備し、
前記ゲート電極は、
封止樹脂の外部露出面と面一になる外部露出面を有する外部露出部と、
前記外部露出部と繋がっており前記ゲート電極パッドと接続するゲート電極パッド接続部と
を含み、
前記ゲート電極パッド接続部は、前記ゲート電極パッドと前記封止樹脂との間に位置する、
半導体装置。
【請求項８】
前記ゲート電極パッド接続部は、
前記外部露出部から、当該外部露出部の外部露出面に平行な一方向へ突出した構造を有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ゲート電極パッド接続部は、
前記外部露出部と同一部材で一体として形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
当該半導体装置は、ソース電極が底面にあるソースダウン構造のパッケージに封止された半導体装置である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、チップおよび各種の電極が搭載される。チップ上には、各種の電極が接続される領域が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第６９６７６２７号公報
特許第５６３７１５６号公報
特許第５８９２２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
チップ上のアクティブエリアを広くすることを可能にする半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、チップと、前記チップ上に設けられるゲート電極パッドに接続されるゲート電極とを具備し、前記ゲート電極は、封止樹脂の外部露出面と面一になる外部露出面を有する外部露出部と、前記外部露出部と繋がっており前記ゲート電極パッドと接続するゲート電極パッド接続部とを含む。前記ゲート電極パッド接続部は、前記ゲート電極パッドと前記封止樹脂の一部との間に挟まれる部分を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、本実施形態に係る半導体装置の一部の構造の例を示す斜視図である。
図１に示される半導体装置をＺ方向に見たときの構造の例を示す平面図である。
図３は、図２中に示されるＡ－Ａ断面部における断面形状を示す断面図である。
図４は、図２中に示されるＢ－Ｂ断面部における断面形状を示す断面図である。
図５は、図２中に示されるＣ－Ｃ断面部における断面形状を示す断面図である。
図６は、図１に示されるゲート電極３の周辺を拡大して示す拡大図である。
図７は、ゲート電極３のゲート電極パッド接続部３Ｂに封止樹脂Ｒからの力Ｆが加わる様子を示す概念図である。
図８Ａは、ゲート電極３の第１の配置例を示す概念図である。
図８Ｂは、ゲート電極３の第２の配置例を示す概念図である。
図８Ｃは、ゲート電極３の第３の配置例を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して実施の形態について説明する。
【０００８】
（半導体装置の構成）
本実施形態に係る半導体装置の構成について、図１乃至図５を用いて説明する。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る半導体装置の一部の構造の例を示す斜視図である。図１中のＸ，Ｙ，Ｙは、当該半導体装置の三次元空間上の位置関係を示すものであり、後述する各図においても使用する。但し、図１に示される構造の例は一例であって、この例に限定されるものではない。各部の配置関係、形状・大きさ等は、適宜、変更してもよい。
【００１０】
本実施形態で例示する半導体装置は、ソース電極が底面にあるソースダウン構造のパッケージに封止される半導体装置である。図１では、主要部を見やすくするため、ソース電極を上向きにした状態（すなわち、半導体装置を逆さにした状態）を示している。
（【００１１】以降は省略されています）

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